技术摘要：
本公开实施例提供一种薄膜晶体管结构及显示器件，包括：衬底；及形成于衬底之上的第一栅极层、第一栅绝缘层、第一有源层、第一源漏金属图形；第一源漏金属图形包括第一源极和第一漏极，第一源极和第一漏极在衬底上的正投影分别位于第一有源层的沟道在衬底上的正投影的 全部
背景技术：
高分辨率(8K)顶栅结构OLED产品，由于分辨率的提升，有源层(Active)图案尺寸 减小，且TFT(薄膜晶体管)为顶栅结构，有源层(Active)中的导体化部分较易向沟道区内扩 散，故薄膜晶体管的阈值电压(Vth)较难管控。为解决上述问题，在相关技术中，将有源层采 用低功率高氧成膜工艺，且降低有源层薄膜厚度，从而尽量减少有源层氧空位数、降低薄膜 致密性等，但是，这样会导致有源层薄膜膜质较差，较易产生有源层不良(Active Target Mura)，且有源层较易受CVD(化学气相沉积)干扰形成亮度不均不良，L0发亮(暗态发亮)等 不良问题。
技术实现要素：
本公开实施例提供了一种薄膜晶体管结构及显示器件，沟道区宽度变大，有效提 升TFT离子迁移率，有效改善对应的有源层不良，亮度不均，L0发亮等不良。 本公开实施例所提供的技术方案如下： 本公开实施例提供了一种薄膜晶体管结构，包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜 晶体管包括：衬底；及形成于所述衬底之上的第一栅极层、第一栅绝缘层、第一有源层、第一 源漏金属图形；其中，所述第一栅绝缘层位于所述第一栅极层和所述第一有源层之间；所述 第一源漏金属图形包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极在所述衬底上 的正投影分别位于所述第一有源层的沟道在所述衬底上的正投影的相对两端；且所述第一 有源层的沟道在所述衬底上的正投影至少部分呈曲线状，自所述第一源极所在一端至所述 第一漏极所在一端，所述第一有源层的沟道的曲线长度大于所述第一源极至所述第一漏极 之间在平行于所述衬底方向上的最短直线距离。 示例性的，所述第一有源层的沟道在所述衬底基板上的正投影均为弧形曲线状。 示例性的，所述第一有源层包括至少两条沟道，每条沟道在所述衬底上的正投影 均呈扇环形，且两条沟道结构对称，在所述衬底上的正投影组成中心具有第一中心孔的第 一闭合环形，所述第一源极和所述第一漏极分别位于所述环形的相对两侧，所述第一栅极 层包括第一栅极图形，至少部分所述第一栅极图形在所述衬底上正投影位于所述第一中心 孔在所述衬底的投影内； 或者，所述第一有源层包括一条沟道，所述第一有源层的沟道在所述衬底上的正 投影为第一扇环形，且所述第一扇环形为优弧或劣弧，所述第一栅极层包括第一栅极图形， 至少部分所述第一栅极图形在所述衬底上正投影位于所述第一扇环形的环内区域在所述 衬底的投影内； 或者，所述第一有源层包括半双沟道，所述第一有源层的沟道在所述衬底上的正 投影形状包括第一扇环形，且所述第一扇环形为优弧，且所述第一扇环形的开口两端通过 4 CN 111584641 A 说 明 书 2/8 页 直线状沟道连接，所述第一栅极层包括第一栅极图形，至少部分所述第一栅极图形在所述 衬底上正投影位于所述第一扇环形和所述直线状沟道形成的环内区域内。 示例性的，所述第一栅极层还包括第一栅极图形和第一走线图形，所述第一栅极 图形与所述第一走线图形连接，所述第一有源层包括第一区域和第二区域，所述第一走线 图形在所述衬底上的正投影与所述第一区域在所述衬底上的正投影完全重叠，所述第二区 域与在所述衬底上的正投影与所述第一走线图形在所述衬底上的正投影不重叠，所述第一 有源层在所述第二区域为导体化有源层； 所述第一源漏金属图形还包括第二信号走线，所述第一漏极与所述第二信号走线 连接。 示例性的，所述薄膜晶体管结构还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包 括： 形成于所述衬底之上的第二栅极层、第二栅绝缘层、第二有源层和第二源漏金属 图形，其中，所述第二栅绝缘层位于所述第二栅极层和所述第二有源层之间，所述第二有源 层与所述第一有源层同层且同材质设置，所述第二源漏金属图形包括第二漏极，所述第一 源极和所述第二漏极在所述衬底上的正投影分别位于所述第二有源层的沟道在所述衬底 上的正投影的相对两端，且所述第二有源层的沟道在所述衬底上的正投影呈曲线状，自所 述第一源极所在一端至所述第二漏极所在一端，所述第二有源层的沟道的曲线长度大于所 述第一源极至所述第二漏极之间在平行于所述衬底方向上的最短直线距离。 示例性的，所述第二有源层包括至少两条沟道，每条沟道在所述衬底上的正投影 均呈扇环形，且两条沟道结构对称，在所述衬底上的正投影组成中心具有第二中心孔的第 二闭合环形，所述第一源极和所述第二漏极分别位于所述环形的相对两侧，所述第二栅极 层包括第二栅极图形，至少部分所述第二栅极图形在所述衬底上正投影位于所述第二中心 孔在所述衬底的投影内； 或者，所述第二有源层包括一条沟道，所述第二有源层的沟道在所述衬底上的正 投影为第二扇环形，且所述第二扇环形为优弧或劣弧，所述第一栅极层包括第一栅极图形， 至少部分所述第一栅极图形在所述衬底上正投影位于所述第二扇环形的环内区域在所述 衬底的投影内； 或者，所述第二有源层包括半双沟道，所述第二有源层的沟道在所述衬底上的正 投影形状包括第二扇环形，且所述第二扇环形为优弧，且所述第二扇环形的开口两端通过 直线状沟道连接，所述第二栅极层包括第二栅极图形，至少部分所述第二栅极图形在所述 衬底上正投影位于所述第二扇环形和所述直线状沟道形成的环内区域内。 示例性的，所述第二栅极层还包括第二栅极图形和第三走线图形，所述第二栅极 图形与所述第三走线图形连接，所述第二有源层包括第三区域和第四区域，所述第三走线 图形在所述衬底上的正投影与所述第三区域在所述衬底上的正投影完全重叠，所述第四区 域与在所述衬底上的正投影与所述第三走线图形在所述衬底上的正投影不重叠，所述第二 有源层在所述第四区域为导体化有源层； 所述第二源漏金属图形还包括第四走线图形，所述第二漏极与所述第四走线图形 连接。 示例性的，第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为补偿薄膜 5 CN 111584641 A 说 明 书 3/8 页 晶体管；其中，所述第一走线图形为第一栅线，所述第二走线图形为第一数据线；所述第三 走线图形为第二栅线，所述第四走线图形为补偿信号线。 示例性的，所述第一栅极层与所述第二栅极层同层且同材质设置； 所述第一有源层与所述第二有源层同层且同材质设置； 所述第一源漏金属图形与所述第二源漏金属图形同层且同材质设置。 本公开实施例还提供了一种显示器件，包括如上所述的薄膜晶体管结构。 本公开实施例所带来的有益效果如下： 本公开实施例所提供的薄膜晶体管及显示器件，通过改变有源层的图形，使得有 源层的沟道为曲线状，由于沟道从源极一端向漏极一端之间的曲线长度比源极和漏极之间 的最短直线距离大，也就是说，与相关技术中的有源层的沟道均为直线状相比，可以在不改 变Active膜的情况下，使得有源层的沟道区宽度变大，从而可有效提升TFT Ion(离子迁移 率)，有效改善对应的有源层不良(Target Mura)，亮度不均，L0发亮等不良。 附图说明 图1表示本公开实施例中提供的一种实施例中薄膜晶体管结构的断面示意图； 图2表示本公开实施例中提供的一种实施例薄膜晶体管结构的俯视图； 图3表示本公开实施例中提供的另一种实施例薄膜晶体管结构的俯视图； 图4表示本公开实施例中提供的另一种实施例薄膜晶体管结构的俯视图； 图5表示本公开实施例中提供的另一种实施例薄膜晶体管结构的俯视图； 图6表示本公开实施例中提供的另一种实施例薄膜晶体管结构的俯视图； 图7表示本公开实施例中提供的另一种实施例薄膜晶体管结构的俯视图。
