技术摘要：
一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：提供晶圆；清洗所述晶圆表面，清洗后的所述晶圆表面呈正电性，晶圆表面残留物具有负电性；调节所述晶圆表面电性或所述残留物的电性，使所述晶圆表面和所述残留物的呈相同电性；对所述晶圆表面进行干燥，去除所述残留物。根据同性相  全部
背景技术：
目前在半导体器件的的制造工艺中，经常会在具有叠层结构的半导体器件表面上 形成凸凹不平的结构，通常使用化学机械研磨(CMP)工艺平整凸凹不平的表面。 化学机械研磨亦称为化学机械抛光，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平 坦化的技术。化学机械研磨工艺中，一般是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的 压力，使用含有抛光颗粒(例如SiO2颗粒)的研磨液(slurry)，在化学腐蚀与磨削移除的交 互作用下进行平坦化。 在化学机械研磨工艺之后，研磨液中的颗粒成为缺陷微粒存在于晶圆表面，因此 必须从晶圆表面完全除去才能保持半导体器件的可靠性和生产线的清洁度。 鉴于此，实有必要提出一种晶圆的清洗方法，以提升清洗效果，从而提高产品的良 率。
技术实现要素：
本发明解决的技术问题是提供一种晶圆的清洗方法，以提升清洗效果，提高产品 良率。 为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：提供晶 圆；清洗所述晶圆表面，清洗后的所述晶圆表面呈正电性，晶圆表面残留物具有负电性；调 节所述晶圆表面电性或所述残留物的电性，使所述晶圆表面和所述残留物呈相同电性；对 所述晶圆表面进行干燥，去除所述残留物。 可选的，所述晶圆表面包括SiN层或金属Cu层。 可选的，在清洗所述晶圆表面之前，还包括：对所述晶圆进行化学机械研磨，所述 化学机械研磨所使用的研磨液中含有SiO2或Al2O3颗粒。 可选的，清洗所述晶圆表面包括：先采用清洗剂和去离子水的混合溶液清洗所述 晶圆表面；然后，用去离子水清洗所述晶圆表面。 可选的，所述清洗剂为碱性溶液，pH值为9～13。 可选的，所述碱性溶液是二甲基乙醇胺溶液，或者是氢氧化四甲胺和乙醇胺的混 合溶液。 可选的，调节所述晶圆表面电性的方法为：采用碱性溶液润湿所述晶圆表面，使晶 圆表面呈负电性。 可选的，所述碱性溶液的pH值为9～13。 可选的，所述碱性溶液是二甲基乙醇胺溶液，或者是氢氧化四甲胺和乙醇胺的混 合溶液。 可选的，调节所述残留物的电性的方法为：对所述残留物进行表面修饰，使所述残 3 CN 111584340 A 说　明　书 2/7 页 留物呈正电性。 可选的，所述干燥采用IPA干燥工艺。 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：在清洗所述晶圆表面之后，通 过调节所述晶圆表面电性或所述残留物的电性，使所述晶圆表面和所述残留物的呈相同电 性。根据同性相斥的原理，原本粘附于所述晶圆表面的残留物离开所述晶圆表面，悬浮于所 述晶圆表面的液膜中；在后续的干燥过程中，悬浮在液膜中的残留物，会随着液膜一起被去 除，提高了产品良率。 附图说明 图1是对晶圆表面进行干燥的示意图； 图2至图11是本发明实施例晶圆清洗过程中各步骤的示意图。