技术摘要：
公开了振荡器和成像设备。一种振荡器，包括：共振器，包括负电阻元件；电压偏置电路，被配置成跨负电阻元件施加电压；以及第一分流元件，在该第一分流元件中电阻器和电容器串联电连接，其中，负电阻元件和第一分流元件并联地电连接到电压偏置电路。
背景技术：
包括诸如共振隧穿二极管(RTD)之类的负电阻元件的振荡电路(共振器)可以被用 作生成太赫兹波的小型振荡器，该太赫兹波是在30GHz至30THz的频带中的预定电磁波。该 振荡电路连接到电压偏置电路，该电压偏置电路例如向负电阻元件施加电压值，以使负电 阻元件能够具有负电阻特性。注意的是，负电阻元件具有在宽频带中的增益以及预定的电 磁波频率(预定频率)。因此，将负电阻元件与电压偏置电路连接会在比预定频率低的共振 点处引起电磁波的振荡(在下文中被称为“寄生振荡”)，这应该被抑制。 在这方面，日本专利No.5717336和日本专利No.5612842公开了一种振荡器，该振 荡器包括具有负电阻元件101的振荡电路100，并且还包括电压偏置电路200。如图15A中所 示，日本专利No.5717336公开了一种配置，在该配置中电阻元件301(分流电阻元件；电阻 器)与负电阻元件101并联布置以抑制寄生振荡。另一方面，如图15B中所示，日本专利 No.5612842公开了一种配置，在该配置中电容元件302(分流电容元件；电容器)与负电阻元 件101并联布置以抑制寄生振荡。
技术实现要素：
但是，根据日本专利No.5612842的振荡器包括电阻元件301，因此电压偏置电路 200需要恒定地使直流电流通过。这引起振荡器需要连续消耗电力以便稳定预定电磁波的 振荡的问题。另一方面，根据日本专利No.5612842的振荡器仅需要瞬时电流而不需要直流 电流流过电压偏置电路200。与根据日本专利No.5612842的振荡器相比较，这使得可以减小 电力消耗。然而，在抑制由于电容元件302引起的寄生振荡的稳定性方面仍然存在问题。 因此，本技术的目的是提供一种能够在防止电力消耗增大的同时提供寄生振荡的 稳定抑制的振荡器。 本公开的技术的一个方面是： 振荡器，包括： 共振器，包括负电阻元件； 电压偏置电路，被配置成跨负电阻元件施加电压；以及 第一分流元件，在该第一分流元件中电阻器和电容器串联电连接，其中 负电阻元件和第一分流元件并联地电连接到电压偏置电路。 根据本技术，可以在防止电力消耗增大的同时提供振荡器中的寄生振荡的稳定抑 制。 通过以下参考附图对示例性实施例的描述，本发明的更多特征将变得清楚。 4 CN 111600549 A 说　明　书 2/11 页 附图说明 图1A和图1B各自是根据第一实施例的振荡器的电路配置图； 图2是用于说明负电阻元件的电压-电流特性的图； 图3A和图3B各自示出根据比较示例的电磁波的损耗； 图3C示出根据第一实施例的电磁波的损耗； 图4A和图4B是各自示出根据第一实施例的振荡器的外部配置的图； 图5A和图5B是各自示出根据第一实施例的振荡器的外部配置的图； 图6A和图6B是各自示出根据第一实施例的分流元件的外部配置的图； 图7A是根据第一实施例的振荡器的电路配置图； 图7B是根据第二实施例的振荡器的电路配置图； 图8是示出根据第二实施例的振荡器的外部配置的图； 图9A示出根据第二实施例的电磁波的损耗； 图9B示出根据第三实施例的电磁波的损耗； 图10A是根据第三实施例的振荡器的电路配置图； 图10B是根据第四实施例的振荡器的电路配置图； 图11A和图11B是各自示出根据第三实施例的振荡器的外部配置的图； 图12A是示出根据第四实施例的振荡器的外部配置的图； 图12B是示出根据第五实施例的振荡器的外部配置的图； 图13A和图13B用于说明根据第五实施例的振荡器； 图14A是示出根据第六实施例的成像设备的图； 图14B是示出根据第一变形例的成像设备的图；以及 图15A和图15B是各自示出常规振荡器的电路配置图。