技术摘要：
本发明属于PO薄膜技术领域，具体涉及一种聚烯烃组合物及其PO基材膜、PO保护膜。所述聚烯烃组合物包括：由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚烯烃I和由至少一种碳原子数不低于4的烯烃单体制备的聚烯烃II；所述由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚烯烃I、由至少一种碳原 全部
背景技术：
PO保护膜中的PO基材膜常常存在扩张不均匀，导致UV胶层经过紫外线照射后无法 降低胶层的黏着力，且横向和纵向扩张不均，会导致在挑拣晶粒时发生遗漏或段晶，严重影 响PO保护膜用于芯片、玻璃、LED、软性电路板等加工过程中的保护，同时还会导致切割晶圆 时PO基材膜易震动导致背崩现象，且常见的聚乙烯、聚丙烯制备的PO基材膜韧性过高，也不 利于应用于减黏保护膜。 因此，本发明亟需研究一种具有较佳的伸长率且纵向和横向的伸长率接近1：1，还 具有抗静电作用，且膜韧性不是太高，适用于减黏保护的PO基材膜。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本发明的第一个方面提供了一种聚烯烃组合物，所述聚 烯烃组合物包括：由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚烯烃I和由至少一种碳原子数不 低于4的烯烃单体制备的聚烯烃II；所述由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚烯烃I、由 至少一种碳原子数不低于4的烯烃单体制备的聚烯烃II的质量比为(2-5)：1。 作为本发明的一种优选技术方案，所述由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚 烯烃I包括由碳原子数为2～3的一种烯烃单体制备的聚烯烃、由乙烯和丙烯两种单体制备 的聚烯烃。 作为本发明的一种优选技术方案，所述由乙烯和丙烯两种单体制备的聚烯烃为乙 烯-丙烯无规共聚物和/或乙烯-丙烯嵌段共聚物。 作为本发明的一种优选技术方案，所述乙烯-丙烯无规共聚物的热变形温度为80 ～110℃。 作为本发明的一种优选技术方案，所述2-3个碳原子的聚烯烃包括密度为0.91～ 0.96g/cm3的聚乙烯、弯曲模量为1770～5490MPa的聚丙烯。 作为本发明的一种优选技术方案，所述由至少一种碳原子数不低于4的烯烃单体 制备的聚烯烃II选自乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-己烯共聚物、乙 烯-辛烯共聚物中的一种或多种。 作为本发明的一种优选技术方案，所述乙烯-丁烯共聚物的熔融指数为0 .9～ 1.2g/10min。 本发明的第二个方面提供了一种包含上述聚烯烃组合物的PO基材膜。 本发明的第三个方面提供了一种包含上述PO基材膜的PO保护膜。 作为本发明的一种优选技术方案，所述PO保护膜还包括胶层。 本发明的第四个方面提供了上述PO保护膜的应用，所述PO保护膜应用于芯片、玻 3 CN 111718530 A 说 明 书 2/12 页 璃、LED、软性电路板等加工过程中的保护。 有益效果：本发明采用聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯无规共聚物、乙烯-丁烯共聚物 和乙烯-辛烯共聚物混合制备的PO基材膜，仅具有较佳的伸长率且纵向和横向的伸长率接 近1：1，而且PO基材膜还具有抗静电作用，且膜韧性不是太高，适用于减黏的保护膜。
本发明属于PO薄膜技术领域，具体涉及一种聚烯烃组合物及其PO基材膜、PO保护膜。所述聚烯烃组合物包括：由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚烯烃I和由至少一种碳原子数不低于4的烯烃单体制备的聚烯烃II；所述由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚烯烃I、由至少一种碳原 全部
背景技术：
PO保护膜中的PO基材膜常常存在扩张不均匀，导致UV胶层经过紫外线照射后无法 降低胶层的黏着力，且横向和纵向扩张不均，会导致在挑拣晶粒时发生遗漏或段晶，严重影 响PO保护膜用于芯片、玻璃、LED、软性电路板等加工过程中的保护，同时还会导致切割晶圆 时PO基材膜易震动导致背崩现象，且常见的聚乙烯、聚丙烯制备的PO基材膜韧性过高，也不 利于应用于减黏保护膜。 因此，本发明亟需研究一种具有较佳的伸长率且纵向和横向的伸长率接近1：1，还 具有抗静电作用，且膜韧性不是太高，适用于减黏保护的PO基材膜。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本发明的第一个方面提供了一种聚烯烃组合物，所述聚 烯烃组合物包括：由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚烯烃I和由至少一种碳原子数不 低于4的烯烃单体制备的聚烯烃II；所述由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚烯烃I、由 至少一种碳原子数不低于4的烯烃单体制备的聚烯烃II的质量比为(2-5)：1。 作为本发明的一种优选技术方案，所述由碳原子数不超过3的烯烃单体制备的聚 烯烃I包括由碳原子数为2～3的一种烯烃单体制备的聚烯烃、由乙烯和丙烯两种单体制备 的聚烯烃。 作为本发明的一种优选技术方案，所述由乙烯和丙烯两种单体制备的聚烯烃为乙 烯-丙烯无规共聚物和/或乙烯-丙烯嵌段共聚物。 作为本发明的一种优选技术方案，所述乙烯-丙烯无规共聚物的热变形温度为80 ～110℃。 作为本发明的一种优选技术方案，所述2-3个碳原子的聚烯烃包括密度为0.91～ 0.96g/cm3的聚乙烯、弯曲模量为1770～5490MPa的聚丙烯。 作为本发明的一种优选技术方案，所述由至少一种碳原子数不低于4的烯烃单体 制备的聚烯烃II选自乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-丙烯-己烯共聚物、乙 烯-辛烯共聚物中的一种或多种。 作为本发明的一种优选技术方案，所述乙烯-丁烯共聚物的熔融指数为0 .9～ 1.2g/10min。 本发明的第二个方面提供了一种包含上述聚烯烃组合物的PO基材膜。 本发明的第三个方面提供了一种包含上述PO基材膜的PO保护膜。 作为本发明的一种优选技术方案，所述PO保护膜还包括胶层。 本发明的第四个方面提供了上述PO保护膜的应用，所述PO保护膜应用于芯片、玻 3 CN 111718530 A 说 明 书 2/12 页 璃、LED、软性电路板等加工过程中的保护。 有益效果：本发明采用聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯无规共聚物、乙烯-丁烯共聚物 和乙烯-辛烯共聚物混合制备的PO基材膜，仅具有较佳的伸长率且纵向和横向的伸长率接 近1：1，而且PO基材膜还具有抗静电作用，且膜韧性不是太高，适用于减黏的保护膜。
