技术摘要：
本发明公开了一种DI光刻机的LED光学系统，包括近紫外LED发光源模组、聚光镜头、光刻模组和成像镜头；近紫外LED发光源模组包括若干个近紫外LED发光源，每个近紫外LED发光源分别通过一聚光镜头与光刻模组连接，若干个近紫外LED发光源错开排列在光刻模组的两侧；光刻模组  全部
背景技术：
在晶圆制造产业和PCB制造产业领域，都需要通过光刻工艺和蚀刻工艺来完成设 计图形在晶圆或覆铜板上的生成，以实现各种不同器件或电路的功能。传统光刻工艺都需 要使用预先制作的掩模版或底片通过光刻机曝光来进行图形转移，制作掩模版或底片不仅 增加生产成本，生产周期也更长。随着曝光技术的进步，一种新型曝光技术DI或LDI(激光直 接成像)日趋成熟，该技术可以将设计图形通过计算机直接投射到待曝光的晶圆或PCB表 面，达到降低成本，缩短周期的目的。但是，目前大多数的DI光刻机使用的光源是紫外半导 体激光器，这一类紫外半导体激光器的价格昂贵，能量较低，波长单一。而近紫外LED光源具 有多个波段(近紫外LED的发光波长位于355～405nm波段范围)，价格便宜，应用方便，可用 于替代紫外半导体激光器在DI光刻机中的作用，但近紫外LED存在光功率密度低和发散角 大的问题，而防焊制程所需的光源功率较大，因此如何获得多个紫外波长、并且具备高能量 的光源已是曝光行业急需解决的问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种DI光刻机的LED光学系统，可产生光束集中、发散角 小、复合波长和高能量的光束，解决目前半导体激光器某些波段功率不足以及小型LED复合 光源能量低的问题，且其结构简单，能源消耗低，制造成本低，性能稳定。 为实现上述目的，本发明提供如下技术方案： 一种DI光刻机的LED光学系统，包括近紫外LED发光源模组、聚光镜头、光刻模组和 成像镜头，所述近紫外LED发光源模组、聚光镜头、光刻模组和成像镜头顺序连接； 所述近紫外LED发光源模组包括若干个近紫外LED发光源，每个所述近紫外LED发 光源分别通过一所述聚光镜头与光刻模组连接，若干个所述近紫外LED发光源错开排列在 所述光刻模组的两侧； 所述光刻模组包括若干个DMD光刻装置，若干个所述DMD光刻装置呈直线排列，所 述DMD光刻装置的一端与所述成像镜头连接，另一端通过所述聚光镜头与所述近紫外LED发 光源连接； 其中，所述近紫外LED发光源与DMD光刻装置所在直线与若干个所述DMD光刻装置 所在直线之间的夹角小于90度；所述近紫外LED发光源内置有若干个近紫外LED发光体。 在其中一个实施例中，所述成像镜头的轴线垂直于曝光平面。 在其中一个实施例中，所述近紫外LED发光源还包括外壳和控制接口，若干个所述 近紫外LED发光体均匀分布在所述外壳内，所述控制接口与所述近紫外LED发光体连接；所 述外壳的一侧开设有紫外光输出口，所述近紫外LED发光体和控制接口均设置在所述外壳 3 CN 111610697 A 说　明　书 2/3 页 的另一侧；所述紫外光输出口与所述聚光镜头连接。 在其中一个实施例中，所述近紫外LED发光源还包括用于与冷却装置连接的冷却 接口，所述冷却接口设置在所述控制接口一侧，并与所述近紫外LED发光体连接。 本发明的一种DI光刻机的LED光学系统，将多个近紫外LED发光体集成在一个近紫 外LED发光源中，使其具有可满足需求的高能量；将近紫外LED发光源错开排列在所述光刻 模组的两侧，使近紫外LED发光源的尺寸在可以做得足够大的同时，不影响DMD光刻装置的 正常排列。该LED光学系统的结构简单，能源消耗低，制造成本低，性能稳定性高，且其产生 的光束在具备光束集中、发散角小的优点的同时，还具有复合波长，高能量的优点，适用于 PCB板的防焊曝光工艺以及各种防焊油墨的曝光。 附图说明 图1为一个实施例中一种DI光刻机的LED光学系统的结构示意图； 图2为图1的俯视图； 图3为图1和2中近紫外LED发光源的结构示意图； 10、近紫外LED发光源模组；11、近紫外LED发光源；111、外壳；112、控制接口；113、 冷却接口；20、光刻模组；21、DMD光刻装置；30、聚光镜头；40、成像镜头；50、曝光平面。