技术摘要：
本发明公开了一种OLED的面板及其制造方法，所述OLED的面板供设置在一摄像头上方，所述OLED的面板由上至下依序包含：一基板；一发光层，设置在所述基板上；一阴极，设置在所述发光层上；一高N值无机盐层，设置在所述阴极及所述发光层的表面；以及一CPL层，设置在所述高N  全部
背景技术：
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，包括有 机发光显示装置(OLED,Organic  Light  Emitting  Display)。 OLED具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广 泛的关注，已开始逐渐取代传统液晶显示装置，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩 电视等。0LED显示技术无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层及玻璃基板，当有电流通过 时，这些有机材料就会发光。 随着技术的发展，各大面板厂商均正在尝试使用屏下摄像头的技术来提屏幕的高 屏占比。所谓屏下摄像头是将前置的摄像头“埋进”手机屏幕下方，因此，不需要特别在屏幕 上为摄像头专门预留位置，而提升屏占比。然而，相较于打孔、盲孔，屏下摄像头更需要解决 透光率问题。 故，有必要提供一种OLED的面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种OLED的面板及其制造方法，通过减薄在摄像头上方阴 极的厚度，以提高光线的透过率，进而保障拍照质量。 为达成本发明的前述目的，本发明提供一种OLED的面板，供设置在一摄像头上方， 所述OLED的面板由上至下依序包含：一基板；一发光层，设置在所述基板上；一阴极，设置在 所述发光层上；一高N值无机盐层，设置在所述阴极及所述发光层的表面；以及一CPL层，设 置在所述高N值无机盐层上；其中，在对应所述摄像头上方位置处的所述面板的所述高N值 无机盐层的整个厚度及所述阴极的部分厚度经移除而形成有一中空部。 根据本发明一实施例，更包含一TFE结构，形成在所述CPL层及所述高N值无机盐层 的表面。 根据本发明一实施例，所述CPL层的材料选自于一高N值无机材料。 根据本发明一实施例，所述高N值无机盐层的材料选自于二氧化硅。 本发明还提供一种OLED的面板的制造方法，所述OLED的面板供设置在一摄像头上 方，所述制造方法包含以下步骤： 提供一基板； 在所述基板上由下至上依序形成一发光层及一阴极； 在所述发光层及所述阴极表面形成一高N值无机盐层； 在对应所述摄像头的位置处，移除所述阴极上方的部分的所述高N值无机盐层，以 暴露部分的所述阴极； 移除部分的所述经暴露的阴极；以及 3 CN 111584725 A 说　明　书 2/3 页 形成一CPL层在所述高N值无机盐层上。 根据本发明一实施例，所述CPL层的材料选自于一高N值无机材料。 根据本发明一实施例，所述高N值无机盐层的材料选自于二氧化硅。 根据本发明一实施例，在所述移除部分的所述经暴露的阴极的步骤中，通过干蚀 刻以移除所述部分的所述经暴露的阴极。 根据本发明一实施例，在所述发光层及所述阴极表面形成所述高N值无机盐层的 步骤中，通过化学气相沉积以形成所述高N值无机盐层。 根据本发明一实施例，在形成所述CPL层在所述阴极上的步骤之后，还包含形成一 TFE结构在所述CPL层及所述高N值无机盐层的表面。 本发明的有益效果为：通过所述OLED的面板由上至下依序包含：一基板；一发光 层，设置在所述基板上；一阴极，设置在所述发光层上；一高N值无机盐层，设置在所述阴极 及所述发光层的表面；以及一CPL层，设置在所述高N值无机盐层上，其中在对应所述摄像头 上方位置处的所述面板的所述高N值无机盐层的整个厚度及所述阴极的部分厚度经移除所 形成的一中空部，而减薄在摄像头上方的阴极的厚度，以提高光线的透过率，进而提升拍照 质量。 附图说明 为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作 详细说明如下： 图1是本发明的实施例的OLED的面板的示意图。 图2是本发明的OLED的面板的制造方法的第一步骤示意图。 图3是本发明的OLED的面板的制造方法的第二步骤示意图。 图4是本发明的OLED的面板的制造方法的第三步骤示意图。 图5是本发明的OLED的面板的制造方法的第四步骤示意图。 图6是本发明的OLED的面板的制造方法的第五步骤示意图。 图7是本发明的OLED的面板的制造方法的第六步骤示意图。