技术摘要：
本发明公开了一种基于负性光刻胶的光学胶带及其生产工艺，属于光学胶带技术领域，包括基底、抗蚀层、负性光刻胶层和光学胶层，所述基底的表面涂覆有抗蚀层、负性光刻胶层和光学胶层，所述抗蚀层位于负性光刻胶层和光学胶层、基底之间。可直接在物体上粘接光学胶带，使  全部
背景技术：
光学胶带才采用光学胶制作，具有无色透明、光透过率在90％以上、胶结强度良 好、可在室温或中温下固化，且固化收缩小等特点。负性光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种由 感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体，光 刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用，其中 光照后形成不可溶物质的是负性胶。 专利号为CN201110420291.6提供一种基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，该 方法包括如下步骤：首先，在衬底表面涂覆光刻胶，然后进行前烘，将旋涂有负性光刻胶的 衬底进行前烘，去除负性光刻胶的溶剂；接着曝光，扩散片位于掩膜板之上，利用扩散片和 掩膜板作为掩膜对负性光刻胶进行紫外曝光；最后进行后烘和显影，曝光区域中的负性光 刻胶在后烘中交联，不溶于显影液，得到具有特定的截面结构；扩散片和掩膜板一起作为掩 膜参与光刻胶的曝光。采用扩散片结合负性光刻胶的光刻工艺，利用扩散片将光源由线性 光转变为漫散射光，并结合负性光刻胶的成像特性，制备出传统光刻法无法实现的三维微 结构图形。本发明可利用单次光刻可得到圆弧形，双圆弧形等复杂截面图形结构。但是光刻 胶的使用目前均是通过在物体表面涂覆光刻胶，再进行烘干、曝光等工艺制作，光刻胶在物 体表面易坍塌，当光刻胶路越高，其厚度受限则越低，且获得光刻胶成像特性的物体需要经 过繁杂的工序，不能够立即获得。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种基于负性光刻胶的光学胶带及其生产工艺，可直接在 物体上粘接光学胶带，使得物体的表面直接具有负性光刻胶的成像特性，且物体表面的负 性光刻胶层受基底覆盖防护，两侧受光学胶层支撑，不会产生胶路因过厚导致坍塌，以解决 上述