技术摘要：
本发明的一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板上下面的芯片贴装位置进行预先挖腔，封装时将FC芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，将盖板通过合金熔封的工艺焊接在陶瓷基板四周的焊接区内，并在陶瓷基板背面植球，完成封装。通过在陶瓷基板两侧  全部
背景技术：
随着半导体技术的不断发展，越来越多的芯片种类被开发出来以适用于不同的市 场需求，其中FC芯片是为现阶段封装所使用的主流芯片之一。然而现有的FC芯片的陶瓷封 装结构由于内部空间小，存在难以满足需求的问题。
技术实现要素：
1.发明要解决的技术问题 本发明的目的在于解决现有的FC芯片陶瓷封装结构由于内部空间小，难以满足需 求的问题。 2.技术方案 为达到上述目的，本发明提供的技术方案为： 本发明的一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板两侧面的芯片贴 装位置进行预先挖腔，封装时将FC芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，将盖 板通过合金熔封的工艺焊接在陶瓷基板四周的焊接区内，并在陶瓷基板背面植球，完成封 装。 优选的，所述封装工艺具体包括如下步骤： S100、挖腔，在陶瓷基板两侧面的芯片贴装位置进行挖腔； S200、绝缘，对同一面的腔体之间进行相互隔离； S300、贴装，将FC芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并进行固定； S400、粘合，使用填充胶填充FC芯片与陶瓷基板之间； S500、封帽，将盖板通过合金熔封的方式焊接在陶瓷基板顶部的焊接区内； S600、植球，对陶瓷基板背面植球，完成封装。 优选的，所述步骤S100中的挖腔具体为先将各生瓷片通过激光或者机械冲制在相 应位置开出槽，再将各层生瓷片叠加在一起进行烧结，该相应位置的槽在叠加一起之后形 成了腔体。 优选的，所述步骤S200中的相互隔离具体是将腔体之间陶瓷体上打满接地孔。 优选的，所述步骤S300中的贴装具体为将FC芯片以表贴的方式贴装到陶瓷基板的 腔体中，贴装精度控制在±35um以内。 优选的，所述步骤S400具体为使用填充胶填充FC芯片与陶瓷基板之间后，再进行 烘烤使得填充胶凝固，所述烘烤的具体过程为将陶瓷基板置于150℃的温度下烘烤30～40 分钟，使填充胶完全固化。 优选的，所述步骤S400中的粘合具体为对腔体中的FC芯片底部的锡球进行底部填 3 CN 111599691 A 说　明　书 2/4 页 充胶。 优选的，所述步骤5600中焊接区的宽度为1.5～2.0mm。 优选的，所述挖腔深度为0.2～0.4mm。 3.有益效果 采用本发明提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果： 本发明的一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板上下面的芯片贴 装位置进行预先挖腔，封装时将FC芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，将盖 板通过合金熔封的工艺焊接在陶瓷基板四周的焊接区内，并在陶瓷基板背面植球，完成封 装。通过在陶瓷基板两侧面挖腔形成上空腔和下空腔，上空腔和下空腔内分别安装有FC芯 片，使得陶瓷基板的封装空间变大，提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外 形尺寸。 附图说明 图1为本实施例的制备的封装结构的内部俯视图； 图2为本实施例的制备的封装结构的内部仰视图； 图3为本实施例的制备的封装结构的结构示意图； 图4为本发明的工艺流程图。 示意图中的标号说明： 1、陶瓷基板；2、焊接区；3、上空腔；4、下空腔；5、FC芯片；6、锡球；7、点胶层；8、盖 板；9、植球。