技术摘要：
本发明属于电子电路电镀技术领域，具体提供一种用于电子电路电镀铜填孔的整平剂及电镀铜浴，所述整平剂为1‑(4‑羟苯基)‑5‑巯基‑1H‑四唑、5‑巯基‑1‑(4‑甲氧苯基)‑1H‑四唑、1‑(4‑乙氧苯基)‑5‑巯基‑1H‑四唑中的一种或多种。本发明中，整平剂具有在HDI板  全部
背景技术：
在二级封装领域，电镀铜填充微米导孔技术能提供印制电路板制造商生产的HDI 及IC基板产品具有品质可靠性、设计灵活性及较好散热性能。此外，多芯片微组装技术 (MCM)凭其高电流密度、高可靠性及优良的电性能和传输特性成为研究的主体，而LTCC(低 温共烧陶瓷)普遍应用于多层芯片线路模块化设计中，其中芯片互连的填铜孔金属化具有 散热、微波/信号垂直互连的作用，具有集成度高、体积小、重量轻、介质损耗小、高频特性优 良等优点；因此，电子电路电镀铜填孔的电镀铜浴、以及作为电镀铜浴中的必要添加剂的整 平剂成为研究的重点。 目前，台湾中兴大学窦维平教授以PEG为抑制剂、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)和3- 巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)为加速剂、健那绿B(Janus  Green  B ,JGB)和二嗪黑(Diazine  Black,DB)为整平剂([1]W.p.Dow  et  al.Electrochim.Acta.53(2008)3610–3619.[2]W.- P .Dow  et  al ./El  ectrochimica  Acta  54(2009)5894–5901 .[3]W .P .Dow  et  al.J.Electrochem.Soc.152(2005)C425-C434.[4]W.P.Dow  et  al.Electrochem.Solid- State  Lett.9(2006)C134-C137.)，在有适量的氯离子存在的酸性体系中，对不同厚径比的 微盲孔电镀填铜做了大量的研究。整平剂通常为含氮的带正荷的化合物，它在酸性溶液中 带有很强的正电性；通常认为整平剂只在高电流密度区起抑制作用，使得原本起伏不平的 表面变得更为平坦。整平剂通常分为两类：染料型和非染料整平剂，其中，非染料整平剂如 苯并三氮唑及四唑类衍生物(如文献Z.Lei  et  al./Electrochimica  Acta  178(2015)546– 554)；而有机染料作为酸铜电镀工艺中最早采用的整平剂，品种较多，有吩嗪染料、噻嗪染 料和酞菁染料等；健那绿、健那黑等有机染料分子作为酸铜整平剂使用也历史悠久(如公开 号为CN103924269A的专利文献)，但是其存在明显缺点：1)易污染设备，2)镀液在高温时不 稳定、易分解，3)镀层内应力差等。 因此，提供一种具有盲孔填铜用整平剂，用以实现盲孔填孔孔口电镀表面形貌可 调的电镀铜浴，对电子封装领域的发展起到较好的推动作用。
技术实现要素：
本发明的目的在于针对