技术摘要：
本申请提供了显示面板，该显示面板包括第一晶体管、电容器、发光元件和附加控制电极，其中，第一晶体管包含氧化物，电容器包括第一电极和第二电极，发光元件连接至电容器和第一晶体管，附加控制电极连接至第二电极。第一电极和第二电极设置在彼此不相同的层上并且分别  全部
背景技术：
显示面板包括显示图像的多个像素。像素中的每一个包括像素驱动电路和连接至 像素驱动电路的显示元件。像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管和电容器。薄膜晶体管 和电容器响应于从像素驱动电路接收的电信号控制显示元件，其中薄膜晶体管和电容器构 成像素驱动电路。
技术实现要素：
发明构思的实施方式提供了具有改善的电学性能和显示特性的显示面板。 发明构思的实施方式提供了通过简化的过程制造的显示面板。 根据发明构思的实施方式，显示面板包括第一晶体管、电容器、发光元件和附加控 制电极，其中，第一晶体管包括包含氧化物的第一半导体图案、与第一半导体图案重叠的第 一控制电极以及设置在与第一控制电极不同的层上且分别联接至第一半导体图案的两个 不同的部分的第一输入电极和第一输出电极，电容器包括联接至第一控制电极的第一电极 以及设置在与第一电极不同的层上且联接至第一输出电极的第二电极，发光元件连接至电 容器和第一晶体管并且包括发光层，附加控制电极连接至第二电极并且在平面图中与第一 控制电极和第一半导体图案重叠。附加控制电极和第二电极设置在相同的层上以形成一 体。 在实施方式中，当在剖视图中观察时，第一半导体图案设置在附加控制电极和第 一控制电极之间，并且附加控制电极设置在第一半导体图案下方。 在实施方式中，当在平面图中观察时，附加控制电极与第一半导体图案的沟道区 域重叠。 在实施方式中，显示面板还包括与第一半导体图案间隔开且与第一输入电极一起 形成第一电容器的第一金属图案。第一金属图案和第二电极设置在相同的层上。 在实施方式中，第一金属图案和第二电极彼此连接并且形成一体。 在实施方式中，第一金属图案和附加控制电极彼此连接并且形成一体。 在实施方式中，第一输入电极接收比发光元件的阴极电压更高的电源电压。 在实施方式中，第一电容器具有通过发光元件的阳极电压和电源电压之间的电势 差确定的电容。 5 CN 111554707 A 说　明　书 2/12 页 在实施方式中，显示面板还包括与第一半导体图案间隔开且与第一控制电极一起 形成第二电容器的第二金属图案。第二金属图案和第二电极设置在相同的层上。 在实施方式中，第二金属图案和第二电极彼此连接并且形成一体。 在实施方式中，显示面板还包括第二晶体管和第三晶体管，其中，第二晶体管包括 包含硅的第二半导体图案、与第二半导体图案重叠的第二控制电极以及分别联接至第二半 导体图案的两个不同的部分的第二输入电极和第二输出电极，第三晶体管包括包含硅且与 第二半导体图案间隔开的第三半导体图案、与第三半导体图案重叠的第三控制电极以及分 别联接至第三半导体图案的两个不同的部分的第三输入电极和第三输出电极。第二输出电 极联接至第一电极，并且第三输出电极联接至第二电极。 在实施方式中，显示面板还包括设置在第二控制电极上且在平面图中与第二控制 电极重叠的上部电极。第二控制电极和第一电极设置在相同的层上，并且上部电极和第二 电极设置在相同的层上。 根据发明构思的实施方式，显示面板包括第一晶体管、第一电容器和发光元件，其 中，第一晶体管包括包含氧化物的第一半导体图案、与第一半导体图案的沟道区域重叠的 第一控制电极、联接至第一半导体图案的输入区域的第一输入电极以及联接至第一半导体 图案的输出区域的第一输出电极，第一电容器连接至第一晶体管，其中第一电容器包括彼 此面对的第一电极和第二电极，发光元件连接至第二电极，其中发光元件包括发光层。当在 平面图中观察时，第二电极包括与第一电极重叠的第一部分以及与第一半导体图案的沟道 区域重叠的第二部分。 在实施方式中，第一输出电极连接至第二电极。 在实施方式中，第二电极还包括连接至第二部分的第三部分，其中当在平面图中 观察时第三部分与第一半导体图案间隔开并且与第一输入电极重叠。 在实施方式中，第二电极还包括连接至第二部分的第四部分，其中当在平面图中 观察时第四部分与第一半导体图案间隔开并且与第一控制电极重叠。 在实施方式中，显示面板还包括第二晶体管，该第二晶体管包括包含硅的第二半 导体图案、与第二半导体图案重叠的第二控制电极以及分别联接至第二半导体图案的两个 不同的部分的第二输入电极和第二输出电极。第二输出电极联接至第一电极。 在实施方式中，第二控制电极和第一电极设置在相同的层上。 在实施方式中，显示面板还包括第三晶体管，该第三晶体管包括包含硅且与第二 半导体图案间隔开的第三半导体图案、与第三半导体图案重叠的第三控制电极以及分别联 接至第三半导体图案的两个不同的部分的第三输入电极和第三输出电极。第三输出电极联 接至第二电极。 根据发明构思的实施方式，显示面板包括第一晶体管、电容器和附加控制电极，其 中，第一晶体管包括包含氧化物的第一半导体图案、与第一半导体图案重叠的第一控制电 极以及设置在与第一控制电极不同的层上且分别联接至第一半导体图案的两个不同的部 分的第一输入电极和第一输出电极，电容器包括联接至第一控制电极的第一电极以及设置 在与第一电极不同的层上且联接至第一输出电极的第二电极，附加控制电极连接至第二电 极并且在平面图中与第一控制电极和第一半导体图案重叠。附加控制电极和第二电极设置 在相同的层上并且形成一体。当在剖视图中观察时，第一半导体图案设置在附加控制电极 6 CN 111554707 A 说　明　书 3/12 页 和第一控制电极之间，并且附加控制电极设置在第一半导体图案下方。 附图说明 图1是根据发明构思的实施方式的显示设备的框图。 图2是根据发明构思的实施方式的像素的等效电路图。 图3A是根据发明构思的实施方式的像素的一些元件的平面图。 图3B是图3A中所示的一些元件的剖视图。 图4A是根据发明构思的实施方式的像素的一些元件的平面图。 图4B是图4A中所示的一些元件的剖视图。 图5是根据发明构思的实施方式的像素的等效电路图。 图6A是根据发明构思的实施方式的像素的一些元件的平面图。 图6B是图6A中所示的一些元件的剖视图。 图7是根据发明构思的实施方式的像素的等效电路图。 图8A是根据发明构思的实施方式的像素的一些元件的平面图。 图8B是图8A中所示的一些元件的剖视图。 图9是根据发明构思的实施方式的像素的等效电路图。 图10A是根据发明构思的实施方式的像素的一些元件的平面图。 图10B是图10A中所示的一些元件的剖视图。 然而，应注意，这些附图并不是按比例的且可以不精确地反映任何给定的实施方 式的确切结构或性能特性，并且不应解释为限定或限制由示例性实施方式所包括的值或属 性的范围。在各种附图中相似或相同的引用标号的使用可指示存在相似或相同的元件或特 征。