技术摘要：
本发明公开了一种全ITO忆阻器及其制备方法，涉及存储器制造技术领域，全ITO忆阻器为双层结构，上层结构包括ITO电极，下层结构包括基底，所述ITO电极生长在基底上端面，基底的材质为ITO导电玻璃片，所述全ITO忆阻器的整体完全透明。本发明还提出一种全ITO忆阻器的制备方  全部
背景技术：
随着信息技术的不断发展，以电阻为量纲的忆阻器作为第四种电路元件受到广泛 的关注，并以其结构简单、尺寸可缩小性好，读写速度快、擦写耐受力高、数据保持时间长， 具备多维和多级存储能力等优点，成为了存储行业的研发重点。忆阻器的主要特征是对其 施加电压时其电阻值会呈非线性转变，基于这一特点忆阻器在信息存储和模拟神经突触方 面可以被广泛应用。 忆阻器的基本结构一般为金属/绝缘层/金属(MIM)三明治结构。传统的绝缘性材 料和金属氧化等和各金属电极材料是当前主要研究对象，研究历史较长，技术成熟度较高， 其忆阻介质层主要包括二元金属氧化物、钙钛矿型复杂氧化物等绝缘体材料。然而由于材 料本身在机械、光学等方面的局限性，难以满足未来柔性、透明等方面的应用要求，同时还 面临着器件结构尺寸、稳定性和工作电压等诸多挑战。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术材料本身在机械、光学等方面的局限性，难以满 足未来柔性、透明等方面的应用要求，同时还面临着器件结构尺寸、稳定性和工作电压等不 足，提供一种全ITO忆阻器及其制备方法。 本发明的目的是通过以下技术方案来实现的： 一种全ITO忆阻器的制备方法，包括以下步骤： 步骤一：准备ITO玻璃，将ITO玻璃切成方形大小，分别在丙酮、酒精、去离子水中超 声30min并使用氮气吹干； 步骤二：对吹干的ITO玻璃进行真空退火； 步骤三：采用电子束蒸镀方法在退火后的ITO玻璃的介质层上制备ITO电极；形成 全ITO忆阻器； 步骤四：对全ITO忆阻器进行退火处理； 优选的，所述步骤一中，ITO玻璃采用厚度为2mm，方块电阻为30Ω的2cm×2cm的商 用ITO导电玻璃，其中ITO薄膜的厚度为180nm。 优选的，所述步骤二中，ITO玻璃在真空环境下，400℃退火30min。 优选的，所述步骤三中，ITO玻璃上面覆盖有电极尺寸为30um×30um掩膜板，采用 电子束蒸镀方法制备的ITO电极的厚度为50nm。 优选的，所述电子束蒸镀方法使用99.9999％的ITO蒸发料，真空度为1×10-3Pa，蒸 镀功率为5W，ITO增长速度为 样品制备过程中需要对靶材进行预溅射，预溅射5min 后开始涨薄膜，ITO薄膜厚度为50nm。 优选的，所述步骤四中，全ITO忆阻器在氩气环境，400℃下退火30min。 3 CN 111599918 A 说　明　书 2/3 页 一种全ITO忆阻器，所述全ITO忆阻器为双层结构，上层结构包括ITO电极，下层结 构包括基底，所述ITO电极生长在基底的上端面。 优选的，所述基底的材料为ITO导电玻璃，所述全ITO忆阻器的整体完全透明。 本发明的有益效果是： 1、本发明中忆阻器为两层结构，器件结构和制备工艺简单。 2、本发明中使用ITO同时作为介质层和电极具有透明的特性。 3、本发明中制备的全ITO忆阻器经过测试证明，该全ITO忆阻器具有良好稳定的阻 变效应，并且可以获得非常小的工作电压。 附图说明 图1为本发明全ITO忆阻器的结构示意图； 图2为实施例1制备的未退火的全ITO忆阻器的SEM图； 图3为实施例1制备的未退火的全ITO忆阻器的I-V特性曲线； 图4为实施例2制备的退火的全ITO忆阻器的SEM图； 图5为实施例2制备的退火的全ITO忆阻器的I-V特性曲线； 图6为实施例3的全ITO忆阻器对简单字母的记忆图。