技术摘要：
实施方式提供一种包括具有高的垂直磁各向异性的磁阻效应元件的磁存储装置。实施方式涉及的磁存储装置具备层叠结构(20)，该层叠结构包括：第1磁性层(21)，其具有可变的磁化方向；第2磁性层(22)，其具有固定了的磁化方向；及非磁性层(23)，其设置于第1磁性层与第2磁性层  全部
背景技术：
提出了在半导体基板上集成了磁阻效应元件及晶体管的磁存储装置(半导体集成 电路装置)。尤其是，对于磁存储装置的高集成化，具有垂直磁化的磁阻效应元件是有效的。 然而，随着磁阻效应元件的微小化，开始难以得到具有高的垂直磁各向异性的磁 阻效应元件。
技术实现要素：
实施方式提供一种包括具有高的垂直磁各向异性的磁阻效应元件的磁存储装置。 实施方式涉及的磁存储装置具备层叠结构，该层叠结构包括：第1磁性层，其具有 可变的磁化方向；第2磁性层，其具有固定了的磁化方向；以及非磁性层，其设置于所述第1 磁性层与所述第2磁性层之间，所述第1磁性层包括与所述非磁性层相接的第1面和与所述 第1面相反侧的第2面，所述第1磁性层的第2面的直径比所述第1磁性层的第1面的直径小且 为10nm以上，所述第1磁性层的高度相对于所述第1磁性层的第2面的直径的比率为0.9以 上。 附图说明 图1是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置的构成的剖视图。 图2是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置中的存储层的第1面与第2面的关 系的图。 图3是示出使用了CoFeB层作为存储层时的存储层的直径D及厚度t(与高度H对应) 与存储层的室温下的热稳定性Δ的关系的图。 图4是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置的制造方法的一部分的剖视图。 图5是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置的制造方法的一部分的剖视图。 图6是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置的制造方法的一部分的剖视图。 图7是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置的制造方法的一部分的剖视图。 图8是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置中的存储层的第1变更例的构成 的剖视图。 图9是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置中的存储层的第2变更例的构成 的剖视图。 图10是示意性地示出实施方式涉及的磁存储装置中的存储层的第3变更例的构成 3 CN 111725387 A 说　明　书 2/6 页 的剖视图。 图11是示意性地示出实施方式的变更例涉及的磁存储装置的构成的剖视图。 图12是示意性地示出实施方式的变更例涉及的磁存储装置的制造方法的一部分 的剖视图。 标号说明 10…下部结构；11…下部电极；12、13…层间绝缘膜；20…层叠结构；21…存储层 (第1磁性层)；21a…第1层部分；21b…第2层部分；21c…第3层部分；22…参照层(reference  layer)(第2磁性层)；23…隧道势垒层(非磁性层)；24…移位消除(shift  cancelling)层； 25…中间层；26…缓冲层；27…盖层(cap  layer)；28…硬掩模层；29…侧壁掩模层；S1…第1 面；S2…第2面；SP1…第1侧面部分；SP2…第2侧面部分；SP3…第3侧面部分。