技术摘要：
本申请提出了一种微型发光二极管及其制作方法，该制作方法包括在第一衬底上形成间隔设置的由LED发光单元构成的第一单体、及由无机单体与LED发光单体的组合单体，并通过无机单体与LED发光单体剧透不同的带隙宽度的原理从第一衬底转移至第二衬底上，完成该微型发光二极管  全部
背景技术：
微发光二极管(Micro  LED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵 列。作为新兴显示技术，微发光二极管显示相较于LCD、OLED显示有较多优势，如较低的功 耗，较高的色域，较快的相应速率等，但其技术难度大于LCD或OLED。目前，微发光二极管技 术正开始发展，工业界正期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极 管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。 在制造微发光二极管的过程中，首先在施主晶圆上形成微发光二极管，接着将微 发光二极管转移到接受衬底上，接受衬底例如是显示屏；而由于需要把巨量的微发光二极 管从母版转移到目标显示基板。而此转移方法工作量较大，且转移分散效率低。 本发明基于此技术问题，提出了下列技术方案。
技术实现要素：
本申请提供一种微型发光二极管及其制作方法，以解决现有微型发光二极管转移 分散效率低的技术问题。 为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下： 本申请提供一种微型发光二极管的制作方法，其包括： 在第一衬底上形成一第一无机层，经第一次图案化处理形成多个无机单体； 在所述第一衬底上形成一发光层，经第二次图案化处理形成多个间隔设置的第一 单体和第二单体； 将所述第一衬底与所述第二衬底的第一区域相对设置，利用第一激光使所述第一 单体与所述第一衬底分离，并形成于所述第二衬底的第一区域上； 将所述第一衬底与所述第二衬底的第二区域相对设置，利用第二激光使所述第二 单体与所述第一衬底分离，并形成于所述第二衬底的第二区域上。 在本申请的制作方法中， 在第一衬底上形成一第一无机层，经第一次图案化处理形成多个无机单体的步骤 包括： 在第一衬底上形成一无机薄膜层； 在所述无机薄膜层上涂覆第一光阻层； 利用第一掩膜版对所述第一光阻层及无机薄膜层进行曝光、显影及蚀刻处理，使 所述无机层薄膜形成多个呈阵列分布的无机单体； 剥离所述第一光阻层； 在本申请的制作方法中，所述第一无机薄膜层的材料包括硅。 在本申请的制作方法中， 4 CN 111613699 A 说　明　书 2/6 页 在所述第一衬底上形成一发光层，经第二次图案化处理形成多个间隔设置的第一 单体和第二单体的步骤包括： 利用金属有机化合物化学气相沉淀在所述第一衬底上形成一LED发光薄膜层； 在所述LED发光薄膜层上涂覆第二光阻层； 利用第二掩膜版对所述第二光阻层及所述LED发光薄膜层进行曝光、显影及蚀刻 处理，使所述LED发光薄膜层形成多个发光单体； 剥离所述第二光阻层； 其中，所述第一单体包括所述无机单体以及所述发光单体，所述第二单体包括所 述发光单体。 在本申请的制作方法中，相邻两个所述无机单体的间距为相邻两个所述发光单体 的间距的二分之一。 在本申请的制作方法中， 所述第一激光的波长小于所述第二激光的波长。 在本申请的制作方法中， 位于所述第二衬底上相邻所述第一单体与所述第二单体的间距与位于所述第一 衬底上的相邻两个所述无机单体的间距相等。 在本申请的制作方法中， 所述微型发光二极管的制作方法还包括： 利用剥离工艺将位于所述发光单体上的所述无机单体剥离。 在本申请的制作方法中， 所述第一衬底及所述第二衬底的材料包括蓝宝石。 本申请还提出了一种微型发光二极管，其中，所述微型发光二极管利用上述微型 发光二极管的制作方法制备。 有益效果：本申请提出了一种微型发光二极管及其制作方法，该制作方法包括在 第一衬底上形成间隔设置的由LED发光单元构成的第一单体、及由无机单体与LED发光单体 的组合单体，并通过无机单体与LED发光单体剧透不同的带隙宽度的原理从第一衬底转移 至第二衬底上，完成该微型发光二极管的转移。本申请通过利用不同波长的镭射激光使得 LED发光单体从第一衬底转移至第二衬底上，减小了工作量，提高了转移分散率。 附图说明 下面结合附图，通过对本申请的