技术摘要：
本发明涉及一种碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的制备方法，其以CH4作为气相碳源，高纯度的SiO2粉体为固相硅源。在真空下，重新注入气相碳源，碳源均匀分布在固体硅源当中；避免了不必要的污染，提高了碳化硅纯度。而且利用气相／固相的合成SiC粉料，气相原料的杂质并  全部
背景技术：
近年来，高电阻率、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底在高频高功率SiC及GaN基电子器 件的应用越来越多。目前普遍采用PVT  (物理气相传输  )法生长高纯半绝缘碳化硅单晶，在 PVT法中，采用SiC粉料做为生长单晶的原料，因此SiC粉料的各项参数直接影响了高纯半绝 缘单品的生长质量以及电学性能。 商用SiC粉料一般采用艾奇逊(Acheson)法，即是碳热还原法来制备。然而，该法制 备的SiC粉料杂质含量较高，不适合SiC单晶的生长。此外，SiC粉料的制备方法还包括：溶 胶—凝胶法、CVD法以及自蔓延法等。然而，这些方法要么成本高，不适于碳化硅粉料的批量 化合成；要么纯度不高，不适用于碳化硅单晶生长。
技术实现要素：
针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种碳化硅单晶生长用高纯碳 化硅粉体的制备方法，其制备成本低，且制备得到的碳化硅粉体纯度高。 为实现上述目的，本发明采用的技术方案是： 一种碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1、把SiO2粉体放入石墨坩埚内，然后把坩埚置入真空加热炉中； 步骤2、对真空加热炉抽真空，然后向真空加热炉灌入CH4/N2混合气体； 步骤3、开启加热器，对SiO2粉体加热，并静置，得到含残碳的碳化硅粉体以及混合废气 CO H2 N2 NH3 H2O； 步骤4、将石墨坩埚降至室温，将真空加热炉内的混合废气抽出，并进行电脉冲处理，然 后排出；接着向真空加热炉注入空气至大气压下，取出石墨坩埚； 步骤5、将石墨坩埚内含残碳的碳化硅粉体取出，并将其放置在石英坩埚内，再把石英 坩埚放回真空加热炉； 步骤6、对真空加热炉抽真空；然后向真空加热炉灌入O2和N2混合气体，进行加热并静 置，进行除碳处理； 步骤7、石英坩埚降温后，取出其内的粉体，即得到适合单晶生长用的高纯SiC粉料。 所述SiO2粉体的纯度大于99.999%。 所述SiO2粉体的粒径为50-200μm。 所述步骤2中，真空加热炉抽真空至10-4Pa之下，向真空加热炉灌入CH4/N2混合气 体至70~90kPa。 所述步骤3中，SiO   oC o2粉体加热的温度为1800   ~2000 C，静置时间为3小时以上。 所述步骤6中，真空加热炉抽真空至10-4Pa之下；向真空加热炉灌入O2和N2混合气 3 CN 111591994 A 说　明　书 2/3 页 体至0.7 1MPa，加热温度为500 650o~ ~ C，静置时间为1小时以上。 采用上述方案后，本发明具有以下有益效果： 一方面，本发明以CH4作为气相碳源，高纯度的SiO2粉体为固相硅源。在真空下，重新注 入气相碳源，碳源均匀分布在固体硅源当中；可以避免使用双固相源，液相／固相源在预先 混均匀，或是填加活化剂时，造成不必要的污染，提高了碳化硅纯度。而且利用气相／固相的 合成SiC粉料，气相原料的杂质并不会留在SiC成品料中。过量的Ｃ源参于合成，可以确保所 有Si源的转换，多余的Ｃ都是来自CH4，本身不存在杂质，同时在干静与高温条件下，通O2气 体氧化残留的C成气体CO2，就可轻易的把C从粉体中分离出来。所以，本发明能够制备出高 纯度的碳化硅粉体。 另一方面，本发明用高纯度SiO2粉体、CH4、N2、O2作为原料，原料易取得，且成本相 对低。生产过程中只产生气体废料，这废气经电脉冲处理后，最终的产物都是对环境无害的 气相物质。所以，本发明制备成本低切环保无污染。 附图说明 图1为步骤1-4的反应示意图； 图2为为步骤5-7的反应示意图。 标号说明： 真空加热炉10；加热器20；石墨坩埚30；石英坩埚40。