技术摘要：
本发明提供一种处理装置和处理方法，是能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间，  全部
背景技术：
已知如下一种技术：在通过ALD法进行氮化膜的成膜时，在各循环中，在吸附成膜 原料的步骤与使该成膜原料氮化的步骤之间进行在处理容器内生成氢自由基来进行氢自 由基吹扫的步骤(例如参照专利文献1)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2018-11009号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题 本公开提供一种能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。 用于解决问题的方案 基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机 构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等 离子体生成空间，并且供给氢气；以及第二气体供给部，其设置于所述处理容器内，并且供 给氢气。 发明的效果 根据本公开，能够增加基板处理区域中的氢自由基的量。 附图说明 图1是表示一个实施方式的处理装置的结构例的图。 图2是用于说明图1的处理装置的处理容器和等离子体生成机构的图。 图3是表示一个实施方式的SiN膜的形成方法的一例的流程图。 图4是表示一个实施方式的SiN膜的形成方法的其它例的流程图。 图5是表示氢自由基处理的时间与膜应力的关系的图。 图6是表示进行氢自由基处理时的晶圆位置与湿蚀刻速度的关系的图。