技术摘要：
本申请公开了一种芯片封装方法，该方法包括：提供第一封装体，第一封装体包括至少一个连接芯片、第一再布线层、多个第一导电柱以及第一塑封层；第一再布线层位于连接芯片的功能面一侧，且第一再布线层的不同区域分别与连接芯片、第一导电柱电连接；在连接芯片的非功能  全部
背景技术：
随着电子产品的更新换代，对于芯片封装技术的要求也越来越高，现有的芯片封 装技术中，通常先将芯片与硅中介板进行连接，然后将硅中介板与基板进行连接。上述方式 形成的封装器件的电性能和热传导性能均表现优异，但是成本较高，且硅中介板脆性较高， 导致封装器件的稳定性较低。因此，需要发展一种新的封装技术，能够降低成本，且形成的 封装器件的性能优异。
技术实现要素：
本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法，能够降低成本，提高第一 芯片和第二芯片之间的信号传输速率。 为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供芯片封装方法，所述芯 片封装方法包括：提供第一封装体，所述第一封装体包括至少一个连接芯片、第一再布线 层、多个第一导电柱以及第一塑封层；其中，所述连接芯片包括相背设置的功能面和非功能 面，每个所述连接芯片的外围设置有多个所述第一导电柱，所述第一塑封层覆盖所述连接 芯片的侧面以及所述第一导电柱的侧面，所述第一再布线层位于所述连接芯片的所述功能 面一侧，且所述第一再布线层的不同区域分别与所述连接芯片、所述第一导电柱电连接；在 所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结构与所述第一导电柱的 一端电连接；将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所述第一 再布线层电连接，其中，所述第一芯片和所述第二芯片的信号传输区焊盘靠近设置，所述第 一芯片和所述第二芯片的所述信号传输区焊盘通过所述第一再布线层与所述连接芯片电 连接，所述第一芯片和所述第二芯片的非信号传输区焊盘通过所述第一再布线层与所述第 一导电柱背离所述电连接结构的一端电连接；将所述电连接结构朝向封装基板，并使所述 电连接结构与所述封装基板电连接。 其中，所述将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所 述第一再布线层电连接之前，还包括：在所述第一再布线层远离所述连接芯片的一侧形成 第一钝化层，并在所述第一钝化层对应所述第一再布线层的位置形成第一开口；在所述第 一开口内形成第二导电柱，所述第二导电柱与所述第一再布线层电连接；所述将独立的第 一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第一再布线层并与所述第一再布线层电连接，包括： 将所述第一芯片和所述第二芯片的所述信号传输区焊盘通过所述第二导电柱、所述第一再 布线层与所述连接芯片电连接，以及将所述第一芯片和所述第二芯片的非信号传输区焊盘 通过所述第二导电柱、所述第一再布线层与所述第一导电柱的背离所述电连接结构的一端 电连接。 其中，所述提供第一封装体包括：提供可去除的第一载板，所述第一载板定义有至 4 CN 111554630 A 说　明　书 2/6 页 少一个区域；在所述第一载板上每个所述区域形成所述第一再布线层；在所述第一再布线 层上形成第二钝化层，在所述第二钝化层对应所述第一再布线层的位置形成多个第二开 口；在所述第二钝化层外侧的第二开口内形成所述第一导电柱，在所述第二钝化层内侧的 第二开口内形成第一导电凸块；将所述连接芯片的所述功能面上的连接焊盘与所述第一导 电凸块键合连接，所述第一导电柱的高度大于等于所述连接芯片的所述非功能面与所述第 一再布线层之间的距离；在所述第一载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封 层，所述第一塑封层与所述第一导电柱齐平。 其中，所述在所述第一载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封层之 前，还包括：在所述连接芯片的所述功能面与所述第二钝化层之间形成第一底填胶。 其中，所述在所述第一载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封层，包 括：在所述第一载板设置有所述第一导电柱一侧形成所述第一塑封层，所述第一塑封层覆 盖所述第一导电柱和所述连接芯片的非功能面；研磨所述第一塑封层远离所述第一载板一 侧表面，直至所述第一导电柱和所述连接芯片的非功能面从所述第一塑封层中露出，且所 述第一导电柱、所述连接芯片的非功能面和所述第一塑封层齐平。 其中，所述在所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结 构与所述第一导电柱的一端电连接，包括：在所述第一塑封层的一侧形成第三钝化层，所述 第三钝化层上对应所述第一导电柱的一端设置有第三开口；在所述第三开口内形成焊球， 所述电连接结构包括所述焊球。 其中，所述在所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结 构与所述第一导电柱的一端电连接，包括：在所述第一塑封层的一侧形成第四钝化层，所述 第四钝化层上对应所述第一导电柱的一端设置有第四开口；在所述第四钝化层上形成第二 再布线层，所述第二再布线层与所述第一导电柱电连接；在所述第二再布线层一侧形成第 五钝化层，所述第五钝化层对应所述第二再布线层的位置设置有第五开口；在所述第五开 口内形成焊球，所述电连接结构包括所述焊球和所述第二再布线层。 其中，所述在所述连接芯片的所述非功能面一侧形成电连接结构，所述电连接结 构与所述第一导电柱的一端电连接之后，包括：去除靠近所述连接芯片的所述功能面一侧 的第一载板，以使所述连接芯片的所述功能面一侧的第一再布线层露出；在所述电连接结 构的一侧提供可去除的第二载板，所述第二载板定义有至少一个区域，以承载所述电连接 结构。 其中，所述将独立的第一芯片和第二芯片的功能面朝向所述第二导电柱并与所述 第二导电柱电连接之后，包括：在所述第一芯片和所述第二芯片的所述功能面与所述第一 钝化层之间形成第二底填胶； 在所述第一钝化层一侧形成第二塑封层，所述第二塑封层覆盖所述第一芯片和所 述第二芯片的侧面。 其中，所述第一封装体中包含至少两个封装单元，每个所述封装单元包括至少一 个所述连接芯片、位于所述连接芯片外围的多个所述第一导电柱，以及与所述连接芯片和 所述第一导电柱电连接的所述第一再布线层，所述第一塑封层连续覆盖所有所述封装单 元；所述将所述电连接结构朝向封装基板，并使所述电连接结构与所述封装基板电连接之 前，还包括：切割掉相邻所述封装单元之间的区域，以获得包含单个封装单元的封装器件。 5 CN 111554630 A 说　明　书 3/6 页 本申请的有益效果是：本申请提供的芯片封装方法对于主芯片的信号传输区和非 信号传输区采用不同的连接方式：对于信号传输区，采用连接芯片连接第一芯片和第二芯 片，提高第一芯片和第二芯片之间的信号传输速率，提高封装器件的性能；对于非信号传输 区，采用电连接结构与封装基板连接，能够降低封装成本。 附图说明 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。其中： 图1是本申请芯片封装方法一实施方式的流程示意图； 图2是图1中步骤S101对应的一实施方式的结构示意图； 图3是图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图； 图4a是图3中步骤S201对应的一实施方式的结构示意图； 图4b是图3中步骤S202对应的一实施方式的结构示意图； 图4c是图3中步骤S203对应的一实施方式的结构示意图； 图4d是图3中步骤S204对应的一实施方式的结构示意图； 图4e是图3中步骤S205对应的一实施方式的结构示意图； 图4f是图3中步骤S206之前对应的一实施方式的结构示意图； 图4g是图3中步骤S207对应的一实施方式的结构示意图； 图5a是图1中步骤S102对应的一实施方式的结构示意图； 图5b是图1中步骤S102对应的另一实施方式的结构示意图； 图6是图1中步骤S102之后对应的一实施方式的结构示意图； 图7是图1中步骤S103对应的一实施方式的结构示意图； 图8是图1中步骤S103之后对应的一实施方式的结构示意图； 图9是图1中步骤S104对应的一实施方式的结构示意图。