技术摘要：
提供一种制造具有支撑图案的半导体装置的方法。所述方法包括在基底上顺序地堆叠成型层和支撑层，形成穿过成型层和支撑层的多个电容器孔，形成填充电容器孔的多个下电极，在支撑层和下电极上形成具有多个掩模孔的支撑掩模图案，以及通过图案化支撑层形成多个支撑孔。所  全部
背景技术：
由于需要诸如动态随机存取存储器(DRAM)的高度集成和小型化的半导体装置，因 此半导体装置的电容器的尺寸也已经被小型化。利用具有高的高宽比的下电极来获得设置 在精细图案中的电容器的特定/预定的电容。利用支撑下电极的支撑图案以防止或降低下 电极在工艺期间倒塌的可能性。
技术实现要素：
发明构思的一些示例实施例旨在提供一种制造半导体装置的方法，其中支撑图案 与下电极之间的接触面积是均匀的或显著均匀的。 根据一些示例实施例，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在基底上 顺序地堆叠成型层和支撑层；形成多个电容器孔，所述多个电容器孔穿过成型层和支撑层； 形成填充所述多个电容器孔的多个下电极，在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上 布置所述多个下电极；在支撑层和下电极上形成支撑掩模图案，支撑掩模图案包括多个掩 模孔；以及通过使用支撑掩模图案对支撑层进行图案化来形成多个支撑孔。所述多个下电 极中的每个具有柱形状，每个掩模孔位于四个相邻的下电极之间，并且每个掩模孔具有圆 形形状。 根据一些示例实施例，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在基底上 顺序地堆叠成型层和支撑层；形成穿过成型层和支撑层的多个电容器孔；形成填充电容器 孔的多个下电极，在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上布置所述多个下电极；在 支撑层和下电极上形成支撑掩模图案，支撑掩模图案包括多个掩模孔；以及通过使用支撑 掩模图案对支撑层进行图案化，形成多个第一支撑孔以及布置在与第一支撑孔的方向不同 的方向上的多个第二支撑孔。所述多个下电极中的每个具有柱形状，每个掩模孔位于四个 相邻的下电极之间，并且每个掩模孔具有圆形形状。 根据一些示例实施例，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在基底上 顺序地堆叠成型层和支撑层；形成穿过成型层和支撑层的多个电容器孔；形成填充电容器 孔的多个下电极，在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上布置所述多个下电极，并 且以其中所述多个下电极位于六边形的中心和顶点处的蜂窝结构布置所述多个下电极；在 支撑层和下电极上形成支撑掩模图案，支撑掩模图案包括多个掩模孔；以及通过使用支撑 掩模图案对支撑层进行图案化来形成多个支撑孔。所述多个下电极中的每个具有柱形状， 并且通过所述多个支撑孔之中的至少一个暴露所述多个下电极中的每个。每个掩模孔位于 4 CN 111725139 A 说　明　书 2/9 页 四个相邻的下电极之间，每个掩模孔具有圆形形状，每个支撑孔位于所述四个相邻的下电 极之间，并且每个支撑孔具有椭圆形状。 附图说明 通过参照附图详细地描述发明构思的示例实施例，发明构思的上述和其它目的、 特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更清楚，在附图中： 图1是示出根据发明构思的一些示例实施例的半导体装置的平面图。 图2是沿图1的线I-I′截取的半导体装置的竖直剖面图。 图3至图7、图9、图11和图12是根据发明构思的一些示例实施例的用于描述依据工 艺顺序来制造半导体装置的方法的剖面图。 图8是示出根据发明构思的一些示例实施例的支撑掩模图案的平面图。 图10是示出根据发明构思的一些示例实施例的上支撑图案的平面图。 图13是示出根据发明构思的一些示例实施例的上支撑图案的一部分的放大图。 图14A、图15A、图16A、图17A和图18A是示出根据发明构思的一些示例实施例的支 撑掩模图案的平面图。 图14B、图15B、图16B、图17B和图18B是示出根据发明构思的一些示例实施例的上 支撑图案的平面图。 图19是示出根据发明构思的一些示例实施例的半导体装置的剖面图。 图20是示出根据发明构思的一些示例实施例的上支撑图案的一部分的放大图。 图21示出了示出沿图20的线II-II'和III-III'截取的半导体装置的竖直剖面图。 图22A是示出根据发明构思的一些示例实施例的支撑掩模图案的平面图。 图22B是示出根据发明构思的一些示例实施例的支撑图案的平面图。