技术摘要：
本发明提供一种薄膜晶体管制备方法和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括衬底、有源层、钝化层，以及位于钝化层上的源极和漏极，有源层包括背沟道区，背沟道区包括背沟道层、以及设置在背沟道层上的刻蚀修复层，刻蚀修复层提高了薄膜晶体管的稳定性；刻蚀修复层材料的断键数量  全部
背景技术：
现有的薄膜晶体管，在有源层的材料为无定形硅时，背沟道区表面的无定形硅受 到等离子体干刻蚀的破坏而存在大量断键形成刻蚀区，所述断键会捕捉电子，从而造成所 述薄膜晶体管转移特性曲线飘移，引起信赖性异常的问题，因此，现有薄膜晶体管存在信赖 性异常的技术问题。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种薄膜晶体管制备方法和薄膜晶体管，可缓解现有薄膜晶体 管存在信赖性异常的技术问题。 本发明实施例提供一种薄膜晶体管制备方法，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、以及钝化层，在所述有源层上形成 背沟道区、以及形成背沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区； 使用制程气体对所述有源层的表面进行等离子体处理，以对所述背沟道区表面的 刻蚀区材料进行断键/弱键修复，修复后的刻蚀区形成刻蚀修复层。 在本发明实施例提供的薄膜晶体管制备方法中，在使用所述制程气体对所述有源 层的表面进行等离子体处理的步骤中： 通入氧气作为制程气体，形成所述刻蚀修复层，所述刻蚀修复层的材料为二氧化 硅。 在本发明实施例提供的薄膜晶体管制备方法中，在使用所述制程气体对所述有源 层的表面进行等离子体处理的步骤中： 通入氦气作为制程气体，形成所述刻蚀修复层，所述刻蚀修复层的材料为氦化硅。 在本发明实施例提供的薄膜晶体管制备方法中，在使用所述制程气体对所述有源 层的表面进行等离子体处理的步骤中： 通入所述制程气体对有源层背沟道区进行整层等离子体处理，一体成型形成所述 刻蚀修复层。 在本发明实施例提供的薄膜晶体管制备方法中，在使用所述制程气体对所述有源 层的表面进行等离子体处理的步骤中： 提供一掩膜板，使用所述掩膜板对所述有源层进行等离子体处理，形成刻蚀修复 层的第一部分和第二部分。 在本发明实施例提供的薄膜晶体管制备方法中，形成所述第一部分与所述源极掺 杂区触接，形成所述第二部分与所述漏极掺杂区触接，所述第一部分和所述第二部分未接 3 CN 111599868 A 说　明　书 2/7 页 触。 在本发明实施例提供的薄膜晶体管制备方法中，在使用所述制程气体对所述有源 层的表面进行等离子体处理的步骤中： 在所述第一部分和所述第二部分之间沉积形成填充层，所述填充层材料与所述钝 化层材料相同。 本发明实施例提供一种薄膜晶体管，包括： 衬底，以及位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘 层上的有源层、位于所述有源层上的钝化层；以及 位于所述钝化层上的源极和漏极，所述有源层两端形成有源极接触区和漏极接触 区，所述源极通过第一通孔连接所述源极接触区，所述漏极通过第二通孔连接所述漏极接 触区； 其中，所述有源层还包括设置在所述源极接触区和所述漏极接触区之间的背沟道 区，所述背沟道区包括背沟道层、以及设置在所述背沟道层上的刻蚀修复层，所述刻蚀修复 层提高了所述薄膜晶体管的稳定性。 在本发明实施例提供的薄膜晶体管中，所述刻蚀修复层材料的断键数量少于所述 背沟道层材料的断键数量。 在本发明实施例提供的薄膜晶体管中，所述刻蚀修复层的厚度大于20纳米。 有益效果：本发明实施例提供的薄膜晶体管制备方法和薄膜晶体管中，薄膜晶体 管包括衬底、以及位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层 上的有源层、位于所述有源层上的钝化层，以及位于所述钝化层上的源极和漏极，所述有源 层两端形成有源极接触区和漏极接触区，所述源极通过第一通孔连接所述源极接触区，所 述漏极通过第二通孔连接所述漏极接触区，其中，所述有源层还包括设置在所述源极接触 区和所述漏极接触区之间的背沟道区，所述背沟道区包括背沟道层、以及设置在所述背沟 道层上的刻蚀修复层，所述刻蚀修复层提高了所述薄膜晶体管的稳定性；通过将背沟道区 设置为背沟道层、以及设置在所述背沟道层上的刻蚀修复层，其中，刻蚀修复层材料的断键 数量少于所述背沟道层材料的断键数量，有效降低了背沟道区中断键的数量，缓解了现有 薄膜晶体管存在信赖性异常的技术问题。 附图说明 下面结合附图，通过对本发明的