技术摘要：
本发明的课题在于提供一种即使在应用于利用EUV曝光进行的抗蚀剂步骤时也具有优异的缺陷抑制性能的药液。并且，本发明的另一课题在于提供一种药液的制造方法。本发明的药液含有：有机溶剂；及含有金属原子的含金属粒子，所述药液中，含金属粒子中粒径为0.5～17nm的金属 全部
背景技术：
通过包含光刻的配线形成工序制造半导体器件时，可使用含有水和/或有机溶剂 的药液来作为预湿液、抗蚀剂液(抗蚀剂组合物)、显影液、冲洗液、剥离液、化学机械性抛光 (CMP：Chemical Mechanical Polishing)浆料及CMP之后的清洗液等或它们的稀释液。 近年来，图案的微细化随着光刻技术的进步而不断发展。作为图案的微细化的方 法，可使用将曝光光源进行短波长化的方法，已尝试使用作为进一步短波长的EUV(极紫外 线)等来代替以往所使用的紫外线、KrF准分子激光及ArF准分子激光等来作为曝光光源而 形成图案。 关于利用上述EUV等进行的图案形成，作为抗蚀剂图案的宽度，将10～15nm作为目 标来进行开发，对于该步骤中所使用的上述药液要求更加优异的缺陷抑制性能。 作为以往用于形成抗蚀剂图案的药液的制造方法，在专利文献1中记载有“一种抗 蚀剂组合物的制造方法，其用于半导体装置制造工序中，该方法的特征在于，利用清洗液清 洗抗蚀剂组合物的制造装置，从制造装置取出该清洗液来旋转涂布到评价基板上，并进行 清洗直至该评价基板上的涂布前后的尺寸在100nm以上的缺陷中的缺陷密度的变化成为 0.2个/cm2以下之后，利用制造装置制造抗蚀剂组合物。”，在上述文献中记载有：使用通过 该方法制造的药液(抗蚀剂组合物)进行ArF曝光的结果，可抑制图案缺陷等。 以往技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2015-049395号公报
技术实现要素：
发明要解决的技术课题 本发明人等发现使用含有通过上述制造方法制造的药液的抗蚀剂组合物并通过 EUV曝光形成图案的结果，会产生缺陷。 因此，本发明的课题在于提供一种即使在应用于利用EUV曝光进行的抗蚀剂步骤 时也难以产生缺陷、换言之即使在应用于利用EUV曝光进行的抗蚀剂步骤时也具有优异的 缺陷抑制性能的药液。 并且，本发明的另一课题在于提供一种药液的制造方法。 用于解决技术课题的手段 为了解决上述问题，本发明人等进行深入研究的结果，发现能够通过以下构成解 决上述问题。 [1]一种药液，其含有有机溶剂及含有金属原子的含金属粒子，所述药液中，含金 属粒子中粒径为0.5～17nm的金属纳米粒子在药液的每单位体积中的含有粒子数为1.0× 4 CN 111587404 A 说 明 书 2/34 页 101～1.0×109个/cm3。 [2]根据[1]所述的药液，其中含金属粒子的个数基准的粒径分布在选自包含粒径 小于5nm的范围及粒径超过17nm的范围的组中的至少一个范围内具有极大值。 [3]根据[2]所述的药液，其中粒径分布在粒径为0.5nm以上且小于5nm的范围内具 有极大值。 [4]根据[1]至[3]中的任一项所述的药液，其用于制造半导体器件。 [5]根据[1]至[4]中的任一项所述的药液，其中金属纳米粒子包含选自包含含有 金属原子单质的粒子A、含有金属原子的氧化物的粒子B、以及含有金属原子单质及金属原 子的氧化物的粒子C的组中的至少一种。 [6]根据[5]所述的药液，其中药液的每单位体积的、粒子A的含有粒子数与粒子B 的含有粒子数和粒子C的含有粒子数的总计的含有粒子数之比小于1.0。 [7]根据[5]或[6]所述的药液，其中含有粒子数之比为1.0×10-1以下。 [8]根据[1]至[7]中的任一项所述的药液，其还含有沸点为300℃以上的有机化合 物。 [9]根据[8]所述的药液，其中金属纳米粒子的至少一部分为含有有机化合物的粒 子U。 [10]根据[8]或[9]所述的药液，其中金属纳米粒子的至少一部分为含有有机化合 物的粒子U及不含有机化合物的粒子V，且药液的每单位体积的、粒子U的含有粒子数与粒子 V的含有粒子数的含有粒子数之比为1.0×101以上。 [11]根据[1]至[10]中的任一项所述的药液，其中金属纳米粒子含有选自包含含 有Pb原子的金属纳米粒子及含有Ti原子的金属纳米粒子的组中的至少一种。 [12]根据[1]至[11]中的任一项所述的药液，其中金属纳米粒子包含含有Pb原子 的金属纳米粒子及含有Ti原子的金属纳米粒子。 [13]根据[1]至[12]中的任一项所述的药液，其中药液的每单位体积的、含有Pb原 子的金属纳米粒子的含有粒子数与含有Ti原子的金属纳米粒子的含有粒子数的含有粒子 数之比为1.0×10-3～2.0。 [14]一种药液的制造方法，其用于制造[1]至[13]中的任一项所述的药液，所述方 法具有使用过滤器过滤含有有机溶剂的被纯化物来获得药液的过滤工序。 [15]根据[14]所述的药液的制造方法，其中过滤工序为使被纯化物通过选自包含 过滤器的材料、细孔直径及细孔结构的组中的至少一种不同的2种以上的过滤器的多级过 滤工序。 [16]根据[14]或[15]所述的药液的制造方法，其中在使用1个过滤器的情况下，过 滤器的细孔直径为5nm以下，在使用2个以上的过滤器的情况下，过滤器中具有最小细孔直 径的过滤器的细孔直径为5nm以下。 发明效果 根据本发明，能够提供一种即使在应用于利用EUV曝光进行的抗蚀剂步骤时也具 有优异的缺陷抑制性能的药液。并且，本发明能够提供一种药液的制造方法。 5 CN 111587404 A 说 明 书 3/34 页 附图说明 图1是表示能够实施多级过滤工序的纯化装置的典型例的示意图。
本发明的课题在于提供一种即使在应用于利用EUV曝光进行的抗蚀剂步骤时也具有优异的缺陷抑制性能的药液。并且，本发明的另一课题在于提供一种药液的制造方法。本发明的药液含有：有机溶剂；及含有金属原子的含金属粒子，所述药液中，含金属粒子中粒径为0.5～17nm的金属 全部
背景技术：
通过包含光刻的配线形成工序制造半导体器件时，可使用含有水和/或有机溶剂 的药液来作为预湿液、抗蚀剂液(抗蚀剂组合物)、显影液、冲洗液、剥离液、化学机械性抛光 (CMP：Chemical Mechanical Polishing)浆料及CMP之后的清洗液等或它们的稀释液。 近年来，图案的微细化随着光刻技术的进步而不断发展。作为图案的微细化的方 法，可使用将曝光光源进行短波长化的方法，已尝试使用作为进一步短波长的EUV(极紫外 线)等来代替以往所使用的紫外线、KrF准分子激光及ArF准分子激光等来作为曝光光源而 形成图案。 关于利用上述EUV等进行的图案形成，作为抗蚀剂图案的宽度，将10～15nm作为目 标来进行开发，对于该步骤中所使用的上述药液要求更加优异的缺陷抑制性能。 作为以往用于形成抗蚀剂图案的药液的制造方法，在专利文献1中记载有“一种抗 蚀剂组合物的制造方法，其用于半导体装置制造工序中，该方法的特征在于，利用清洗液清 洗抗蚀剂组合物的制造装置，从制造装置取出该清洗液来旋转涂布到评价基板上，并进行 清洗直至该评价基板上的涂布前后的尺寸在100nm以上的缺陷中的缺陷密度的变化成为 0.2个/cm2以下之后，利用制造装置制造抗蚀剂组合物。”，在上述文献中记载有：使用通过 该方法制造的药液(抗蚀剂组合物)进行ArF曝光的结果，可抑制图案缺陷等。 以往技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2015-049395号公报
技术实现要素：
发明要解决的技术课题 本发明人等发现使用含有通过上述制造方法制造的药液的抗蚀剂组合物并通过 EUV曝光形成图案的结果，会产生缺陷。 因此，本发明的课题在于提供一种即使在应用于利用EUV曝光进行的抗蚀剂步骤 时也难以产生缺陷、换言之即使在应用于利用EUV曝光进行的抗蚀剂步骤时也具有优异的 缺陷抑制性能的药液。 并且，本发明的另一课题在于提供一种药液的制造方法。 用于解决技术课题的手段 为了解决上述问题，本发明人等进行深入研究的结果，发现能够通过以下构成解 决上述问题。 [1]一种药液，其含有有机溶剂及含有金属原子的含金属粒子，所述药液中，含金 属粒子中粒径为0.5～17nm的金属纳米粒子在药液的每单位体积中的含有粒子数为1.0× 4 CN 111587404 A 说 明 书 2/34 页 101～1.0×109个/cm3。 [2]根据[1]所述的药液，其中含金属粒子的个数基准的粒径分布在选自包含粒径 小于5nm的范围及粒径超过17nm的范围的组中的至少一个范围内具有极大值。 [3]根据[2]所述的药液，其中粒径分布在粒径为0.5nm以上且小于5nm的范围内具 有极大值。 [4]根据[1]至[3]中的任一项所述的药液，其用于制造半导体器件。 [5]根据[1]至[4]中的任一项所述的药液，其中金属纳米粒子包含选自包含含有 金属原子单质的粒子A、含有金属原子的氧化物的粒子B、以及含有金属原子单质及金属原 子的氧化物的粒子C的组中的至少一种。 [6]根据[5]所述的药液，其中药液的每单位体积的、粒子A的含有粒子数与粒子B 的含有粒子数和粒子C的含有粒子数的总计的含有粒子数之比小于1.0。 [7]根据[5]或[6]所述的药液，其中含有粒子数之比为1.0×10-1以下。 [8]根据[1]至[7]中的任一项所述的药液，其还含有沸点为300℃以上的有机化合 物。 [9]根据[8]所述的药液，其中金属纳米粒子的至少一部分为含有有机化合物的粒 子U。 [10]根据[8]或[9]所述的药液，其中金属纳米粒子的至少一部分为含有有机化合 物的粒子U及不含有机化合物的粒子V，且药液的每单位体积的、粒子U的含有粒子数与粒子 V的含有粒子数的含有粒子数之比为1.0×101以上。 [11]根据[1]至[10]中的任一项所述的药液，其中金属纳米粒子含有选自包含含 有Pb原子的金属纳米粒子及含有Ti原子的金属纳米粒子的组中的至少一种。 [12]根据[1]至[11]中的任一项所述的药液，其中金属纳米粒子包含含有Pb原子 的金属纳米粒子及含有Ti原子的金属纳米粒子。 [13]根据[1]至[12]中的任一项所述的药液，其中药液的每单位体积的、含有Pb原 子的金属纳米粒子的含有粒子数与含有Ti原子的金属纳米粒子的含有粒子数的含有粒子 数之比为1.0×10-3～2.0。 [14]一种药液的制造方法，其用于制造[1]至[13]中的任一项所述的药液，所述方 法具有使用过滤器过滤含有有机溶剂的被纯化物来获得药液的过滤工序。 [15]根据[14]所述的药液的制造方法，其中过滤工序为使被纯化物通过选自包含 过滤器的材料、细孔直径及细孔结构的组中的至少一种不同的2种以上的过滤器的多级过 滤工序。 [16]根据[14]或[15]所述的药液的制造方法，其中在使用1个过滤器的情况下，过 滤器的细孔直径为5nm以下，在使用2个以上的过滤器的情况下，过滤器中具有最小细孔直 径的过滤器的细孔直径为5nm以下。 发明效果 根据本发明，能够提供一种即使在应用于利用EUV曝光进行的抗蚀剂步骤时也具 有优异的缺陷抑制性能的药液。并且，本发明能够提供一种药液的制造方法。 5 CN 111587404 A 说 明 书 3/34 页 附图说明 图1是表示能够实施多级过滤工序的纯化装置的典型例的示意图。
