技术摘要：
本发明提供一种LED及其制备方法，包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底上依次沉积有二氧化硅薄膜、镍铂合金薄膜、多层石墨烯薄膜、氮化镓缓冲层、n型氮化镓薄膜、InGaN/GaN多量子阱层、p型氮化镓薄膜，所述p型氮化镓薄膜和n型氮化镓薄膜上设有金属电极，本发明提供了一种成  全部
背景技术：
发光二极管(LED)由于具有光效高、体积小、寿命长等特点，被广泛应用于照明显 示领域，引领着新的照明革命。其中，基于GaN、InGaN及AlGaN等III族氮化物的LED器件对 LED的发展和白光LED通用照明技术的应用起着至关重要的作用。 目前，商业化的GaN基LED大多是在单晶蓝宝石晶片上用MOCVD方法制备的，它们具 有很高的热稳定性和化学稳定性。然而，由于蓝宝石作为GaN外延衬底存在面积小、成本高、 难度大等问题，使得GaN基LED的应用受到限制。为了克服这些困难、拓展GaN基LED的应用领 域，需要开发一种在替代衬底上制备高质量LED的技术。 与蓝宝石衬底相比，单晶硅衬底具有大面积、低成本及较好的导热性等特点，是一 种重要的GaN基LED候选衬底。但硅与GaN的晶格常数和热膨胀系数相差较大，使得直接在单 晶硅衬底上沉积的GaN薄膜质量很差。同时，由于GaN薄膜的制备通常采用MOCVD方法，需要 很高的沉积温度，在制备过程中容易由于应力过大而使得薄膜龟裂，成品率低。因此，需要 开发具有新型结构的LED器件并采用低生长温度及低成本的LED制备方法。
技术实现要素：
(一)解决的技术问题 针对现有技术的不足，本发明提供了一种成本低的LED及其制备方法，解决了上述