技术摘要：
在绝缘基板(1)的电极(3)之上环状地形成第1定位树脂(4)。在第1定位树脂(4)的环的内侧，在电极(3)之上配置厚度比第1定位树脂(4)薄的第1板状焊料(5)。在第1板状焊料(5)之上配置半导体芯片(6)。将第1板状焊料(5)熔融而将半导体芯片(6)的下表面接合于电极(3)。
背景技术：
与工业设备、电力铁道、汽车的发展相伴，它们所使用的半导体装置的使用温度也 随之提高。近年来，积极地进行在高温下也进行工作的半导体装置的开发，半导体装置的小 型化、高耐压化、高电流密度化不断发展。特别地，SiC或GaN等宽带隙半导体比Si带隙大，期 待使用了宽带隙半导体的半导体装置的高耐压化、小型化、高电流密度化、高温工作。 就这样的半导体装置而言，使用焊料将半导体芯片接合于绝缘基板的电极。此时， 通过在半导体芯片的安装位置的周围设置阻焊剂，从而能够对熔融的焊料的润湿扩展进行 抑制(例如，参照专利文献1)。 专利文献1：日本特开2001-298033号公报
技术实现要素：
但是，就通常的阻焊剂而言，不能够进行熔融前的板状焊料的定位。因此，当前主 要使用碳制的夹具来进行半导体芯片和板状焊料的定位。但是，在生产半导体芯片的形状 及配置不同的其它品种时，需要每次制作夹具，存在生产成本变高，生产率低这样的问题。 本发明就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于，得到能够降低生产 成本，使生产率提高的半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置。 本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有如下工序：在绝缘基板的 电极之上环状地形成第1定位树脂；在所述第1定位树脂的环的内侧，在所述电极之上配置 厚度比所述第1定位树脂薄的第1板状焊料；在所述第1板状焊料之上配置半导体芯片；以及 将所述第1板状焊料熔融而将所述半导体芯片的下表面接合于所述电极。 发明的效果 在本发明中，在第1定位树脂的环的内侧，在电极之上配置厚度比第1定位树脂薄 的第1板状焊料。由此，能够以不使用专用的夹具的方式，通过第1定位树脂进行第1板状焊 料的定位。其结果，能够降低生产成本，使生产率提高。 附图说明 图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。 图2是表示实施方式1涉及的第1及第2定位树脂的俯视图。 图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。 图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖视图。 图5是表示实施方式2涉及的第1定位树脂的俯视图。 图6是表示电力转换系统的结构的框图，该电力转换系统应用了实施方式3涉及的 电力转换装置。 3 CN 111602232 A 说　明　书 2/4 页