技术摘要：
本发明公开一种水质尖端电荷转移装置及其方法，冷气流发生组件固定安装于固定安装板之上，电极底座固定安装于冷气流发生组件的顶部，电极针的下端垂直固定于电极底座之上，电极针的上端集结有水质覆盖层，连接凸边与外壳的内壁密封相接，电极针的顶部正对筒电极的中心  全部
背景技术：
参考图1，现时的放电装置200，如纳米水离子发生装置、离子发生装置，的电离与 电击直接发生在筒电极210与负电极220的金属之间，当负电极上的水珠230碰到电荷转移 才会被击碎，产生的有益物质，然而，负极上的水珠是自然结露的，消耗之后短时间内难以 重新结露，因而电离产生的有益物质较少。另外，当使用耐电击耐电离的金属材质作为电极 时，虽寿命较长，然而导热系数低，不利于收集空气中的水分子，当使用导电性能好导热系 数高的铜系材料作为电极时，抗氧化性能欠佳，使用寿命较短，且长期使用后电离效果变 差；贵金属导热系数高、抗氧化性能好且电离效果亦佳，然价格居高不利于推广。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种水质尖端电荷转移装置，以解决上述技术问题。 为了实现上述目的，本发明的技术方案为：提供一种水质尖端电荷转移的装置，包 括外壳、冷气流发生组件、负电极以及筒状的筒电极，所述外壳内的下部水平安装有固定安 装板，所述冷气流发生组件固定安装于所述固定安装板之上，所述固定安装板的中部开设 有第一进风口，所述负电极包括电极底座及电极针，所述电极底座固定安装于所述冷气流 发生组件的顶部，所述电极针的下端垂直固定于所述电极底座之上，所述电极针的上端集 结有水质覆盖层，所述筒电极包括筒电极主体及自所述筒电极主体的侧壁沿径向往外延伸 形成的连接凸边，所述连接凸边与所述外壳的内壁密封相接，所述电极针的顶部正对所述 筒电极的中心轴且所述电极针位于所述筒电极的下方，所述外壳于所述电极底座与所述筒 电极之间开设有第二进风口。 所述冷气流发生组件包括风扇、散热片及半导体制冷片，所述风扇固定安装于所 述固定安装板之上，所述风扇的输入口正对所述第一进风口，所述散热片安装于所述风扇 之上，所述散热片的输入口正对所述风扇的输出口，所述散热片的输出口设置于所述散热 片的外侧壁，所述半导体制冷片安装于所述散热片之上，所述电极底座安装于所述半导体 制冷片的顶部，所述半导体制冷片的外侧壁及所述散热片的外侧壁与所述外壳的内壁之间 形成输入风隙。 较佳地，所述电极针包括针座及针头，所述针座的顶部开设有针头插孔，所述针头 的下端插设于所述针头插孔中，所述针头的上端呈上小下大锥状。 较佳地，所述针座的上部于所述针头插孔之外往外凸伸形成凸台。 较佳地，所述电极针的顶部呈圆球状。 较佳地，所述电极针包括针杆及连接于针杆的上端的电极头，所述电极头呈半球 3 CN 111547818 A 说　明　书 2/4 页 状，所述电极头的直径大于所述针杆的直径。 较佳地，所述电极针由钨或者钨合金或者钛或者钛合金制成，所述电极底座由黄 铜或者紫铜或者锆铜或者铜合金或者铝或者铝合金制成。 较佳地，所述连接凸边自所述筒电极主体的侧壁的下端沿径向往外延伸形成。 较佳地，所述连接凸边自所述筒电极主体的侧壁的上端沿径向往外延伸形成，且 所述筒电极呈上小下大状，所述筒电极的侧壁往外圆弧弯曲。 本发明还提供一种水质尖端电荷转移的方法，包括以下步骤：（1）提供筒状的筒电 极、负电极及冷气流发生组件，于所述负电极的顶部集结水质覆盖层而形成水质的尖端电 极，将所述负电极置于所述筒电极的下方，且让所述尖端电极正对所述筒电极的中轴线； （2）使所述筒电极接上电源正极，使所述负电极接上电源负极，启动所述冷气流发生组件， 所述冷气流发生组件产生冷却气流并使产生的冷却气流沿所述负电极的四周向上攀升并 穿过所述筒电极的中心孔。 本发明水质尖端电荷转移的装置及其方法以水质做为电极耗材，使电荷转移直接 发生与水质覆盖层形成的尖端电极与筒电极之间，增加了原有电极的使用寿命。同时提高 了水分子的电离效果，能产生更多的羟基自由基、纳米水离子、和富氧离子、带电粒子等有 益物质；通过不断消耗水质电极、又不断收集并汇集空气中的水分子至水质覆盖层形成尖 端电极，能持继的产生羟基自由基、纳米水离子、和富氧离子、带电粒子，从面达到稳定长效 的工作状态。同时，采用组合电极的方式，既满足导热系数高、抗氧化性能好且电离效果亦 佳的要求，且制作成本亦低，有利于推广。 通过以下的描述并结合附图，本发明将变得更加清晰，这些附图用于解释本发明 的实施例。 附图说明 图1为现有的放电装置的结构原理图。 图2为本发明水质尖端电荷转移装置的结构原理图。 图3为本发明水质尖端电荷转移装置的负电极第一个实施例的结构图。 图4为本发明水质尖端电荷转移装置的负电极第二个实施例的结构图。 图5为本发明水质尖端电荷转移装置的负电极第三个实施例的结构图。 图6为本发明水质尖端电荷转移装置的负电极第四个实施例的结构图。 图7为本发明水质尖端电荷转移装置的负电极第五个实施例的结构图。 图8为本发明水质尖端电荷转移装置的筒电极第二个实施例的结构图。