技术摘要：
本发明涉及一种调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，所属硅片研磨技术领域，包括如下操作步骤：1）获取最近m批硅片各自的研磨时间；2）确定下一批硅片的模糊研磨时间；3）获取最近一批每枚硅片的去除量并计算平均去除量dn及加工要求的目标去除量ds，计算修正系 全部
背景技术：
化学机械抛光（Chemical Machine Polishing, CMP）技术是一种表面全局平坦化 技术，被广泛应用于集成电路制造领域。它将化学腐蚀作用和机械去除作用相结合，在施加 一定压力下，通过硅片和抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面。 然而，现有的化学机械抛光工艺中还存在着不足之处。已知的确定和调整硅片研 磨时间的方法主要有：通过自动处理系统反馈最近若干批硅片的研磨参数给抛光设备来确 定下一批硅片的研磨时间；所述研磨参数包括最近m批硅片各自的研磨时间T(n) 、T(n-1)、 T(n-2) 、……、T(n-m 1)，其中T(n)为第n批硅片的研磨时间，即最近一批/倒数第一批硅片 的研磨时间，T(n-m 1) 为倒数第m批硅片的研磨时间。计算公式为：下一批硅片的研磨时间 T(n 1)= T(n)×i T(n-1) ×i×(1-i) T(n-2) ×i×(1-i)2 ……T(n-m 1) ×i×(1- i)m-1，其中i﹤1，m≧2，n﹥m，m、n为整数。这种计算方法忽略了每天CMP机台状况的变化和差 异，实际加工中硅片去除量波动较大，存在不准确性。
技术实现要素：
本发明主要解决现有技术中存在去除量波动较大和准确性差的不足，提供了一种 调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，其具有及时准确地调整硅片研磨时间的优 点。解决了每批次加工后CMP机台状况的变化和差异导致的硅片去除量不稳定的问题。保证 获得稳定的去除量。 本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的： 一种调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，包括如下操作步骤： 第一步：获取最近m批硅片各自的研磨时间T(n) 、T(n-1)、 T(n-2) 、……、T(n-m 1)， 其中T(n)为第n批硅片的研磨时间，即最近一批/倒数第一批硅片的研磨时间，T(n-m 1) 为 倒数第m批硅片的研磨时间。 第二步：最近m批硅片各自的研磨时间T(n) 、T(n-1)、 T(n-2) 、……、T(n-m 1) 确定下一批硅片的模糊研磨时间T0。 第三步：通过万分表测量获取每批次首枚硅片研磨前厚度h1和研磨后厚度h2，计 算研磨去除量dn=h1-h2； 第四步：获取最近一批每枚硅片的去除量并计算平均去除量dn及加工要求的目标去除 量ds，计算修正系数K=dn/ds。 第五步：确定下一批硅片的研磨时间T(n 1)=T0/K，并相应调整Recipe。 作为优选，模糊研磨时间T0= T(n)×i T(n-1) ×i×(1-i) T(n-2) ×i×(1- i)2 ……T(n-m 1) ×i×(1-i)m-1，其中0.5≦i﹤1，m≧3，n﹥m，m、n为整数。 3 CN 111599665 A 说 明 书 2/2 页 作为优选，研磨每一批硅片时，每批次硅片数量一般为20枚。 作为优选，dn的数值从一批次中首枚硅片研磨前后的厚度值。 根据此计算方法调整硅片研磨时间，可在连续生产中避开设备状况的差异，如研 磨压力、温度、研磨液pH值等相对不可控因素的干扰，通过最近一批次硅片的去除量与目标 去除量的比值直接修正研磨时间，及时调整以保持稳定的去除量，有效控制硅片厚度。以上 步骤皆可由现场人员作业并记录台账实施完成。 本发明能够达到如下效果： 本发明提供了一种调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，与现有技术相比 较，此方法与硅片去除量直接相关，现场人员实施难度低，具有及时准确地调整硅片研磨时 间的优点。解决了每批次加工后CMP机台状况的变化和差异导致的硅片去除量不稳定的问 题。保证获得稳定的去除量。
本发明涉及一种调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，所属硅片研磨技术领域，包括如下操作步骤：1）获取最近m批硅片各自的研磨时间；2）确定下一批硅片的模糊研磨时间；3）获取最近一批每枚硅片的去除量并计算平均去除量dn及加工要求的目标去除量ds，计算修正系 全部
背景技术：
化学机械抛光（Chemical Machine Polishing, CMP）技术是一种表面全局平坦化 技术，被广泛应用于集成电路制造领域。它将化学腐蚀作用和机械去除作用相结合，在施加 一定压力下，通过硅片和抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面。 然而，现有的化学机械抛光工艺中还存在着不足之处。已知的确定和调整硅片研 磨时间的方法主要有：通过自动处理系统反馈最近若干批硅片的研磨参数给抛光设备来确 定下一批硅片的研磨时间；所述研磨参数包括最近m批硅片各自的研磨时间T(n) 、T(n-1)、 T(n-2) 、……、T(n-m 1)，其中T(n)为第n批硅片的研磨时间，即最近一批/倒数第一批硅片 的研磨时间，T(n-m 1) 为倒数第m批硅片的研磨时间。计算公式为：下一批硅片的研磨时间 T(n 1)= T(n)×i T(n-1) ×i×(1-i) T(n-2) ×i×(1-i)2 ……T(n-m 1) ×i×(1- i)m-1，其中i﹤1，m≧2，n﹥m，m、n为整数。这种计算方法忽略了每天CMP机台状况的变化和差 异，实际加工中硅片去除量波动较大，存在不准确性。
技术实现要素：
本发明主要解决现有技术中存在去除量波动较大和准确性差的不足，提供了一种 调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，其具有及时准确地调整硅片研磨时间的优 点。解决了每批次加工后CMP机台状况的变化和差异导致的硅片去除量不稳定的问题。保证 获得稳定的去除量。 本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的： 一种调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，包括如下操作步骤： 第一步：获取最近m批硅片各自的研磨时间T(n) 、T(n-1)、 T(n-2) 、……、T(n-m 1)， 其中T(n)为第n批硅片的研磨时间，即最近一批/倒数第一批硅片的研磨时间，T(n-m 1) 为 倒数第m批硅片的研磨时间。 第二步：最近m批硅片各自的研磨时间T(n) 、T(n-1)、 T(n-2) 、……、T(n-m 1) 确定下一批硅片的模糊研磨时间T0。 第三步：通过万分表测量获取每批次首枚硅片研磨前厚度h1和研磨后厚度h2，计 算研磨去除量dn=h1-h2； 第四步：获取最近一批每枚硅片的去除量并计算平均去除量dn及加工要求的目标去除 量ds，计算修正系数K=dn/ds。 第五步：确定下一批硅片的研磨时间T(n 1)=T0/K，并相应调整Recipe。 作为优选，模糊研磨时间T0= T(n)×i T(n-1) ×i×(1-i) T(n-2) ×i×(1- i)2 ……T(n-m 1) ×i×(1-i)m-1，其中0.5≦i﹤1，m≧3，n﹥m，m、n为整数。 3 CN 111599665 A 说 明 书 2/2 页 作为优选，研磨每一批硅片时，每批次硅片数量一般为20枚。 作为优选，dn的数值从一批次中首枚硅片研磨前后的厚度值。 根据此计算方法调整硅片研磨时间，可在连续生产中避开设备状况的差异，如研 磨压力、温度、研磨液pH值等相对不可控因素的干扰，通过最近一批次硅片的去除量与目标 去除量的比值直接修正研磨时间，及时调整以保持稳定的去除量，有效控制硅片厚度。以上 步骤皆可由现场人员作业并记录台账实施完成。 本发明能够达到如下效果： 本发明提供了一种调整化学机械抛光工艺中硅片研磨时间的方法，与现有技术相比 较，此方法与硅片去除量直接相关，现场人员实施难度低，具有及时准确地调整硅片研磨时 间的优点。解决了每批次加工后CMP机台状况的变化和差异导致的硅片去除量不稳定的问 题。保证获得稳定的去除量。
