技术摘要：
本发明适用于半导体器件制备技术领域，提供了一种SiC衬底上GaN器件或电路的梁式引线制备方法，该方法包括：在SiC衬底上生长GaN外延层，将划片道位置上对应的GaN外延层去除；在去除GaN外延层的划片道位置上沉积第一介质层，并在除划片道位置之外的区域的GaN外延层上完成 全部
背景技术：
工作频率在100GHz以上的电路中，广泛采用了带有梁式引线结构的半导体器件或 电路，梁式引线可以使系统设计更为紧凑、灵活和可靠。目前，传统GaAs器件或电路的梁式 引线制备方法较为成熟。但是与GaAs相比，GaN具有更高的禁带宽度、更高的载流子漂移速 度以及更高的击穿电场，因此更适用于高频大功率的功率放大器电路以及倍频器电路的研 制。然而，目前在SiC衬底上制备的GaN器件在分片时，采用的SiC衬底的加工方法会对金属 造成损伤，导致制备的GaN器件存在误差；采用厚光刻胶回填以及平整化工艺在GaN肖特基 二极管上制备悬空梁氏引线时，由于光刻胶价格较高导致制备悬空梁氏引线的成本较高， 且光刻胶有一定的毒性，制作过程中增加了工作人员接触危险，去胶工艺导致污染地下水。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例提供了一种SiC衬底上GaN器件或电路的梁式引线制备方 法，旨在解决现有技术中分片会对金属造成损伤、增加成本、增加接触危险以及污染环境的 问题。 为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种SiC衬底上GaN器件或电路 的梁式引线制备方法，包括： 在SiC衬底上生长GaN外延层，将划片道位置上对应的GaN外延层去除； 在去除GaN外延层的划片道位置上沉积第一介质层，并在除划片道位置之外的区 域的GaN外延层上完成芯片的正面工艺，得到第一样品； 采用激光将所述第一样品上划片道位置对应的所述SiC衬底刻蚀掉，得到芯片周 围的刻蚀槽，所述激光刻蚀所述SiC衬底对应的SiC，不刻蚀所述第一介质层对应的材料； 采用蜡将所述刻蚀槽填平，并粘附到预设托片上，在所述第一介质层上制备梁式 引线。 作为本申请另一实施例，在所述第一介质层上制备梁式引线之后，还包括： 对制备所述梁式引线后的GaN器件去除划片道位置上的所述第一介质层，去除所 述蜡，实现GaN器件分离。 作为本申请另一实施例，对制备所述梁式引线后的器件采用湿法腐蚀方式去除划 片道位置上的所述第一介质层； 采用碱性溶液或者有机溶剂去除蜡。 作为本申请另一实施例，所述将划片道位置上对应的GaN外延层去除，包括： 采用干法刻蚀将划片道位置上对应的GaN外延层去除； 所述GaN外延层包括高掺杂GaN、低掺杂GaN以及高阻GaN中的任一种或几种材料制 3 CN 111599703 A 说 明 书 2/4 页 备的GaN外延层。 作为本申请另一实施例，所述第一介质层为SiO2，所述第一介质层的厚度与GaN外 延层厚度相同。 作为本申请另一实施例，在所述在去除GaN外延层的划片道位置上沉积第一介质 层，并在除划片道位置之外的区域的GaN外延层上完成正面工艺之后，还包括： 采用机械方法进行SiC衬底背面减薄，得到预设厚度的SiC衬底； 在剩余的SiC衬底的背面电镀第一金属。 作为本申请另一实施例，所述激光的波长为355nm。 作为本申请另一实施例，所述刻蚀槽的宽度小于所述第一介质层的宽度。 作为本申请另一实施例，蜡的厚度大于所述刻蚀槽的深度，蜡覆盖SiC衬底的背 面。 作为本申请另一实施例，所述在所述第一介质层上制备梁式引线，包括： 在所述第一介质层上、所述芯片的长边的一端通过溅射工艺分别制备两个位置对 称、尺寸相同的梁式引线，所述梁式引线的一端覆盖所述芯片的边缘，另一端在所述第一介 质层范围内； 在所述梁式引线的外表面电镀第一金属。 本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：与现有技术相比，本发明通过 在SiC衬底上生长GaN外延层，将划片道位置上对应的GaN外延层去除；在去除GaN外延层的 划片道位置上沉积第一介质层，并在除划片道位置之外的区域的GaN外延层上完成芯片的 正面工艺，得到第一样品；采用激光将所述第一样品上划片道位置对应的所述SiC衬底刻蚀 掉，得到芯片周围的刻蚀槽，所述激光刻蚀所述SiC衬底对应的SiC，不刻蚀所述第一介质层 对应的材料；采用蜡将所述刻蚀槽填平，并粘附到预设托片上，在所述第一介质层上制备梁 式引线，制备工艺简单，器件一致性高，且避免了采用价格较高的光刻胶进行回填，使得降 低芯片的制备成本，且降低环境污染，降低工作人员的接触危险。 附图说明 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述 中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些 实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些 附图获得其他的附图。 图1是本发明实施例提供的SiC衬底上GaN器件或电路的梁式引线制备方法的实现 流程示意图； 图2是本发明实施例提供的划片道俯视图的示意图； 图3是本发明实施例提供的SiC衬底上GaN器件或电路的梁式引线制备过程的示意 图； 图4是本发明实施例提供的梁式引线的示例图。
