技术摘要：
本发明涉及一种由工程腔室接收在连接到加热器的热交换机中进行热交换的冷却水的流入，借此在维持内部正常工程温度的同时执行特定温度的低温工程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积形成薄膜的真空沉积装置。本发明在包括腔室、基座、喷淋头以及加热器的真空沉积装置中，由  全部
背景技术：
通常作为化学气相沉积装置，主要使用等离子体化学气相沉积装置(Plasma  Enhanced  Chemical  Vapor  Deposition，以下简称为PECVD装置)。 PECVD装置是通过利用工程腔室外部的高电压能量将工程气体激发到等离子体状 态之后诱导工程气体之间的化学反应而在基板上形成薄膜。 PECVD装置中配备有用于在真空状态的工程腔室内部对基板进行支撑的基座，从 而通过工程气体的流入而在基板上形成薄膜。 PECVD装置不使用热交换器，而是通过将卡盘与电阻连接之后进行电加热而使其 进入高温(350℃～400℃)状态之后执行工程。 但是当采用如上所述的电加热方式时，因为外部温度会变得过高，因此需要在腔 室外廓配备冷却系统，从而通过降低腔室外部的温度而维持正常的腔室内部温度。 关于真空沉积装置，具体包括如下所述的现有技术。 韩国专利公开第10-2015-0125033号涉及一种能够通过配备于卡盘上的升降销孔 避免在基板上形成温度差异的真空沉积装置，在利用真空热沉积法在基板上沉积有机物的 过程中，能够通过在用于对基板进行支撑及固定的卡盘的升降销孔上组装及结合磁性凸轮 而解决在将有机物沉积到基板上的过程中因为基板上形成的温度差异而导致的有机物的 沉积不均匀的问题。 但是如上所述的现有技术具有需要形成升降销孔并在对应的部分配备磁性凸轮 等结构变得复杂的问题。 韩国专利公开第10-2007-0030087号涉及一种有机发光二极管制造用真空沉积装 置，包括：腔室；蒸发源，安装于腔室内的下部，用于使特定的有机物蒸发；基板支架，安装于 腔室内的上部，用于对被沉积体进行夹持；以及，电热线部，安装于腔室的边缘部，用于对在 蒸发源中蒸发的上述有机物在腔室边缘附近的蒸发速度进行调节；借此，能够在基板的中 心部分和边缘部分得到厚度均匀的有机膜。 但是如上所述的现有技术虽然能够解决当基板的大小变大时难以根据基板的大 小调节膜的厚度，从而因为基板的中间部分变厚而边缘部分变而无法获得厚度均匀的膜的 问题，但是只有在基板的中间部分和边缘部分之间存在厚度差异的情况下才能够有效使 用，因此存在一定的限制。 韩国专利公开第10-20l2-0069962号涉及一种真空沉积装置，包括：真空腔室；基 座，配置于上述真空腔室的内部，可以承载基板的状态上下移动；以及，升降销，以贯通上述 3 CN 111575679 A 说　明　书 2/7 页 基座的方式配置，可使基板相对于基座上升和下降；其中，位于上述基座边缘上的升降销的 边缘被配置在上述基板的边缘的内侧，能够通过对升降销的设计变更而减少基板的破损以 及污染。 但是如上所述的现有技术虽然能够解决在高温工程中从升降销生成的异物附着 在与升降销接触的基板的接触面上而导致的基板污染问题，但是因为只属于机构性的结构 变更，因此并不能有效地解决在工程上发生的问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于为了解决如上所述的现有技术中存在的问题而提供一种真空 沉积装置，由腔室接收在连接到加热器的热交换机中进行热交换的一定温度的冷却水，借 此在维持正常工程温度的同时执行特定温度的低温工程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积 形成薄膜。 本发明的另一目的在于提供一种真空沉积装置，在将从热交换机引出的冷却水管 连接到加热器的同时将从其他热交换机引出的冷却水管连接到腔室以及腔室盖，从而利用 各个热交换机进行温度调节。 本发明的其他目的能够通过在下述内容中记载的详细说明进行类推。 为了实现如上所述的目的，适用本发明的真空沉积装置，其特征在于： 在包括腔室(反应腔室或工程腔室)、基座、喷淋头以及加热器的真空沉积装置中， 由上述腔室接收在连接到上述加热器的热交换机中进行热交换的一定温度的冷却水，借此 在维持正常温度的同时执行特定温度的低温工程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积形成薄 膜。 本发明的特征在于：腔室与热交换机为了维持腔室的工程温度而以2米以内的间 隔进行安装。 本发明的特征在于：连接到热交换机的加热器为了维持工程温度而配备可利用冷 却水在1秒之内调节到所需温度的冷却水管。 本发明的特征在于：在加热器的内部相互围绕的螺旋形冷却水管之间的间距为 10mm以内，进/出(in/out)管之间的间距为5mm以内，冷却水管为7mm以下，从而在加热器的 内部以圆形形态旋转一定的次数。 本发明的特征在于：加热器的冷却水管的进/出管以1个环路构成并填埋，填埋部 位通过焊接防止漏水。 本发明的特征在于：腔室连接到远程等离子体发生器，连接管中配备有散热板。 本发明的特征在于：散热板以圆筒形状构成，且在圆筒形状的外周面形成厚度为 1mm以上的多个褶皱结构。 本发明的特征在于：在喷淋头以及加热器中形成非连续组分的0.2～10μm的AlF膜 涂层。 本发明的特征在于：腔室的工程温度为95℃以下，工程压力为0.5～4torr。 在适用本发明的真空沉积装置中，能够由腔室接收在连接到加热器的热交换机中 进行热交换的一定温度的冷却水，借此在维持正常工程温度的同时执行特定温度的低温工 程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积形成薄膜，即，可通过准确地对工程温度进行调节而更 4 CN 111575679 A 说　明　书 3/7 页 高效地执行工程。 此外，本发明能够在将从热交换机引出的冷却水管连接到加热器的同时将从其他 热交换机引出的冷却水管连接到腔室以及腔室盖，从而利用各个热交换机更加精确地对腔 室内部的温度进行调节。 附图说明 图1以及图2是适用本发明之实施例的真空沉积装置的概念图。 图3是适用本发明之实施例的加热器中配备的冷却水管的构成图。 图4是适用本发明之实施例的用于对远程等离子体发生器与腔室进行连接的连接 管(气体管)中配备的散热板的构成图。 图5是腔室与热交换机间的间距不同时的冷却水复归时间测试结果图表。 图6是散热板数量不同时的用于对腔室与远程等离子体发生器进行连接的气体管 温度变化测试结果图表。 图7是感应耦合等离子体刻蚀机(ICP  etcher)SF6等离子体耐蚀性评估结果。 图8是使用感应耦合等离子体刻蚀机(ICP  etcher)SF6等离子体时的表面粗糙度 变化评估结果。 【符号说明】 10：腔室 20：加热器 30、35：热交换机 40：腔室盖 60：散热板 65：褶皱