技术摘要：
一种图像显示装置、量子点发光二极管及其制作方法，属于显示设备领域。量子点发光二极管包括：阳极层；空穴传输层，形成于阳极之上；量子点发光层，形成于空穴传输层之上，含有量子点和第一无机盐，所述第一无机盐包括碳酸氢盐和/或亚硫酸氢盐；电子传输层，形成于量子  全部
背景技术：
作为下一代的新型显示技术，量子点显示技术倍受关注。近年来，量子点显示技术 在逐步地往商业化应用阶段稳步推进。其中，光致膜已经进入成熟的商业化应用。然而，业 界真正追求的还是电致(自驱动)显示技术。 量子点具有发射光谱窄、颜色可调、光化学稳定性高、荧光寿命长等优越特征。基 于量子点的电致发光类型的量子点发光二极管(Quantum  Dot  Light  Emitting  Diode，简 称QLED)相比于已经产业化的有机发光二极管(Organic  Light  Emitting  Diode，简称 OLED)具有更突出的效率、色纯、低能耗优点。 但是，电致发光的量子点发光二极管真正走向商业化应用还需要一定的时间，并 且在商业化之前还有很多技术难题需要解决。 第一个技术难题就是量子点器件的寿命还没达到商业化需求，而影响量子点器件 寿命的主要因素之一是电荷注入不平衡。而影响电荷注入、导致电荷注入不平衡的具体因 素有很多，例如： 电子传输层的电子迁移率快慢问题、空穴传输层的空穴迁移率快慢问题、量子点 的光热稳定性问题、器件结构是否合理问题、封装方式问题等。 在持续工作时，量子点发光器件的寿命会逐渐降低且主要是由于器件的电荷注入 不平衡。其中，电荷注入不平衡的因素可能是电子传输层的电荷迁移率发生了变化，还可能 是器件漏电流(电子和空穴)较大。 因此，优化QLED器件，以使其电子传输层的电子迁移率不发生变化或变化较小、降 低器件的漏电流成为优化器件制备的重要方向。
技术实现要素：
基于上述的不足，本申请提供了一种图像显示装置、量子点发光二极管及其制作 方法，以部分或全部地改善、甚至解决相关技术中的问题。 本申请是这样实现的： 在第一方面，本申请的示例提供了一种量子点发光二极管。 量子点发光二极管包括：阳极层；空穴传输层，形成于阳极层之上；量子点发光层， 形成于空穴传输层之上，含有量子点和第一无机盐，第一无机盐包括碳酸氢盐和/或亚硫酸 氢盐；电子传输层，形成于量子点发光层之上，含有金属氧化物和第二无机盐，第二无机盐 包括硼氢盐；阴极层，形成于电子传输层之上。 第二方面，本申请的示例提供了一种量子点发光二极管，其通过热处理如上述的 量子点发光二极管而得。且其中的金属氧化物表面氢气所钝化且形成有偏硼酸盐。上述的 4 CN 111599931 A 说　明　书 2/9 页 氢气和偏硼酸盐通过热处理使第一无机盐的酸性气体分解产物与硼氢盐反应的产生。 在第三方面，本申请的示例提供了一种量子点发光二极管的制作方法，包括：在阳 极层之上制作空穴传输层；在空穴传输层之上，以含有量子点和第一无机盐的量子点材料 溶液制作量子点发光层，其中第一无机盐包括碳酸氢盐和/或亚硫酸氢盐；在量子点发光层 之上，以含有含金属氧化物和第二无机盐的电子传输材料溶液制作电子传输层，其中，第二 无机盐包括硼氢盐；在电子传输层之上制作阴极层，获得多层结构；通过加热使多层结构固 化。 在第四方面，本申请的示例提供了一种图像显示装置，其包括壳体和多个量子点 发光二极管。壳体具有安装空间，全部的所述量子点发光二极管被固定于安装空间内。 在以上实现过程中，本申请实施例提供的量子点发光二极管主要涉及对量子点发 光层、电子传输层的改进。 例如，量子点发光层中的无机盐可以在器件的优化阶段受热分解，产生水、无机 盐、酸性气体。其中的酸性气体可以与电子传输层中的金属氧化物(纳米颗粒)的表面极性 官能团(如羟基)进行反应还可以产生水和另一些无机盐。这些新的无机盐填补原金属氧化 物表面极性官能团的位置，并且可以增强电子传输层的势垒高度，从而降低电子迁移率(与 空穴的迁移率更接近和匹配)，避免电子的过多注入(平衡电子与空穴的注入浓度)。同时上 述过程中产生的水还能够与电子传输层中的硼氢盐反应，生成偏硼酸盐和氢气。 另一方面，上述硼氢盐与水反应产生的氢气可以对电子传输层的表面进行钝化， 从而防止量子点发光二极管随着使用时间的延长而发生电子迁移率的大幅度衰减，以此提 高电子注入的稳定。 附图说明 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，以下将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。 图1为本申请示例中的一种典型量子点发光二极管的层状结构示意图； 图2示出了图1量子点发光二极管中各层的能带结构。