技术摘要：
本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。动态随机存取存储器包括基底、多个第一隔离结构、多个字线结构、多个第二隔离结构以及多个第三隔离结构。多个第一隔离结构位于基底中，以定义出沿第一方向排列的多个主动区，其中多个主动区与多个第一隔离结构沿第一方  全部
背景技术：
动态随机存取存储器(Dynamic  Random  Access  Memory，DRAM)属于一种易失性存 储器，其是由多个存储单元所构成。详细地说，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个 由晶体管所操控的电容器所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电性连接。为提 升动态随机存取存储器的积集度以加快元件的操作速度，并符合消费者对于小型化电子装 置的需求，近年来发展出埋入式字线动态随机存取存储器(buried  word  line  DRAM)，以满 足上述种种需求。 在现有技术中，通常是通过形成浅沟渠隔离(shallow  trench  isolation)结构来 定义主动区(active  area)以及主动区之间的隔离区。在现有技术中，埋入式字线通常须穿 越隔离区设置。在存储器的积集度提高与元件尺寸缩小的情况下，增大隔离区面积虽可降 低位线与隔离区之间重叠位移(overlay  shift)的问题发生，但较大的隔离区面积却会限 缩主动区的面积，导致主动区与电容器接触窗之间的接触面积缩小。当主动区与电容器接 触窗之间的接触面积变小，将使得主动区与电容器接触窗之间的阻值增加，进而降低产品 可靠度。因此，如何发展一种动态随机存取存储器及其制造方法，其可避免位线与隔离区之 间重叠位移的问题并同时维持主动区与电容器接触窗之间的接触面积将成为重要的一门 课题。
技术实现要素：
本发明提供一种动态随机存取存储器，其可避免位线与隔离区之间重叠位移的问 题，并同时维持主动区与电容器接触窗之间的接触面积，进而提升产品的可靠度。 本发明提供一种动态随机存取存储器的制造方法，其可同时定义字线结构和隔离 区的位置，不仅可避免位线与隔离区之间重叠位移的问题，由于制造所需的掩膜数量减少， 也可降低整体制造的成本。 本发明提供一种动态随机存取存储器，其包括基底、多个第一隔离结构、多个字线 结构、多个第二隔离结构以及多个第三隔离结构。多个第一隔离结构位于基底中，以定义出 沿第一方向排列的多个主动区，其中多个主动区与多个第一隔离结构沿第一方向交替排 列。多个字线结构穿过多个主动区与多个第一隔离结构，多个字线结构沿第二方向排列且 沿第三方向延伸，其中第二方向与第三方向垂直，且第一方向与第二方向相交一角度。多个 第二隔离结构位于多个字线结构与多个主动区交错的基底中且位于两个相邻的第一隔离 结构之间。多个第三隔离结构覆盖多个字线结构。 本发明提供一种动态随机存取存储器的制造方法，其包括以下步骤。在基底中形 成多个第一隔离结构，以定义出沿第一方向排列的多个主动区，其中多个主动区与多个第 4 CN 111599810 A 说　明　书 2/8 页 一隔离结构沿第一方向交替排列。移除部分多个第一隔离结构以及多个主动区的部分基 底，以形成沿第二方向排列且沿第三方向延伸的多个沟渠，其中第二方向与第三方向垂直， 且第一方向与第二方向相交一角度。移除部分多个第一隔离结构，以在多个沟渠中形成多 个第一开口。移除多个主动区与多个沟渠交错的部分基底，以形成多个第二开口，其中第二 开口位于两个相邻的第一隔离结构之间，且多个第二开口的底面低于多个第一开口的底 面。在多个第二开口中形成多个第二隔离结构，以填满多个第二开口。在多个沟渠中形成字 线结构。形成多个第三隔离结构，以覆盖多个字线结构并填满多个沟渠。 基于上述，在本发明的动态随机存取存储器中，通过定义字线结构的制造中，同时 定义隔离区中的第二隔离结构以及第三隔离结构的位置，故可避免隔离区中第二隔离结构 以及第三隔离结构与字线结构之间重叠位移的问题，进而避免动态随机存取存储器不正常 刷新的问题。同时，藉此制造制备的动态随机存取存储器可具有较窄的隔离区并同时保持 较宽的电容器接触窗，故可达到较低的电容器接触窗阻抗以及较高的存储单元晶体管 (transistor，Tr)通道启动电流，进而使动态随机存取存储器具有较佳的数据读写表现。另 一方面，由于制造所需的掩膜数量减少，也可降低整体制造的成本。 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图 作详细说明如下。 附图说明 图1A至图12A是本发明一实施例的动态随机存取存储器的制造流程的上视示意 图。 图1B至图12B是分别沿图1A至图12A的线段A-A’的剖面示意图。 图1C至图12C是分别沿图1A至图12A的线段B-B’的剖面示意图。 【符号说明】 100、100a、100b：基底 110、110a、110b、110c：第一隔离结构 112、112a、112b、112c、132、132a：氮化硅层 114、114a、114b、114c、124、124a、130：氧化硅层 120：主动区 122、122a：图案化遮罩 126、126a：底部抗反射涂层 128：光阻层 133、133a：栅氧化层 134、134a：衬层 136、136a：导体材料层 137：字线结构 138：第三隔离结构 140、140a、140b、140c：沟渠 142：第一开口 150：隔离区 5 CN 111599810 A 说　明　书 3/8 页 160、160a、160b：第二开口 170：第二隔离结构 180：电容器接触窗 190：位线结构 A-A’、B-B’：线段 D1、D2、D3、D4：方向 d1、d2：距离 R1：凹部 R2：凸部 w1、w2：宽度 θ：角度