技术摘要：
本申请实施例提供一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置，导电膜层制备方法首先提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面，在所述第一面形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第一面，所述第二金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层  全部
背景技术：
面板行业中，SD是信号传输的通道，一般采用TI/Al/Ti三层架构，其中下层Ti与 Poly-Si相接因为Ti的势垒比较低可以形成很好的欧姆接触。中间Al为SD主体，Al的导电性 比较好，信号可以快速传输，上层Ti一方面可以起到保护主体Al的作用减少氧化，另一方面 Ti可以阻止Al在加热时出现凸起导致搭接异常的问题。随着手机性能的不断提升，需求SD 越来越小的阻抗，增加SD层Al的厚度是目前的主要方式。SD是三层金属在同一道制程中依 次成膜形成，由于Ti/蚀刻速度慢于Al，因此SD会形成侧向蚀刻，由于光的折射在点灯时出 现黑阶条纹。
技术实现要素：
本申请实施例提供一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置，能够避免出现 黑阶条纹。 本申请实施例提供一种导电膜层的制备方法，包括： 提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面； 在所述第一面形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第一面， 所述第二金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一面； 在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属层，所述第三金属覆盖所述 第二金属层边缘并与所述第一金属层接触。 在一些实施例中，所述在所述第一面形成第一金属层和第二金属层之后，包括： 对所述第一金属层和第二金属层进行蚀刻。 在一些实施例中，所述在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属层之 后，包括： 对所述第三金属层进行蚀刻。 在一些实施例中，所述对所述第三金属层进行蚀刻之后，包括： 在所述第三金属层远离所述基板的一侧设置遮光层，所述遮光层遮挡住所述第二 金属层两侧的反射光。 在一些实施例中，所述第一金属层和第三金属层采用的材料为钛，所述第二金属 层采用的材料为铝。 在一些实施例中，所述第二金属层的厚度为4500A至5500A。 本申请实施例还提供一种导电膜层，包括： 第一金属层，具有相对设置的第一面和第二面； 第二金属层，设置在所述第一面； 3 CN 111613629 A 说　明　书 2/4 页 第三金属层，设置在所述第二金属层远离所述第一金属层的一面，且所述第三金 属覆盖所述第二金属层边缘并与所述第一金属层接触。 在一些实施例中，所述第一金属层和第三金属层采用的材料为钛，所述第二金属 层采用的材料为铝。 在一些实施例中，所述第二金属层的厚度为4500A至5500A。 本申请实施例提供一种显示装置，包括以上所述的导电膜层。 本申请实施例所提供的导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置，导电膜层制备 方法首先提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面，在所述第一面形成第一 金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第一面，所述第二金属层位于所述第二金 属层远离所述第一金属层的一面，在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属 层，所述第三金属覆盖所述第二金属层边缘并与所述第一金属层接触。本申请通过第一金 属层可以将中间层的第二金属层完全包裹，避免有光的折射，从而根本上解决第二金属层 的侧向蚀刻引起的黑阶条纹。 附图说明 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于 本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附 图。 图1为本申请实施例提供的导电膜层制备方法流程示意图。 图2为本申请实施例提供的导电膜层制备方法场景示意图。 图3为本申请实施例提供的导电膜层的结构示意图。 图4为本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。