技术摘要：
本发明提供一种显示面板的制作方法，该方法包括：在衬底基板上依次制作半导体层、栅绝缘层、第一金属层以及光阻部；所述半导体层的材料为金属氧化物；通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处理，以形成栅极并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露  全部
背景技术：
】 目前普遍通过离子轰击的方法使金属氧化物半导体层导体化，对于栅极设于半导 体层上的结构，由于在制作过程中需要在栅极上制作光阻层，然后采用图案化的光阻层对 栅极进行蚀刻，再对栅绝缘层进行蚀刻，之后对半导体层进行导体化，然而由于对半导体层 进行导体化的过程中，光阻层并未剥离，因此容易使得光阻层发生硬化，导致后续光阻层难 以剥离；如果采用O2对光阻层进行灰化处理(Ash)去硬化，又会导致半导体层的导电性能降 低。 【
技术实现要素：
】 本发明的目的在于提供一种显示面板的制作方法，能够去除硬化的光阻层的同时 提高半导体层的导电性能。 为解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板的制作方法，包括： 在衬底基板上依次制作半导体层、栅绝缘层、第一金属层以及光阻部；所述半导体 层的材料为金属氧化物； 通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处理，以形成栅极 并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露在外； 对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理，形成连接部以及在对所述裸露在外 的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部的外表面硬化，得到基底； 采用预设气体对所述基底进行处理，以将硬化的光阻部去除；所述预设气体为含 氟元素的特殊气体； 将剩余的光阻部去除，以将所述栅极裸露在外。 本发明的显示面板的制作方法，包括在衬底基板上依次制作半导体层、栅绝缘层、 第一金属层以及光阻部；通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处 理，以形成栅极并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露在外；对所述裸露在外的半导 体层进行导体化处理，形成连接部以及在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同 时使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；采用预设气体对所述基底进行处理，以将硬化的 光阻部去除；将剩余的光阻部去除，以将栅极裸露在外；由于采用采用预设气体将硬化的光 阻部去除，避免半导体层与氧气接触，从而在去除硬化的光阻层的同时提高半导体层的导 电性能。 【附图说明】 图1为现有显示面板的制作方法的结构示意图； 图2为本发明实施例一的显示面板的制作方法的第一步至第四步的结构示意图； 3 CN 111584506 A 说　明　书 2/5 页 图3为本发明实施例一的显示面板的制作方法的第五步的结构示意图； 图4为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第一步的结构示意图； 图5为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第二步的结构示意图； 图6为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第三步的结构示意图； 图7为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第四步的结构示意图； 图8为本发明实施例二的显示面板的制作方法中第五步和第六步的结构示意图； 图9为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第七步的结构示意图； 图10为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第八步的结构示意图； 图11为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第九步的结构示意图； 图12为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第十步的结构示意图； 图13为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第十一步中第一分步的结构示 意图； 图14为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第十一步中第二分步的结构示 意图； 图15为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第十二步的结构示意图。 【