技术摘要：
本发明提供了一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，烘烤至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为50～65μm；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长 全部
背景技术：
随着科技的日新月异，对半导体的加工能力要求越来越高。在加工过程中，存在着 半导体的形变，这主要是在加工过程中受应力影响造成的。当前，减少内应力的办法主要是 研磨和热处理。然而内应力消除的效果不是非常理想，效果较差。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种长形条半导体背面 开槽以消除应力的方法。 为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种长形条半导体背面开槽以消除 应力的方法，所述方法包括以下步骤： (1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，烘烤至光 刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为50～65μm； (2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切 割槽深度为0.5～0.8mm，切割刀转速为4500～5500RPM，切割速度为90～110mm/s； (3)切割完成后依次用酸溶液、加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱 落，然后将长条形半导体依次放入臭氧水、氯水、有机溶剂中处理。 本发明的方法通过负性光刻胶将长形条半导体固定于夹具上进行机械切割，通过 特定的光刻胶厚度和切割参数使得本发明的方法很好的消除了制备的长形条半导体的内 应力；通过酸溶液、加热的碱溶液、臭氧水、氯水、有机溶剂的清洗处理，去除了黏附在半导 体上的光刻胶。 优选地，步骤(1)中烘烤的温度为120～150℃。 优选地，步骤(1)中烘烤的时间为20min。 优选地，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mPa·s。 优选地，所述切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，刀片集中 度为100～110。 优选地，步骤(2)中机械切割时的刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃。 优选地，步骤(1)中涂布的光刻胶厚度为55～65μm。 优选地，步骤(2)中机械切割时的切割刀转速为5000～5500RPM，切割速度为100～ 110mm/s。 更优选地，步骤(2)中机械切割时的切割刀转速为5500RPM，切割速度为110mm/s。 优选地，半导体上切割槽深度为0.6～0.8mm。 更优选地，半导体上切割槽深度为0.7～0.8mm。 3 CN 111599671 A 说 明 书 2/8 页 本发明的有益效果在于：本发明提供了一种长形条半导体背面开槽以消除应力的 方法，本发明的方法制备工艺简单，对长形条半导体的内应力的消除具有很好的效果。
本发明提供了一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，烘烤至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为50～65μm；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长 全部
背景技术：
随着科技的日新月异，对半导体的加工能力要求越来越高。在加工过程中，存在着 半导体的形变，这主要是在加工过程中受应力影响造成的。当前，减少内应力的办法主要是 研磨和热处理。然而内应力消除的效果不是非常理想，效果较差。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种长形条半导体背面 开槽以消除应力的方法。 为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种长形条半导体背面开槽以消除 应力的方法，所述方法包括以下步骤： (1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，烘烤至光 刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为50～65μm； (2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切 割槽深度为0.5～0.8mm，切割刀转速为4500～5500RPM，切割速度为90～110mm/s； (3)切割完成后依次用酸溶液、加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱 落，然后将长条形半导体依次放入臭氧水、氯水、有机溶剂中处理。 本发明的方法通过负性光刻胶将长形条半导体固定于夹具上进行机械切割，通过 特定的光刻胶厚度和切割参数使得本发明的方法很好的消除了制备的长形条半导体的内 应力；通过酸溶液、加热的碱溶液、臭氧水、氯水、有机溶剂的清洗处理，去除了黏附在半导 体上的光刻胶。 优选地，步骤(1)中烘烤的温度为120～150℃。 优选地，步骤(1)中烘烤的时间为20min。 优选地，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mPa·s。 优选地，所述切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，刀片集中 度为100～110。 优选地，步骤(2)中机械切割时的刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃。 优选地，步骤(1)中涂布的光刻胶厚度为55～65μm。 优选地，步骤(2)中机械切割时的切割刀转速为5000～5500RPM，切割速度为100～ 110mm/s。 更优选地，步骤(2)中机械切割时的切割刀转速为5500RPM，切割速度为110mm/s。 优选地，半导体上切割槽深度为0.6～0.8mm。 更优选地，半导体上切割槽深度为0.7～0.8mm。 3 CN 111599671 A 说 明 书 2/8 页 本发明的有益效果在于：本发明提供了一种长形条半导体背面开槽以消除应力的 方法，本发明的方法制备工艺简单，对长形条半导体的内应力的消除具有很好的效果。
