技术摘要：
本申请提供一种存储器及其操作方法。包括正常字线和冗余字线的存储器的操作方法可以包括：将行冗余信息和标志信号与激活命令和行地址一起接收；以及通过根据标志信号的逻辑电平而对行冗余信息进行解码来激活冗余字线中的一个。
背景技术：
在半导体存储器工业的早期，在经过半导体制造工艺的存储芯片中的晶圆上分布 有不带故障存储单元的多个原始优质裸片。然而，随着存储器的容量逐渐增大，已经变得难 以制造不带故障存储单元的存储器。当前，似乎不可能制造这种存储器。作为解决这种问题 的一种方式，修复方法用于在存储器内提供冗余存储单元以及用冗余存储单元替换故障单 元。 通常，当存储器的晶圆制造过程完成时，执行测试以确定存储单元是否正常。在测 试之后，通过修复操作，用在晶圆状态下进行修复的存储单元替换故障存储单元。这是在晶 圆状态下执行修复的正常修复。存在在存储器被封装之后执行的封装后修复(PPR)。通过使 用封装后修复技术，可以修复在封装之后在晶圆状态下未被发现但在用户使用存储器件时 出现的故障存储单元。 封装后修复(PPR)包括硬封装后修复(Hard  PPR)和软封装后修复(Soft  PPR)。硬 封装后修复(Hard  PPR)表示其中仅通过一次修复即可永久保持修复效果的封装后修复。软 封装后修复(Soft  PPR)表示暂时封装后修复，其中，除非向存储器供电，否则修复效果会消 失。例如，当执行硬修复操作以便用冗余存储单元Y替换特定的存储单元X时，该存储单元X 被冗余存储单元Y永久地替换，但是，当执行软修复操作以便用冗余存储单元Y代替特定的 存储单元X时，每当向存储器件重新供电时就需要执行对存储单元X的修复操作。 在相关技术领域中，在硬封装后修复和软封装后修复中，由于熔丝的数量和锁存 器的数量的限制，可以被修复的存储单元的数量也受到限制。此外，需要执行复杂的程序， 诸如，进入后封装修复模式以输入修复地址以及从后封装修复模式退出。
技术实现要素：
各个实施例针对一种技术，该技术能够容易地访问冗余字线而无限制。 在一个实施例中，包括正常字线和冗余字线的存储器的操作方法可以包括：将行 冗余信息和标志信号与激活命令和行地址一起接收；以及通过根据标志信号的逻辑电平而 对行冗余信息进行解码来激活所述冗余字线中的一个。 在另一个实施例中，存储器可以包括：正常字线；冗余字线；冗余解码器，其被配置 为当存储器确定访问冗余字线时，通过对经由数据焊盘接收的行冗余信息进行解码来激活 冗余字线中的一个；以及正常解码器，其被配置为当存储器确定访问正常字线时，通过对地 4 CN 111599392 A 说　明　书 2/4 页 址进行解码来激活正常字线中的一个。 在另一个实施例中，存储系统可以包括：存储器；以及存储器控制器，其被配置为 将行冗余信息与行激活命令和行地址一起传送到存储器。 根据实施例，可以容易地访问存储器的冗余字线而不受限制。 附图说明 图1是示出根据本发明的一实施例的存储系统的框图。 图2是用于描述图1所示的存储系统的操作方法的流程图。