技术摘要：
本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置。该半导体装置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；在氮化物半导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅极电极，在与源极电  全部
背景技术：
日本特开2013-191763号公报(JP2013-191763A)公开了半导体装置的制造方法。 该文献中记载的方法包括如下工序：从在表面侧具备化合物半导体层叠构造的半导体基板 的背面侧形成具有第一孔和具有比第一孔小的直径的第二孔的通孔。通孔形成工序包括如 下工序：通过干蚀刻，在使蚀刻底面形成为曲面且使蚀刻底面的中央部形成为化合物半导 体层叠构造、且将蚀刻底面的外周部作为半导体基板的半导体基板形成第一孔；及通过湿 蚀刻，将蚀刻底面的外周部的半导体基板作为掩模而在化合物半导体层叠构造中形成第二 孔。 日本特开2008-085020号公报(JP2008-085020A)公开了半导体装置的构造。该文 献所记载的半导体装置具备半导体元件、阻止膜、第一通孔布线及第二通孔布线。半导体元 件形成于半导体基板的第一面。阻止膜设于在半导体基板的第一面形成为凹状的第一通孔 内。阻止膜包括至少一种以上的第八族元素。第一通孔布线与阻止膜接触而与半导体元件 的电极连接。第二通孔布线形成于第二通孔内，该第二通孔在与半导体基板的第一面相向 的第二面到达阻止膜而形成为凹状。第二通孔布线经由阻止膜与第一通孔布线电连接，形 成为形成于第二面的布线的一部分。日本特开2012-033690号公报(JP2012-033690A)公开 了半导体装置及半导体方法。
技术实现要素：
本发明提供一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备如下工 序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；在氮化物半 导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅 极电极，在与源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与栅极电极相同的层叠构造的第一 金属膜；形成与源极电极和第一金属膜接触的第二金属膜；形成从SiC基板的背面到达第一 金属膜的孔；及在孔内形成从背面到达第一金属膜的金属通孔。 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置具备：SiC基板；氮化物半导体层，设于 SiC基板的主面上；源极电极及漏极电极，设于氮化物半导体层上；栅极电极，设于氮化物半 导体层上的源极电极与漏极电极之间，具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造；第一金 属膜，设于在氮化物半导体层上与源极电极隔开间隔地相邻的区域，具有与栅极电极相同 的层叠构造；第二金属膜，与源极电极和第一金属膜接触；及金属通孔，设于SiC基板的孔 4 CN 111584364 A 说　明　书 2/9 页 内，从SiC基板的背面到达第一金属膜。 附图说明 参照以下的附图，根据本发明所涉及的实施方式的以下的详细的说明，更加清楚 地理解上述的及其它目的、观点及优点。 图1是表示作为一实施方式所涉及的半导体装置的晶体管的结构的俯视图。 图2是将图1所示的晶体管的一部分放大表示的俯视图。 图3是沿图2的III-III线的晶体管的一部分的剖视图。 图4是表示晶体管1A的制作方法所包含的各工序的剖视图。 图5是表示晶体管1A的制作方法所包含的各工序的剖视图。 图6是表示晶体管1A的制作方法所包含的各工序的剖视图。 图7是表示晶体管1A的制作方法所包含的各工序的剖视图。 图8是表示晶体管1A的制作方法所包含的各工序的剖视图。 图9是表示晶体管1A的制作方法所包含的各工序的剖视图。 图10是一个变形例所涉及的晶体管的放大俯视图。