技术摘要：
本发明公开一种玻璃基板上的非挥发性存储器，其中该非挥发性存储器包括：一玻璃基板；一第一多晶硅层，位于该玻璃基板上，其中该第一多晶硅层包括一第一源/漏极、一通道区域与一第二源/漏极，且该通道区域位于该第一源/漏极与该第二源/漏极之间；一第二多晶硅层，位于  全部
背景技术：
由于显示面板的制造技术日新月异，现今的显示面板制作工艺技术已经可在玻璃 基板(glass  substrate)上制作出触控感测元件(touch  sensor)、指纹感测元件 (fingerprint  sensor)等等。因此，显示面板除了可以作为显示荧幕外，还可以整合触控功 能以及指纹识别功能。 众所周知，任何半导体电路在运作过程中都需要存储器来永久性地或者暂时性地 存储数据。而利用显示面板制作工艺技术在玻璃机板上制造出非挥发性存储器即为本发明 所欲达成的目的。
技术实现要素：
本发明提供一种非挥发性存储器，包括：一玻璃基板；一第一多晶硅层，位于该玻 璃基板上，其中该第一多晶硅层包括一第一源/漏极、一通道区域与一第二源/漏极，且该通 道区域位于该第一源/漏极与该第二源/漏极之间；一第二多晶硅层，位于该玻璃基板上该 通道区域的侧边，并作为一浮动栅极；一介电层，覆盖该第一多晶硅层与该第二多晶硅层； 一耦合栅极，形成于该第二多晶硅层上方的该介电层上；以及一选择栅极，形成于该通道区 域上方的该介电层上；其中，该第一源/漏极连接至一源极线、该第二源/漏极连接至一位 线、该耦合栅极连接至一控制线、该选择栅极连接至一字符线。 本发明提供一种非挥发性存储器，包括：一玻璃基板；一第一多晶硅层，位于该玻 璃基板上，其中该第一多晶硅层包括一第一源/漏极、一第一通道区域、一第二源/漏极、一 第二通道区域与一第三源/漏极，该第一通道区域位于该第一源/漏极与该第二源/漏极之 间，且该第二通道区域位于该第二源/漏极与该第三源/漏极之间；一第二多晶硅层，位于该 玻璃基板上该第一通道区域的侧边，并作为一浮动栅极；一介电层，覆盖该第一多晶硅层与 该第二多晶硅层；以及一选择栅极，形成于该第二通道区域上方的该介电层上；其中，该第 一源/漏极连接至一源极线、该第三源/漏极连接至一位线、该选择栅极连接至一字符线。 本发明提供一种非挥发性存储器，包括：一玻璃基板；一第一多晶硅层，位于该玻 璃基板上，其中该第一多晶硅层包括一第一源/漏极、一通道区域与一第二源/漏极，且该通 道区域位于该第一源/漏极与该第二源/漏极之间；一介电层，覆盖该第一多晶硅层；一第一 反熔丝栅极，形成于该第一源/漏极上方的该介电层上；以及一选择栅极，形成于该通道区 域上方的该介电层上；其中，该第一反熔丝栅极连接至一第一反熔丝控制线、该第二源/漏 极连接至一位线、该选择栅极连接至一字符线。 本发明提供一种非挥发性存储器，包括：一玻璃基板；一第一多晶硅层，位于该玻 璃基板上，其中该第一多晶硅层包括一第一源/漏极、一第一通道区域、一第二源/漏极、一 5 CN 111554684 A 说　明　书 2/10 页 第二通道区域与一第三源/漏极，该第一通道区域位于该第一源/漏极与该第二源/漏极之 间，且该第二通道区域位于该第二源/漏极与该第三源/漏极之间；一介电层，覆盖该第一多 晶硅层；一选择栅极，形成于该第二通道区域上方的该介电层上；一跟随栅极，形成于该第 一通道区域上方的该介电层上；以及一反熔丝栅极，形成于该第一源/漏极上方的该介电层 上；其中，该反熔丝栅极连接至一反熔丝控制线、该第三源/漏极连接至一位线、该选择栅极 连接至一字符线、该跟随栅极连接至一跟随线。 本发明提供一种非挥发性存储器，包括：一玻璃基板；一第一多晶硅层，位于该玻 璃基板上，其中该第一多晶硅层包括一第一源/漏极与一通道区域；一介电层，覆盖该第一 多晶硅层，其中该通道区域上方的该介电层区分为一第一部分介电层与一第二部分介电 层，该第一部分介电层的厚度小于该第二部分介电层的厚度；以及一选择栅极，形成于该通 道区域上方的该介电层上，且覆盖于该第一部分介电层与该第二部分介电层；其中，该第一 源/漏极连接至一位线、该选择栅极连接至一字符线。 为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所 附的附图，作详细说明如下： 附图说明 图1A至图1C为本发明第一实施例非挥发性存储器的制作流程的示意图； 图2A至图2E为第一实施例非挥发性存储器进行编程动作、抹除动作、读取动作时 的偏压与运作示意图； 图3A至图3C为本发明非挥发性存储器的第二实施例的制作流程的示意图； 图4A至图4D为第二实施例非挥发性存储器进行编程动作、读取动作时的偏压与运 作示意图； 图5A至图5C为本发明非挥发性存储器的第三实施例的制作流程与等效电路的示 意图； 图6A至图6D为第三实施例非挥发性存储器进行编程动作、读取动作时的偏压与运 作示意图； 图7A与图7B为本发明非挥发性存储器的第四实施例与等效电路的示意图； 图8A至图8C为本发明非挥发性存储器的第五实施例的制作流程与等效电路的示 意图； 图9A至图9D为第五实施例非挥发性存储器进行编程动作、读取动作时的偏压与运 作示意图； 图10A至图10D为本发明非挥发性存储器的第六实施例的制作流程与等效电路的 示意图； 图11A至图11D为第六实施例非挥发性存储器进行编程动作、读取动作时的偏压与 运作示意图。 符号说明 100、200、300、400、500、600：玻璃基板 110、210：浮动栅极 112、212、312、412、512、612、612a、612b：介电层 6 CN 111554684 A 说　明　书 3/10 页 116：耦合栅极 120、220、310、510、610：多晶硅层 120a、120c、220a、220c、220e、310a、310c、410a、410c：源/漏极 510a、510c、510e、610b：源/漏极 120b、220b、220d、310b、410b、510b、510d、610a：通道区域 126、226、316、416、518、614：选择栅极 314、414、418、514：反熔丝栅极 516：跟随栅极