技术摘要：
本发明的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板两侧面的芯片贴装位置进行预先挖腔，封装时将WB芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，连接后进行底面封帽和顶面封帽，在陶瓷基板底面焊接引脚并弯曲成型，完成封装。通过在陶瓷基板两侧面分别设置上  全部
背景技术：
随着半导体技术的不断发展，越来越多的芯片种类被开发出来以适用于不同的市 场需求，其中WB芯片是为现阶段封装所使用的主流芯片之一。然而现有的WB芯片的陶瓷封 装结构由于内部空间小，存在难以满足需求的问题。
技术实现要素：
1.发明要解决的技术问题 本发明的目的在于解决现有的WB芯片陶瓷封装结构由于内部空间小，难以满足需 求的问题。 2.技术方案 为达到上述目的，本发明提供的技术方案为： 本发明的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板两侧面的芯片贴 装位置进行预先挖腔，封装时将WB芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，连接 后进行底面封帽和顶面封帽，在陶瓷基板底面焊接引脚并弯曲成型，完成封装。 优选的，所述封装工艺具体包括如下步骤： S100、挖腔，在陶瓷基板两侧面的芯片贴装位置进行挖腔； S200、焊接可伐环，在陶瓷基板上的焊接区上焊接可伐环； S300、绝缘，对同一侧面的腔体之间进行绝缘密封； S400、贴装，将WB芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并进行固定； S500、导通，将WB芯片与陶瓷基板导通； S600、封帽，对陶瓷基板进行底面封帽和顶面封帽； S700、焊接引脚，在陶瓷基板底面焊接引脚并弯曲成型。 优选的，所述步骤S100中的挖腔具体为先将各生瓷片通过激光或者机械冲制在相 应位置开出槽，再将各层生瓷片叠加在一起进行烧结，该相应位置的槽在叠加一起之后形 成了腔体。 优选的，所述步骤S200中的焊接区的宽度为1.5～2.0mm。 优选的，所述步骤S400中的贴装具体为将WB芯片使用银胶粘接在陶瓷基板的腔体 中，芯片粘接精度控制在±35um以内。 优选的，所述步骤S500中的导通具体为使用金线或者铝线将WB芯片上的信号和陶 瓷基板的引脚通过键合的方式完成连接。 优选的，所述用于贴装WB芯片的挖腔深度为0.4～0.6mm。 优选的，所述陶瓷基板上侧面设有至少两个挖腔结构。 3 CN 111599689 A 说　明　书 2/4 页 优选的，所述步骤S600中的底面封帽具体为使用金锡焊料将下盖板通过合金熔封 的方式焊接在陶瓷基板的焊接区，完成陶瓷基板底部封帽。 优选的，所述步骤S600中的顶面封帽具体为平行缝焊的方式将上盖板焊接在可伐 环的顶部，完成陶瓷基板顶部封帽。 3.有益效果 采用本发明提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果： 本发明的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装工艺，在陶瓷基板两侧面的芯片贴 装位置进行预先挖腔，封装时将WB芯片分别沉到相应的陶瓷腔里并与陶瓷基板连接，连接 后进行底面封帽和顶面封帽，在陶瓷基板底面焊接引脚并弯曲成型，完成封装。通过在陶瓷 基板两侧面分别设置上挖腔和下挖腔，使得陶瓷基板的空间得到增大，且上挖腔和下挖腔 内均设有WB芯片，使得陶瓷基板的封装空间变大，提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了 陶瓷封装的外形尺寸。 附图说明 图1为本实施例的制备的封装结构的上侧面的结构示意图； 图2为本实施例的制备的封装结构的下侧面的结构示意图； 图3为本实施例的制备的封装结构的整体结构示意图； 图4为本发明的工艺流程图。 示意图中的标号说明： 1、陶瓷基板；2、焊接区；3、上挖腔；4、WB芯片；5、金线；6、金手指；9、可伐环；10、上 盖板；11、下挖腔；12、下盖板；13、引脚。