技术摘要：
本发明提供的一种SMD‑1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制二极管，包括绝缘座；绝缘座内安装有芯片,芯片的两端面分别固结有一个电极片，两个电极片分别与第一引脚和第二引脚连接，所述第一引脚封闭在绝缘座的下端，绝缘座的上端通过盖板封闭。通过使用钼铜材料作为电极片  全部
背景技术：
瞬态电压抑制二极管在电路中的用量较大，少则几只，多的达几十甚至上百只，如 此多的用量势必占据电路版大量的空间，不利于产品的集成化、小形化；峰值脉冲功率15KW 及以下的瞬态电压抑制二极管，需要使用热沉提高吸收脉冲功率的能力，传统在峰值脉冲 功率15KW及以下的瞬态电压抑制二极管通常使用金属轴向封装，占用空间大，不利于电路 板线路的设计。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本发明提供了一种SMD-1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制 二极管。 本发明通过以下技术方案得以实现。 本发明提供的一种SMD-1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制二极管，包括绝缘座； 绝缘座内安装有芯片,芯片的两端面分别固结有一个电极片，两个电极片分别与第一引脚 和第二引脚连接，所述第一引脚封闭在绝缘座的下端，绝缘座的上端通过盖板封闭。 本发明的芯片焊盘尺寸最大为8.5mm×8.5mm，还需要保证产品的间隙距离，所以 将芯片设计尺寸最大为8mm×8mm。在此面积上，使用常用的铜热沉可以实现研制指标，但由 于铜(热膨胀系数18×10-6/℃、热传导系数380w/m.k)与硅(热膨胀系数3.5×10-6/℃)相 差较大，不能满足产品温度循环(-55℃～150℃，500次)要求；使用钼则峰值脉冲功率远远 不足15KW。为了平衡峰值脉冲功率15KW和热匹配性要求，使用了铜钼铜(膨胀系数7.8×10- 6/℃，热传导系数240w/m.k)材料作为瞬态电压抑制二极管热沉，并在产品芯片两面都使用 热沉，以提高热吸收能力。由于铜钼铜为冲压成型，表面不是非常平整，不能采用传统的锲 形键合方式，设计了梁式引线，采用钎焊进行连接。 所述芯片下端面的电极片直接与芯片固结，芯片上端面处的电极片通过引线与第 二引脚连接。 所述引线为桥梁式引线。 所述引线包括第一连接片、连接桥、第二连连接片，第一连接片固定与芯片连接， 第二连连接片通过导线与第二引脚连接，第一连接片和第二连连接片之间通过连接桥连 接。 所述连接桥顶端为平面且其高度大于第一连接片或第二连连接片的高度。 所述导线为若干等间距且相互平行的铜柱，其沿第二连连接片的长度方向依次连 接在第二连连接片和第二引脚之间。 所述第二引脚安装在导线孔内，导线孔设置在绝缘座内壁底部的支撑台上。 所述第一引脚的边缘固结在支撑台内边缘上。 3 CN 111725165 A 说　明　书 2/2 页 所述绝缘座侧壁顶端与连接桥顶端在同一水平线上，盖板中部加工有凹槽使盖板 的中部不与连接桥接触。 所述芯片的下端面边缘加工有倒角。 本发明的有益效果在于：通过使用钼铜材料作为电极片，使单芯片的瞬态电压抑 制二极管峰值脉冲功率达到15KW，通过使用梁式引线与电极连接，避免了钼铜材料表面不 平整导致线路之间接触不良。 附图说明 图1是本发明的结构示意图； 图2是本发明的绝缘座和引线结构示意图； 图中：1-绝缘座，11-导线孔，12-支撑台，2-电极片，3-芯片，31-倒角，4-引线，41- 第一连接片，42-连接桥，43-第二连连接片，5-盖板，6-第一引脚，7-第二引脚，8-电极引线。