技术摘要：
本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化  全部
背景技术：
已提出了用于在以电致发光显示装置为代表的发光装置中，尽可能抑制发光元件 的劣化的技术(例如，日本特开2004-79509号公报(专利文献1))。 日本特开2004-79509号公报公开了：“在第一开口部中，阻挡膜122和第一钝化膜 118以1～5μm(典型地为2～3μm)的范围接触，因此，平坦化膜121成为由阻挡膜122和第一钝 化膜118完全地封闭的状态。其结果是，即使使用有机树脂膜或旋涂玻璃(SOG)膜作为平坦 化膜121，也能够有效地抑制由经时变化导致的脱气的产生，因此，能够抑制由此引起的晶 体管特性和发光元件的经时劣化。(参照段落0028)”。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2004-79509号公报
技术实现要素：
发明要解决的技术问题 作为平坦化膜使用的有机树脂膜(有机平坦化膜)有时含有很多水分。当有机树脂 膜中含有的水分扩散到薄膜晶体管(TFT)的形成区域时，薄膜晶体管的特性会发生变动。 本发明的目的在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且能够使薄 膜晶体管的特性的变动减少的技术。 其它的技术问题和新的特征根据本说明书的记载和附图将会变得清楚。 用于解决技术问题的手段 对本发明中的代表性的技术方案的概要进行简单的说明，如下所述。 即，本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：形成有具有源极电极的薄膜 晶体管的半导体基片；第一电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形 成在上述阻挡膜上的绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述绝 缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和 上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述第一电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极 连接。 另外，本发明提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：准备半导体基 片的工序，该半导体基片形成有具有源极电极的薄膜晶体管；以上述源极电极的上表面露 出的方式有选择地形成有机平坦化膜的工序；实施第一焙烧的工序；在实施上述第一焙烧 工序之后，在上述有机平坦化膜上形成阻挡膜的工序；在上述阻挡膜上有选择地形成第二 电极的工序；以覆盖上述第二电极和上述阻挡膜的方式形成绝缘膜的工序；在上述阻挡膜 4 CN 111554692 A 说　明　书 2/10 页 和上述绝缘膜中形成贯通孔，使上述源极电极的上述上表面和上述有机平坦化膜在上述贯 通孔的底部露出的工序；和在使上述源极电极的上述上表面和上述有机平坦化膜露出的工 序之后，实施第二焙烧的工序。 另外，本发明提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：准备半导体基 片的工序，该半导体基片形成有具有源极电极的薄膜晶体管；以上述源极电极的上表面露 出的方式有选择地形成有机平坦化膜的工序；实施第一焙烧的工序；在实施上述第一焙烧 工序之后，在上述有机平坦化膜上形成阻挡膜的工序；在上述阻挡膜中形成贯通孔，使上述 源极电极的上述上表面和上述有机平坦化膜在上述贯通孔的底部露出的工序；在使上述源 极电极的上述上表面和上述有机平坦化膜露出的工序之后，实施第二焙烧的工序；和在上 述阻挡膜上有选择地形成第二电极，并且以覆盖露出在上述贯通孔的底部的上述源极电极 的上述上表面和上述有机平坦化膜的方式形成连接电极的工序。 附图说明 图1是表示实施方式的显示装置的结构例的平面图。 图2是沿着图1的A-A线的截面图。 图3是表示像素的基本结构和显示装置的等效电路的图。 图4是实施方式的显示装置的截面图的例子。 图5是表示以覆盖漏极电极和源极电极的方式形成了有机平坦化膜的状态的截面 图。 图6是表示在第一焙烧工序之后，在有机平坦化膜上形成了阻挡膜的状态的截面 图。 图7是表示有选择地形成了共用电极的状态的截面图。 图8是表示形成了电容绝缘膜的状态的截面图。 图9是表示形成了贯通孔的状态的截面图。 图10是表示有选择地形成了像素电极的状态的截面图。 图11是表示形成了取向膜的状态的截面图。 图12是将贯通孔的部分放大表示的截面图。 图13是变形例，是表示以覆盖漏极电极和源极电极的方式形成了有机平坦化膜的 状态的截面图。 图14是表示在第一焙烧工序之后，在有机平坦化膜上形成了阻挡膜的状态的截面 图。 图15是表示形成了贯通孔的状态的截面图。 图16是表示有选择地形成了共用电极和连接电极的状态的截面图。 图17是表示形成了电容绝缘膜的状态的截面图。 图18是表示在电容绝缘膜中形成了贯通孔的状态的截面图。 图19是表示有选择地形成了像素电极的状态的截面图。 图20是表示形成了取向膜的状态的截面图。 附图标记说明 DSP：显示装置 5 CN 111554692 A 说　明　书 3/10 页 PNL：显示面板 PX：像素 DA：显示部 NDA：非显示部 SE：密封件 SUB1：第一基片(TFT基片) SUB2：第二基片(对置基片) 100：基片 101：遮光膜 102：基底膜 103：氧化物半导体(Oxide) 104：栅极绝缘膜 105：栅极电极 106：层间绝缘膜 107：无机钝化膜 110：漏极电极 111：源极电极 112：有机平坦化膜 113：阻挡膜 114：共用电极 115：电容绝缘膜 116：像素电极 117：取向膜 1141：连接电极