技术摘要：
本发明提供了一种微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板，直接利用半导体技术，在同一片硅衬底上制备水平布置的微LED结构和MOS管结构，规避了现有技术中利用巨量转移技术实现微LED和驱动电路的集成所带来的成本高、良率低的问题。该微发光二极管像素单元器  全部
背景技术：
近年来，微发光二极管(Light  Emitting  Diode，LED)显示技术发展迅速，备受业 界追捧。其制备过程通常是利用巨量转移技术将百万甚至千万数量级的微LED从一块基板 转移到驱动基板上，以实现微LED和场效应晶体管(Metal  Oxide  Semiconductor，MOS)的集 成。然而，由于微LED的尺寸通常只有几微米到几十微米，像素间距更小，因此巨量转移过程 需要成本高昂的精密设备才能实现，并且产品良率较低。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例致力于提供一种微LED像素单元器件结构、制备方法及显 示面板，以解决现有技术中利用巨量转移技术实现微LED和MOS管的集成时，导致的生产成 本高、产品良率低的问题。 本发明一方面提供了一种微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，包括：提 供硅衬底，将硅衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域分别制备场效应管 结构和微发光二极管结构；将场效应管结构和微发光二极管结构电连接，以形成像素单元 结构。 可选地，在第一区域和第二区域分别制备场效应管结构和微发光二极管结构包 括：在第一区域的硅衬底之上制备场效应管结构；整面沉积第一绝缘层；刻蚀掉第二区域的 部分第一绝缘层至露出硅衬底，以形成微发光二极管显示窗口区；在微发光二极管显示窗 口区的硅衬底上制备微发光二极管结构。 可选地，在第一区域和第二区域分别制备场效应管结构和微发光二极管结构包 括：在硅衬底上整面沉积第二绝缘层；刻蚀掉第二区域的部分第二绝缘层至露出硅衬底，形 成微发光二极管显示窗口区；在微发光二极管显示窗口区的硅衬底上制备微发光二极管结 构；刻蚀掉第一区域的部分第二绝缘层至露出硅衬底，在露出的硅衬底之上制备场效应管 结构。 可选地，在第一区域制备场效应管结构的同时制备电容结构；该方法还包括，将电 容结构和场效应管结构、微发光二极管结构电连接。 可选地，在第一区域制备场效应管结构的同时制备电容结构包括：在第一区域的 硅衬底中形成阱区；在阱区中掺杂分别形成第一电容极板、场效应管的源区和漏区；采用构 图工艺，在硅衬底之上分别形成电容绝缘层、场效应管的栅氧化层；在栅氧化层之上制备多 晶硅栅层；在第一区域整面沉积第三绝缘层；采用构图工艺，在第三绝缘层上分别形成第二 电容极板，以及场效应管的源极、漏极和栅极。 本发明另一方面还提供了一种微发光二极管像素单元器件结构，包括：硅衬底，该 4 CN 111613610 A 说　明　书 2/6 页 硅衬底包括第一区域和第二区域；场效应管结构，场效应管结构设置在第一区域；以及和场 效应管结构电连接的微发光二极管结构，微发光二极管结构设置在第二区域。 可选地，微发光二极管结构的顶电极为透明电极。 可选地，该微发光二极管像素单元器件结构还包括：和场效应管结构、微发光二极 管结构电连接的电容结构。 可选地，电容结构的电极绝缘层和场效应管结构中的多晶硅栅层位于同一膜层， 第一区域包含2-50个场效应管结构和0-3个电容结构。 本发明的又一方面提供了一种显示面板，包括多个上述微发光二极管像素单元器 件结构。 根据本发明提供的微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板，直接 利用半导体技术在同一硅片上形成水平布置的MOS管结构和微LED结构，规避了现有技术中 利用巨量转移技术实现微LED和MOS管的集成所带来的成本高、良率低的问题。此外，由于像 素单元中的MOS管结构和微LED结构水平布置，驱动单元不会对显示窗口产生遮挡，具有良 好的显示效果。 附图说明 图1所示为本发明一实施例提供的发光二极管像素单元电路结构示意图。 图2所示为本发明一实施例提供的微LED的结构示意图。 图3所示为本发明一实施例提供的MOS管的结构示意图。 图4所示为本发明一实施例提供的微LED像素单元器件结构的制备方法的流程图。 图5a-图5e为本发明一实施例提供的微发光二极管像素单元器件结构的制备过程 示意图。 图6a-图6d为本发明一实施例提供的微发光二极管像素单元器件结构的制备过程 示意图。 图7所示为本发明一实施例提供的微发光二极管像素单元器件结构示意图。 图8所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。