技术摘要：
带电粒子束装置(110)具备：镜筒(111)，其具备带电粒子源(112)；试样室(101)，其设置被照射带电粒子束的试样；热释放型电子源(102)，其配置在试样室(101)内，维持为比其内壁低的电位，其中，通过电子源电源(103)的电压施加产生加热电流而从热释放型电子源(102)释放的电  全部
背景技术：
在以透射型电子显微镜(TEM/STEM)、扫描型电子显微镜(SEM)等电子显微镜等为 代表的带电粒子束装置中，由于带电粒子束的照射，碳氢化合物等堆积到试样等被照射物 上，由此产生污染。在产生了污染的情况下，例如电子显微镜像的S/N比恶化，或试样表面形 状变化，产生试样信息丢失而难以进行其观察和分析等各种问题。 为了减少这样的因污染造成的影响，作为现有技术，已知使用从加热器等发光源 照射的放射热加热装置本体的方法(参照专利文献1)、照射从准分子灯放射的紫外光的方 法(参照专利文献2)、生成等离子体而使用激活的氧自由基和离子的方法(参照专利文献3) 等。另一方面，为了去除使用电子显微镜观察的试样表面的污染，已知使用W钨丝(Tungsten  filament)的方法(参照非专利文献1)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2010-103072号公报 专利文献2：日本特开2015-69734号公报 专利文献3：日本特开2016-54136号公报 非专利文献 非专利文献1：J .T .Fourie ,“The  elimination  of  surface-originating  contamination  in  electron  microscopres”,Optik,52(1978/79) ,No.5,421～426
技术实现要素：
发明要解决的课题 上述的现有的许多方法存在以下的问题，即由于因热产生的排气、生成等离子体 时的气体导入等的影响，难以将装置内部保持为超高真空。另外，难以适用于对因加热产生 的热、照射的紫外光抗性弱的试样等被照射物。另外，在非专利文献1中，企图在观察前去除 作为观察对象的试样的表面的污染，而不企图去除试样室内的污染。 本发明的目的在于：解决这样的带电粒子束装置的问题，提供能够减少因试样室 内的污染造成的影响，保持为高真空的清洁装置。 用于解决课题的方法 为了达到上述目的，在本发明中，提供一种清洁装置，其具备：镜筒，其具备带电粒 子源；试样室，其被设置照射来自带电粒子源的带电粒子束的试样；热释放型电子源，其配 置在试样室内，其中，通过从热释放型电子源释放的电子，进行试样室内的清洁。 另外，为了达到上述目的，在本发明中，提供一种清洁装置，其具备：镜筒，其具备 带电粒子源；试样室，其设置被照射来自带电粒子源的带电粒子束的试样；电子源，其设置 4 CN 111727488 A 说　明　书 2/11 页 在试样室内，相对于试样室保持为负电位，其中，通过从电子源释放的电子，进行试样室内 的清洁。 发明效果 根据本发明，能够提供一种清洁装置，其不使装置复杂化，就能够保持装置内部的 超高真空地进行试样室的清洁。 附图说明 图1是表示实施例1的具备清洁装置的带电粒子束装置的整体结构的一个例子的 图。 图2是表示离子化倾向相对于所照射的电子的能量的依存性的图。 图3是表示平均自由行程相对于所照射的电子的能量的依存性的图。 图4是表示实施例2的具备清洁装置的带电粒子束装置的整体结构的一个例子的 图。 图5是表示实施例3的使用具备有源反射电极的热释放型电子源的清洁装置的一 个例子的图。 图6是表示实施例4的使用具备独立的无源反射电极的热释放型电子源的清洁装 置的一个例子的图。 图7是表示实施例1～4的在带电粒子束装置中配置了多个清洁装置的一个例子的 图。 图8是从带电粒子束装置的上方观察实施例1～4的在带电粒子束装置中配置了多 个清洁装置的一个例子的图。 图9是表示实施例5的采用了计时器的清洁装置的处理流程的图。 图10是表示实施例6的进行真空度读取方式的清洁装置的处理流程的图。 图11是表示实施例7的搭载了清洁装置的TEM/STEM的概要结构的一个例子的图。 图12是表示实施例8的搭载了清洁装置的SEM的概要结构的一个例子的图。