技术摘要：
本公开实施例公开了一种存储器的制作方法及存储器，所述方法包括：在衬底的第一表面的第一堆叠结构中形成支撑柱；其中，所述第一堆叠结构用于形成存储结构；对所述衬底的第二表面进行离子注入，以在所述第二表面形成保护层；其中，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一  全部
背景技术：
随着对存储器存储密度需求的增加，三维结构的存储器应运而生。通过在衬底上 沿着垂直于衬底的方向层叠设置多个栅叠层结构、并形成贯穿栅叠层结构的导电沟道，以 形成三维结构存储器，能在较小的面积上形成更多的存储单元，提高存储密度，降低每比特 的存储成本。 当栅叠层结构的层数逐渐增加，形成导电沟道的难度也会增加。对于较高层数的 栅叠层结构，则采用先后制作多个层数较少的子叠层结构、在各个子叠层结构中形成依次 对准的子沟道的方式来实现。然而，上述方式形成的存储器良率较低。
技术实现要素：
有鉴于此，本公开实施例提供一种存储制作方法及存储器。 根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器的制作方法，包括： 在衬底的第一表面形成支撑柱；其中，所述第一堆叠结构用于形成存储结构； 对所述衬底的第二表面进行离子注入，以在所述第二表面形成保护层；其中，所述 衬底的第二表面与所述衬底的第一表面为所述衬底相反的表面； 利用刻蚀剂去除所述支撑柱；其中，所述刻蚀剂与所述保护层之间的化学反应为 惰性反应。 在一些实施例中，所述对所述衬底的第二表面进行离子注入，以在所述第二表面 形成保护层，包括： 向所述第二表面注入第一离子，注入所述第二表面的第一离子与所述衬底的组成 粒子发生反应，生成构成所述保护层的第一产物。 在一些实施例中，所述方法还包括：在所述第一表面形成第一堆叠结构；形成贯穿 所述第一堆叠结构的第一通孔； 所述在衬底的第一表面形成支撑柱，包括：在所述第一通孔中形成所述支撑柱； 所述方法还包括： 在形成所述支撑柱后，在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构；其中，所述支撑 柱用于阻挡所述第二堆叠结构的组成材料进入所述第一通孔； 形成贯穿所述第二堆叠结构的第二通孔，直至显露位于所述第一通孔中的所述支 撑柱。 在一些实施例中，所述利用刻蚀剂去除所述支撑柱，包括： 通过所述第二通孔向所述第一通孔中注入所述刻蚀剂，以去除位于所述第一通孔 中的所述支撑柱。 在一些实施例中，所述方法还包括： 4 CN 111584497 A 说　明　书 2/7 页 去除所述支撑柱后，向所述第一通孔填充导电材料形成第一沟道，并向所述第二 通孔填充导电材料形成第二沟道。 在一些实施例中，所述刻蚀剂包括：四甲基氢氧化氨TMAH； 所述第一离子包括：碳离子； 所述第二表面的组成粒子包括：硅粒子； 所述第一产物包括：碳化硅。 根据本公开实施例的第二方面，提供一种存储器，包括： 衬底； 存储结构，位于所述衬底的第一表面； 保护层，位于所述衬底的第二表面；其中，所述保护层，通过对所述第二表面进行 离子注入以在所述第二表面形成的；所述第一表面与所述第二表面为所述衬底相反的表 面。 在一些实施例中，所述保护层包括： 第一产物；其中，所述第一产物，通过向所述第二表面进行离子注入时，注入所述 第二表面的第一离子与所述衬底的组成粒子发生反应生成。 在一些实施例中，所述第一离子包括：碳离子； 所述第二表面的组成粒子包括：硅粒子； 所述第一产物包括：碳化硅。 在一些实施例中，所述存储结构包括： 第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；其中，所述第一栅叠层结构位于所述第二栅 叠层结构和所述第一表面之间； 导电沟道，包括：第一沟道，与所述第一沟道连接的第二沟道；其中，所述第一沟 道，贯穿所述第一栅叠层结构；所述第二沟道，贯穿所述第二栅叠层结构。 本公开实施例中，通过对衬底的第二表面进行离子注入，以在第二表面形成保护 层，该保护层与去除支撑柱的刻蚀剂之间的化学反应为惰性反应，如此，可在利用刻蚀剂去 除支撑柱的过程中，通过该保护层对衬底的第二表面进行保护，保证衬底第二表面具有较 好的平整度，有利于保证后续工艺过程中的对准精度，减少了对准精度差导致的报废率或 不良率，进而提高产品良率。 附图说明 图1是根据一示例性实施例示出的一种存储器的制作方法的流程示意图； 图2是根据一示例性实施例示出的形成阻挡层后的存储器局部示意图； 图3是根据一示例性实施例示出的一种存储器的示意图； 图4是根据一示例性实施例示出的另一种存储器的示意图。