技术摘要：
公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，其中，该半导体器件包括漂移区，在漂移区上设置有场板结构，可提高器件的击穿电压，场板结构位于栅极结构和漏端掺杂区之间，可以辅助耗尽漂移区，降低比导通电阻，其中，该场板结构与栅极结构的层结构相同，在制作中可以  全部
背景技术：
为了提升功率LDMOS(laterally-diffused  metal-oxide  semiconductor，横向扩 散金属氧化物半导体)器件的电学特性，通常需要提升其击穿电压(BV)，并降低其比导通电 阻。常见的提升技术包括场板技术、降低表面电场(resurf)技术、超结技术，其中，场板技术 在漂移区位置制作场板结构，可以有效调节漂移区电场，提升器件的BV，并且，对于耐压状 态下的LDMOS器件，可以辅助耗尽漂移区，在相同的耐压条件下可以有更大的掺杂浓度，从 而获得了更低的导通电阻。 场板结构的制作一般需要使用额外的掩模版，会增加器件应用场板技术的制作成 本。
技术实现要素：
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种半导体器件的制作方法及半导体器 件，从而降低场板技术的应用成本。 根据本发明的一方面，提供一种半导体器件的制作方法，包括： 在衬底上制作第一导电类型掺杂的外延层； 在所述外延层上表面制作第一导电类型掺杂的漂移区和第二导电类型掺杂的阱 区； 在制作完所述漂移区的所述外延层上依次制作氧化层和多晶硅层，以第二掩膜版 为掩膜，刻蚀所述氧化层和所述多晶硅层，获得栅极结构和场板结构； 在获得所述栅极结构和所述场板结构后，在所述漂移区中制作漏端掺杂区，在所 述阱区中制作源端掺杂区。 可选地，所述场板结构为分段式结构，间隔设置在所述栅极结构与所述第一掺杂 区之间。 可选地，所述场板结构的每一段均单独电引出。 可选地，还包括： 在制作完所述源端掺杂区、所述漏端掺杂区后，制作电极，将所述栅极结构、所述 源端掺杂区、所述漏端掺杂区和所述场板结构均电引出，所述场板结构还与所述栅极结构、 所述源端掺杂区和所述漏端掺杂区中的至少一个电连接。 可选地，所述制作第二导电类型掺杂的所述阱区的步骤包括： 在所述外延层上制作所述栅极结构，采用所述栅极结构为掩膜，自对准制作所述 阱区。 可选地，所述源端掺杂区包括第一导电类型的第三掺杂区，制作所述源端掺杂区 3 CN 111725070 A 说　明　书 2/5 页 的步骤包括： 采用所述栅极结构为掩膜，自对准注入第一导电类型掺杂杂质，以获得所述第三 掺杂区。 可选地，所述半导体器件为N型LDMOS器件，所述第一导电类型掺杂为N型掺杂，所 述第二导电类型掺杂为P型掺杂，或， 所述半导体器件为P型LDMOS器件，所述第一导电类型掺杂为P型掺杂，所述第二导 电类型掺杂为N型掺杂。 根据本发明的另一方面，提供一种半导体器件，所述半导体器件包括： 位于衬底上的外延层； 位于所述外延层上表面两端的漂移区和阱区； 位于所述阱区上表面的源端掺杂区； 位于所述漂移区上表面的漏端掺杂区； 栅极结构，位于所述外延层上，连接所述源端掺杂区与所述漂移区； 场板结构，位于所述外延层上，位于所述栅极结构与所述漏端掺杂区之间，其中， 所述场板结构的层结构与所述栅极结构的层结构相同。 可选地，所述场板结构为分段式结构，间隔分布在所述栅极结构与所述漏端掺杂 区之间。 可选地，所述场板结构的每一段均单独电引出。 本发明提供的半导体器件的制作方法依次包括在衬底上制作外延层、在外延层上 表面制作漂移区、在外延层上依次制作氧化层和多晶硅层并刻蚀所述氧化层和所述多晶硅 层获得栅极结构和场板结构、在外延层上表面制作阱区、制作源漏掺杂区。其中，场板结构 和栅极结构的层结构相同，可以共用第二掩模版为掩膜，刻蚀氧化层和多晶硅层获得，在未 增加额外掩膜版的情况下完成了场板结构的制作，降低了场板技术的应用成本，降低了具 有场板结构的半导体器件的制作成本。 场板结构为分段式结构，对应调节漂移区的不同区域的电场，针对性调节电场，提 升了场板技术的应用效果，提升半导体器件的电学特性。 对分段式场板结构的每一段均单独电引出，每一段场板结构上可施加不同的电 压，对应漂移区的不同区域施加不同的电场，分区域的调节电场，可以提高电场调节的效 率，提高场板技术的应用效果，提升半导体器件的电学特性。 将场板结构与源漏栅电连接，可以根据源漏栅上的电压自适应调节场板结构上施 加的电压，无需与其它电源连接，可提高半导体器件的实用性。 自对准制作阱区或源端掺杂区，可以保障阱区和源端掺杂区与栅极结构的连接， 降低栅源之间的寄生电阻，提升半导体器件的电学特性。 本发明提供的半导体器件包括位于外延层上表面的漂移区和阱区，阱区上表面包 括源端掺杂区，栅极结构位于外延层上连接源端掺杂区和漂移区，漂移区上表面设置有漏 端掺杂区，还包括场板结构，场板结构位于漂移区上、栅极结构与漏端掺杂区之间，场板结 构的层结构与栅极结构的层结构相同，可以在制作时共用一块掩膜刻蚀相同的层结构获 得，在未增加场板结构的掩膜版的情况下制作出具有场板结构的半导体器件，降低了场板 技术的应用成本，提高了半导体器件的电学特性。 4 CN 111725070 A 说　明　书 3/5 页 附图说明 通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和 优点将更为清楚，在附图中： 图1示出了根据本发明实施例的半导体器件的结构示意图； 图2至图6示出了根据本发明实施例的半导体器件的制作方法的各阶段结构示意 图。