技术摘要：
本发明提供了一种多层石墨烯的制备方法，包括以下步骤：(a)升温步骤，将盒状的金属衬底加热，高温去除表面氧化层；(b)生长步骤，在生长室中通入甲烷和氢气，甲烷在高温下以铜为催化剂进行裂解生成活性炭原理，沉积在衬底的内外表面，开始石墨烯生长；(c)刻蚀步骤，生长  全部
背景技术：
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维 碳纳米材料，其机械、热学、光学和电学性能良好，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药 物传递等方面具有重要的应用前景。多层石墨烯是指在10层以内的石墨烯，应用在导电、导 热、润滑、高分子等多个领域。 目前石墨烯的制备方法有多种，主要包括：机械剥离法、SiC外延生长法、氧化还原 法以及化学气相沉积法(CVD)。其中CVD方法实现简单，被广泛应用在石墨烯的制备当中。但 是CVD方法生长的石墨烯只能生长出大部分单层的石墨烯，无法实现可控地生长多层石墨 烯。
技术实现要素：
鉴于现有技术中所存在的问题，本发明提供了一种多层石墨烯的制备方法，采用 的技术方案是，包括以下步骤： (a)升温步骤，将盒状的金属衬底加热，高温去除表面氧化层； (b)生长步骤，在生长室中通入甲烷和氢气，甲烷在高温下以铜为催化剂进行裂解生成 活性炭原子，沉积在衬底的内外表面，开始石墨烯生长； (c)刻蚀步骤，生长一段时间后，通过等离子设备对衬底的外表面进行等离子刻蚀，移 除外表面已经生长的石墨烯； (d)重复生长步骤，重复(b)和(c)步骤，实现多层石墨烯的连续生长。 作为本发明的一种优选技术方案，所述衬底采用铜箔。 作为本发明的一种优选技术方案，在衬底升温前，进行过硫酸铵溶液浸泡处理，然 后用酒精冲洗后擦干。 作为本发明的一种优选技术方案，所述生长室采用带有石英管的高温管式炉。 作为本发明的一种优选技术方案，在生长结束后快速降低温度至室温，获得多层 石墨烯样品。 本发明的有益效果：本发明中，碳原子高温下在金属中的扩散效应提供碳源，利用 等离子体金属隔绝效应，由于等离子体在金属表面会迅速复合并消失，因此等离子气体可 以被金属阻隔，这样能够实现对盒状衬底的外表面进行刻蚀，而对内部不产生影响，从而实 现内表面可控生长的状态，实现多层石墨烯的制备。 附图说明 图1为本发明多层石墨烯的生长流程图； 图2为衬底内表面的拉曼表征图； 3 CN 111591980 A 说　明　书 2/2 页 图3为衬底外表面的拉曼表征图。