技术摘要：
本发明涉及晶圆迭加异常补偿方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过设置用于迭加异常量测的曝光单元，其中用于迭加异常量测的曝光单元的个数为25至35之间的任一值，并使用于迭加异常量测的曝光单元中的位于晶圆边缘范围内的曝光单元的数量与晶圆面内除晶圆边缘范围之  全部
背景技术：
在半导体集成电路制造过程中，光刻区常被检出迭加异常，进而造成产品良率下 降。另，迭加异常绝大部分出现在晶圆周围一圈，也即晶边，且不管在工艺上或曝光机台上， 很多会造成晶边周围迭加异常。具体的，请参阅图1，图1为PDF晶圆迭加异常示意图，如图1 所示，迭加异常绝大部分出现在晶圆周围一圈。另，请再参阅图2，图2为晶圆迭加异常向量 示意图，如图2所示，靠近晶圆中心部分的曝光单元103内的迭加异常向量较小，而晶圆周围 一圈的迭加异常向量比较大，具体的，如位于晶圆边缘的曝光单元(shot)101和曝光单元 102内的迭加异常向量较大，易超过迭加异常阈值，而导致产品良率下降。且晶边迭加能力 是非常难补偿的，因此其严重影响产品良率。
技术实现要素：
本发明提供的晶圆迭加异常补偿方法，包括：S1：设置用于迭加异常量测的曝光单 元，其中用于迭加异常量测的曝光单元的个数为25至35之间的任一值，并使用于迭加异常 量测的曝光单元中的位于晶圆边缘范围内的曝光单元的数量与晶圆面内除晶圆边缘范围 之外的曝光单元的数量比为4:1至6:1之间的任一值；S2：设计量测点光罩版图，将曝光单元 范围内的位于晶圆面外的量测点设置在晶圆面内，并保证每个用于迭加异常量测的曝光单 元内的量测点的数量相等；S3：获得用于迭加异常量测的曝光单元中的每个曝光单元内的 量测点的迭加异常信息，进而获得晶圆迭加异常信息；S4：根据步骤S3获得的晶圆迭加异常 信息得到迭加异常补偿值；以及S5：根据步骤S4获得的迭加异常补偿值对晶圆进行迭加补 偿。 更进一步的，步骤S1中设置的用于迭加异常量测的曝光单元数量为30个。 更进一步的，步骤S1中设置使得用于迭加异常量测的曝光单元中的位于晶圆边缘 范围内的曝光单元的数量与晶圆面内除晶圆边缘范围之外的曝光单元的数量比为5:1。 更进一步的，位于晶圆边缘范围内的曝光单元为所述曝光单元向晶圆边缘侧再移 动一个曝光单元就使该曝光单元至少部分位于晶圆面外。 更进一步的，每个用于迭加异常量测的曝光单元内的量测点的数量为9。 更进一步的，在步骤S2中将曝光单元范围内的位于晶圆面外的量测点移至晶圆面 内的趋近于晶圆边缘线的位置，以将曝光单元范围内的位于晶圆面外的量测点设置在晶圆 面内。 本发明还提供一种晶圆迭加异常信息量测方法，包括：S1：设置用于迭加异常量测 的曝光单元，其中用于迭加异常量测的曝光单元的个数为25至35之间的任一值，并使用于 迭加异常量测的曝光单元中的位于晶圆边缘范围内的曝光单元的数量与晶圆面内除晶圆 边缘范围之外的曝光单元的数量比为4:1至6:1之间的任一值；S2：设计量测点光罩版图，将 4 CN 111580349 A 说　明　书 2/6 页 曝光单元范围内的位于晶圆面外的量测点设置在晶圆面内，并保证每个用于迭加异常量测 的曝光单元内的量测点的数量相等；S3：获得用于迭加异常量测的曝光单元中的每个曝光 单元内的量测点的迭加异常信息，进而获得晶圆迭加异常信息。 更进一步的，步骤S1中设置的用于迭加异常量测的曝光单元数量为30个。 更进一步的，步骤S1中设置使得用于迭加异常量测的曝光单元中的位于晶圆边缘 范围内的曝光单元的数量与晶圆面内除晶圆边缘范围之外的曝光单元的数量比为5:1。 更进一步的，在步骤S2中将曝光单元范围内的位于晶圆面外的量测点移至晶圆面 内的趋近于晶圆边缘线的位置，以将曝光单元范围内的位于晶圆面外的量测点设置在晶圆 面内 本发明提供的晶圆迭加异常补偿方法，通过设置用于迭加异常量测的曝光单元， 其中用于迭加异常量测的曝光单元的个数为25至35之间的任一值，并使用于迭加异常量测 的曝光单元中的位于晶圆边缘范围内的曝光单元的数量与晶圆面内除晶圆边缘范围之外 的曝光单元的数量比为4:1至6:1之间的任一值，并设置每个用于迭加异常量测的曝光单元 内的量测点，保证每个用于迭加异常量测的曝光单元内的量测点的数量相等，增大晶圆边 缘范围内迭加异常的信息量比例，而使得到的晶圆迭加异常信息更能反映晶圆边缘的迭加 异常信息，而使晶圆边缘迭加补偿效果较好，进而提高产品良率。 附图说明 图1为PDF晶圆迭加异常示意图。 图2为晶圆迭加异常向量示意图。 图3为现有技术的晶圆迭加异常信息量测示意图。 图4为本发明一实施例的晶圆迭加异常信息量测示意图。 图5a为位于晶圆面内的曝光单元的量测点布局示意图。 图5b为位于晶圆边缘的曝光单元的量测点布局示意图。 图6a为以图4所示的晶圆迭加异常信息量测示意图获得的晶圆迭加异常信息对晶 圆进行迭加补偿的晶圆面内的补偿效果示意图。 图6b为以图4所示的晶圆迭加异常信息量测示意图获得的晶圆迭加异常信息对晶 圆进行迭加补偿的晶圆边缘的补偿效果示意图。 图7a为分别以晶圆面内所有曝光单元、30个曝光单元和13个曝光单元获得的晶圆 迭加异常信息对晶圆进行迭加补偿的晶圆面内的补偿效果示意图。 图7b为分别以晶圆面内所有曝光单元、30个曝光单元和13个曝光单元获得的晶圆 迭加异常信息对晶圆进行迭加补偿的晶圆边缘的补偿效果示意图。 图中主要元件附图标记说明如下： 401、402、403、曝光单元；110、晶圆边缘线。