技术摘要：
本发明涉及封装胶膜技术领域，尤其是涉及一种具有提升双面组件抗PID性能的封装胶膜及其制备方法；其质量份组成如下：基体树脂100份、N型半导体0.1~20份、过氧化物交联剂0.01~2份、助交联剂0.1~10份、光稳定剂0.01~5份、抗氧剂剂0.05~5份；偶联剂0.1~5质量份；本发明中 全部
背景技术：
根据2020年国际光伏技术路线的预测(ITRPV)，到2026年，双面电池的市场份额将 超过50％。双面电池由于特殊的电池结构，组件在负偏压、85℃的温蒂，85％的湿度条件下， 电池片表面会产生一层正电荷，称之为极化电荷，破坏了电池片的钝化效果，使少子与多子 发生复合，造成电流及开压损失，从而导致功率损失(PID衰减)。 这种极化导致的PID衰减，目前主要在组件端通过封装胶膜解决。目前封装胶膜的 量产方案，主要是在POE，或者是EVA/POE复合胶膜中添加带有双键的多官能团丙烯酸酯或 丙烯酰胺，如专利CN109810639A中提到的，使用了N,N'-亚甲基双丙烯酰胺、羟甲基丙烯酰 胺、羟乙基丙烯酰胺、羟乙基丙烯酰胺或N ,N-二甲基丙烯酰胺中的一种或多种。 CN109337599A中提到的多官能团的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯类助剂。CN110964447A专利中 提到的乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷 三丙烯酸酯。 但是这类助剂都极性比较大，而POE极性小，因此相容性较差，在温度较低时易析 出，导致胶膜使用过程存在滑移，气泡等情况。而在EVA胶膜中使用这类助剂，仍然无法满足 双面电池组件的PID要求。
技术实现要素：
本发明的目的是：克服现有技术中的不足，提供一种抗极化性能优异的双面电池 用抗极化封装胶膜。 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下： 一种双面电池用抗极化封装胶膜，其质量份组成如下：基体树脂100份、N型半导体 0.1～20份、过氧化物交联剂0.01～2份、助交联剂0.1～10份、光稳定剂0.01～5份、抗氧剂 0.05～5份、偶联剂0.1～1质量份。 进一步的，所述基体树脂由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-α烯烃共聚物、乙烯-甲 基丙烯酸甲酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛中的任意一种或多种按照任意配比组成。 进一步的，所述乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的熔体流动速率为2～27g/min，VA含量为 26％～32％，乙烯-α烯烃共聚物熔体流动速率为5～25。 进一步的，所述N型半导体的粒径小于700nm。 进一步的，所述N型半导体的材料为金属氧化物，金属硫化物，或者是含有位于元 素周期表IV族的复合物。 进一步的，所述N型半导体的材料选用二氧化钛，铟锡氧化物，掺铝氧化锌，氧化 铜，氧化铬，五氧化二钒，三氧化二铁等金属氧化物，硫化镉，硫化锡，硫化铅，CdIn2S4， 3 CN 111732902 A 说 明 书 2/4 页 Cu2ZnSnS4等硫化物，碳纳米管，氮化镓，碳化硅，硒化锌，二氧化硅中的任意一种或多种按照 任意配比组成。 进一步的，所述交联剂为过氧化二异丙苯、双叔丁基过氧化二异丙基苯、过氧化- 2-乙基己基碳酸叔丁酯、2,5-二甲基-2,5-双(叔丁基过氧基)己烷、叔丁基过氧化碳酸-2- 乙基己酯中的一种或几种。 进一步的，所述助交联剂为三丙烯基异氰脲酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧 基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季 戊四醇四丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯中的一种或几种。 进一步的，所述光稳定剂为3,5-二叔丁基-4-羟基-苯甲酸十六烷基酯、双(2,2,6, 6-四甲基哌啶基)癸二酸酯、三(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)亚磷酸酯、双(1-辛氧基-2, 2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯中的一种或几种。 进一步的，所述抗氧剂为四[β-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯、β- (3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸正十八碳醇酯、N,N'-双-(3-(3 ,5-二叔丁基-4-羟基苯 基)丙酰基)己二胺、2，6-二叔丁基对甲酚、4，4'-硫代双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、硫代二丙 酸二月桂酸酯、三(2，4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯中的一种或几种。 进一步的，所述偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三 (b-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷中 的一种或几种 本发明的另一个目的是：克服现有技术中的不足，提供一种生产工艺简单、生产成 本低的双面电池用抗计划封装胶膜的制备方法。 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下： 一种双面电池用抗极化封装胶膜的制备方法，所述制备方法如下：将基体树脂、N 型半导体、过氧化物交联剂、助交联剂、光稳定剂、抗氧剂、偶联剂混合均匀后，用单螺杆挤 出机挤出流延成膜，或是压延成膜，所述胶膜厚度优选为50～800μm。 采用本发明的技术方案的有益效果是： 本发明中的双面电池用抗极化封装胶膜，该胶膜中添加有N型半导体材料，使得胶 膜带有一定的电子，可中和双面电池在PID过程中产生的极化正电荷，从而避免PID的产生， 显著提高了胶膜的抗PID性能。 本发明中的双面电池用抗极化封装胶膜，通过上述原理，可使用乙烯-醋酸乙烯酯 的共聚物作为主体树脂，满足双面双玻的抗PID需求，这是目前其它厂家无法实现的。使用 乙烯-醋酸乙烯酯作为主体树脂，解决了助剂相容性差的问题，可降低光伏组件制造过程中 的气泡、串偏移等不良，提高光伏组件的层压良率。 本发明中的双面电池用抗极化封装胶膜的制备方法，制备工艺简单，生产成本低， 适合工业化生产。
本发明涉及封装胶膜技术领域，尤其是涉及一种具有提升双面组件抗PID性能的封装胶膜及其制备方法；其质量份组成如下：基体树脂100份、N型半导体0.1~20份、过氧化物交联剂0.01~2份、助交联剂0.1~10份、光稳定剂0.01~5份、抗氧剂剂0.05~5份；偶联剂0.1~5质量份；本发明中 全部
背景技术：
根据2020年国际光伏技术路线的预测(ITRPV)，到2026年，双面电池的市场份额将 超过50％。双面电池由于特殊的电池结构，组件在负偏压、85℃的温蒂，85％的湿度条件下， 电池片表面会产生一层正电荷，称之为极化电荷，破坏了电池片的钝化效果，使少子与多子 发生复合，造成电流及开压损失，从而导致功率损失(PID衰减)。 这种极化导致的PID衰减，目前主要在组件端通过封装胶膜解决。目前封装胶膜的 量产方案，主要是在POE，或者是EVA/POE复合胶膜中添加带有双键的多官能团丙烯酸酯或 丙烯酰胺，如专利CN109810639A中提到的，使用了N,N'-亚甲基双丙烯酰胺、羟甲基丙烯酰 胺、羟乙基丙烯酰胺、羟乙基丙烯酰胺或N ,N-二甲基丙烯酰胺中的一种或多种。 CN109337599A中提到的多官能团的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯类助剂。CN110964447A专利中 提到的乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷 三丙烯酸酯。 但是这类助剂都极性比较大，而POE极性小，因此相容性较差，在温度较低时易析 出，导致胶膜使用过程存在滑移，气泡等情况。而在EVA胶膜中使用这类助剂，仍然无法满足 双面电池组件的PID要求。
技术实现要素：
本发明的目的是：克服现有技术中的不足，提供一种抗极化性能优异的双面电池 用抗极化封装胶膜。 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下： 一种双面电池用抗极化封装胶膜，其质量份组成如下：基体树脂100份、N型半导体 0.1～20份、过氧化物交联剂0.01～2份、助交联剂0.1～10份、光稳定剂0.01～5份、抗氧剂 0.05～5份、偶联剂0.1～1质量份。 进一步的，所述基体树脂由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-α烯烃共聚物、乙烯-甲 基丙烯酸甲酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛中的任意一种或多种按照任意配比组成。 进一步的，所述乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的熔体流动速率为2～27g/min，VA含量为 26％～32％，乙烯-α烯烃共聚物熔体流动速率为5～25。 进一步的，所述N型半导体的粒径小于700nm。 进一步的，所述N型半导体的材料为金属氧化物，金属硫化物，或者是含有位于元 素周期表IV族的复合物。 进一步的，所述N型半导体的材料选用二氧化钛，铟锡氧化物，掺铝氧化锌，氧化 铜，氧化铬，五氧化二钒，三氧化二铁等金属氧化物，硫化镉，硫化锡，硫化铅，CdIn2S4， 3 CN 111732902 A 说 明 书 2/4 页 Cu2ZnSnS4等硫化物，碳纳米管，氮化镓，碳化硅，硒化锌，二氧化硅中的任意一种或多种按照 任意配比组成。 进一步的，所述交联剂为过氧化二异丙苯、双叔丁基过氧化二异丙基苯、过氧化- 2-乙基己基碳酸叔丁酯、2,5-二甲基-2,5-双(叔丁基过氧基)己烷、叔丁基过氧化碳酸-2- 乙基己酯中的一种或几种。 进一步的，所述助交联剂为三丙烯基异氰脲酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧 基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季 戊四醇四丙烯酸酯、乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯中的一种或几种。 进一步的，所述光稳定剂为3,5-二叔丁基-4-羟基-苯甲酸十六烷基酯、双(2,2,6, 6-四甲基哌啶基)癸二酸酯、三(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)亚磷酸酯、双(1-辛氧基-2, 2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯中的一种或几种。 进一步的，所述抗氧剂为四[β-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯、β- (3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸正十八碳醇酯、N,N'-双-(3-(3 ,5-二叔丁基-4-羟基苯 基)丙酰基)己二胺、2，6-二叔丁基对甲酚、4，4'-硫代双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、硫代二丙 酸二月桂酸酯、三(2，4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯中的一种或几种。 进一步的，所述偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三 (b-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷中 的一种或几种 本发明的另一个目的是：克服现有技术中的不足，提供一种生产工艺简单、生产成 本低的双面电池用抗计划封装胶膜的制备方法。 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下： 一种双面电池用抗极化封装胶膜的制备方法，所述制备方法如下：将基体树脂、N 型半导体、过氧化物交联剂、助交联剂、光稳定剂、抗氧剂、偶联剂混合均匀后，用单螺杆挤 出机挤出流延成膜，或是压延成膜，所述胶膜厚度优选为50～800μm。 采用本发明的技术方案的有益效果是： 本发明中的双面电池用抗极化封装胶膜，该胶膜中添加有N型半导体材料，使得胶 膜带有一定的电子，可中和双面电池在PID过程中产生的极化正电荷，从而避免PID的产生， 显著提高了胶膜的抗PID性能。 本发明中的双面电池用抗极化封装胶膜，通过上述原理，可使用乙烯-醋酸乙烯酯 的共聚物作为主体树脂，满足双面双玻的抗PID需求，这是目前其它厂家无法实现的。使用 乙烯-醋酸乙烯酯作为主体树脂，解决了助剂相容性差的问题，可降低光伏组件制造过程中 的气泡、串偏移等不良，提高光伏组件的层压良率。 本发明中的双面电池用抗极化封装胶膜的制备方法，制备工艺简单，生产成本低， 适合工业化生产。
